“随着技术的进步，红光和蓝光的外量子效率分别达到了50%和60%以上，而绿光只能达到30%左右，流明效率一直徘徊在70-90lm/W。”新广联相关工作人员道出了绿光芯片存在的窘境。
那么，导致绿光外量子效率不高的根本原因是什么呢?
上述工作人员表示，由于绿光外延生长时需要参入较高的In和更低的温度生长，但在低温条件下会导致更多的杂质(氧、碳)掺入，及氨气分解不足导致高In组分InGaN生长时氮源不足，引发本征点缺陷InGaN结晶质量不高等因素。
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为了解决上述难题，新广联推出了基于AlN陶瓷衬底的GaN外延片结构及制备方法，具有重叠电极的LED芯片结构，通过低应力量子阱外延生长技术、晶体生长过程应变补偿技术、隐形激光侧壁切割等核心技术研究，研制出了具有高流明效率的绿光LED芯片，光效达到160lm/W以上，达到国际**水平。
“首先我们改善了绿光芯片电压高的难题，45x45mil 350mA电压低于2.8V;另外，该产品光效由100lm/W大幅度提升到160lm/W水平，节能高效，45x45mil产品可驱动到700~1000mA，提高了性价比，*后，其外延生长时间可缩短20%，有效降低生产成本。”上述工作人员表示。
据悉，该产品主要应用于舞台灯、投光灯产品，并获得了客户的高度评价，其中上海三思利用该产品制作的G15B产品成品亮度达到3500mcd，广泛代替日亚同类产品。
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