西部数据警告东芝 称出售芯片业务将严重违反合资协议

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1.西部数据警告东芝 称出售芯片业务将严重违反合资协议;2.有钱不能赚:东芝或放弃富士康270亿美元*高报价;3.富士康为何给东芝芯片业务270亿美元的高报价?4.Apple、Google有意竞标东芝内存业务?5.Synaptics将会是苹果“抛弃”的下一家供应商;6.全球*大、三星韩国平泽厂传7月投产64层3D NAND

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1.西部数据警告东芝 称出售芯片业务将严重违反合资协议;

路透东京4月12日 - 美国西部数据

2.有钱不能赚:东芝或放弃富士康270亿美元*高报价;

北京时间4月12日晚间消息,彭博社今日援引知情人士的消息称,虽然富士康计划高价竞购东芝芯片业务部门,但由于日本和美国政府的反对,东芝*终也只能被迫放弃。

知情人士称,富士康计划*多斥资3万亿日元

3.富士康为何给东芝芯片业务270亿美元的高报价?

270亿美元的报价听起来很高,但富士康科技集团(Foxconn Technology Group)向困境中的东芝公司(Toshiba Co., TOSYY)给出如此慷慨的报价,以收购其利润丰厚的计算机芯片业务,也有其背后的逻辑。如果该交易完成,将是近年来规模*大的外资收购日本公司的交易,其收购价较分析师对上述业务合理价值的估算值高出多达50%。

那么为何会出现这种情况?毕竟东芝核业务西屋电气公司(Westinghouse Electric Co.)破产后,该公司迫切需要进行出售交易。

尽管东芝公司处境艰难,但富士康知道若要达成交易,需要缓和日本对于国内高科技明星企业(而且是大雇主)落入外资之手的担忧。所以这家以组装苹果公司产品着称的台湾公司向日本官员和东芝公司提出一个令人难以拒绝的高报价。此外,富士康对于在日本进行艰难地谈判并不陌生:去年该公司收购亏损的电子产品生产商夏普(Sharp)时,就在几个月内将价格压低了40%。这次如果出现类似的结果,将有助于纠正*初的高昂报价。

富士康的雄心也是促成上述高溢价的一个原因。富士康目前没有能够大规模生产NAND闪存的业务,而人工智能和云计算的崛起令这个有利可图的市场需求不断增长。收购东芝公司的业务将帮助富士康追赶三星(Samsung)等行业***。野村(Nomura)称,东芝在上述技术领域占有20%的市场份额。现在给出高额报价可能有助于阻止该业务的其他潜在竞购方。

富士康要说服日本监管机构批准该交易可能仍不会容易。但高报价显然将为其赢得关注。华尔街日报

4.Apple、Google有意竞标东芝内存业务?

根据一些来自日本的*新报告指出,科技业三家*大且*知名的公司不约而同地都对于竞标东芝的内存芯片业务深感兴趣。 这是真的吗?

*近在日本《读卖新闻》(Yomiuri Shimbun)上的一篇报导指出,苹果(Apple)、Google与亚马逊(Amazon)三巨头正式宣布参与东芝(Toshiba)内存芯片业务的竞标活动。

关于这一点必须先提出一些免责声明。 首先,这项消息来自一个多星期前的《读卖新闻》,文中并未提到任何消息来源;其次,上述公司中没有一家出面证实这项消息的准确性。

但是,消息本身并不存在限定符。 首先,Apple、Google和Amazon对于这项报导均三缄其口,这是很自然的事。 其次,除了海力士(SK Hynix)在今年二月传出有意收购东芝股权的报导外,上述提到的三巨头参与竞标东芝芯片业务的传闻,至今都是经由匿名消息揭露的,只是因为没有任何真正了解这个过程的人出面发声。

在过去十年的大多数时间中,业界多家公司一直在努力摆脱内存业务。 有些甚至已经倒闭了。 高科技领域中*大也*成功的三家公司——其中没有一家是东导体供货商,真的有可能愿意付出180亿美元进军这个领域?

不会吧? 根据一些新闻报导指出,东芝已经将潜在买家名单缩减至少数几家,但并未提及Apple、Google或Amazon。

无论从Apple、Google和Amazon的报导中是否能嗅到任何真相,但这种可能性甚至会产生烟雾的事实说明了两件事:相较于长久以来的发展,内存业务目前正处于较好的位置;而在此巨量数据(Big Data)时代的浪潮下,NAND flash正成为极其理想的商品。

专注于观察内存芯片发展趋势的Forward Insights创办人兼**分析师Greg Wong说:「如果这些报导属实,显示Amazon和Google开始将闪存(flash)视为数据中心的重要组成部份,而且愿意为确保这种策略性商品的供应花大把银子,特别是针对NAND flash供应吃紧的市场。 」

鸿海加码抢标?

另一家市场研究公司Tirias Research**分析师Jim McGregor表示对这项报导感到惊讶,原因有几个,包括记忆业务的历史周期性,以及闪存正由于日益增加的挑战而几乎走到尽头的事实。 他指出,东芝并未站在掌握任何新兴内存技术的先驱位置——毕竟在闪存时代终结时,新兴的内存技术可能迅速崭露头角。

McGregor说:「我认为这些公司对东芝感兴趣的**原因在于:他们拥有大量的数据中心与消费应用都耗用大量的闪存,而且在接下来的五到十年当其他内存技术成熟以前,这一事实都不太可能发生改变。 」 「因此,购买东芝的内存业务将有助于为其带来宝贵的记忆IP和专用的资源,并且减少对于像三星(Samsung)和美光(Micron)等内存制造商的依赖,以及缓解内存产业常见的价格波动。 」

IC Insights总裁Bill McClean则表示,只要想想iPhones、iPads、Mac和其他产品必须使用多少闪存,就能明白Apple为什么想参与东芝内存芯片业务的竞标。 但是,McClean也指出,Amazon和Google的动机较不清楚。 McClean说:「虽然Amazon和Google会间接地在其服务器中使用大量的闪存,但他们通常购买的是已经安装闪存的系统。 」

*近,《彭博社》(Bloomberg)报导有意竞标东芝内存芯片业务的公司包括已在二月坦承有兴趣收购的南韩业者海力士,以及博通(Broadcom)与投资机构银湖管理公司(Silver Lake Management)以策略联盟的方式参与竞标。 此外,来自台湾的电子合约制造商鸿海(Hon Hai Precision Co.) 也在运作此事,据传已表示愿意支付3兆日圆(约270亿美元)收购;这一金额比东芝*初希望的报价(180亿美元)更高了50%。

同时,日本政府继续推动日本国内的买家收购东芝内存芯片业务的可能性。 根据一些来自日本的报导显示,日本政府官方已经与几家日本企业的代表会面,洽谈成立联盟共同收购以及国外控制的机会;此举就像是2012年时整合东芝、Sony与日立(Hitachi)等公司的显示器业务后成立日本显示器公司(Japan Display Inc.) 一样。 不过,截至目前为止,计划中的这个联盟似乎尚未到位。eettaiwan

5.Synaptics将会是苹果“抛弃”的下一家供应商;

根据外媒 9to5Mac 的*新报道,瑞士信贷的分析师认为,随着苹果公司越来越重视芯片和内部组件的设计和研发,显示驱动制造商新思国际(Synaptics)将成为下一个跟苹果分道扬镳的公司。

此前我们曾经报道过,苹果计划在接下来两年之内放弃使用 Imagination Technologies 公司的一切技术,包括**和 IP 知识产权等等,这导致后者的股价大幅下跌。另一份报告则显示,苹果正在开发自家的电池管理芯片,以取代 Dialog 提供的组件。

2014 年,新思国际以 4.75 亿美元的价格向 Renesas 公司收购了显示驱动芯片技术。当时有传闻称苹果可能会直接收购 Renesas,但是据路透社报道,谈判失败了。2015 年,新思国际在苹果发布配有 3D Touch 的 iPhone 6s 系列手机之后宣布,将为 Android 智能手机提供压力感知的触摸屏控制部件,这一举动或多或少让苹果感觉到不满。

瑞士信贷的分析师指出,苹果重视自家的芯片设计会给供应商带来相当高的失去合作的风险。报告中提到,苹果公司已经聘请了大量曾经就职于 Renesas 公司的工程师。威锋网

6.全球*大、三星韩国平泽厂传7月投产64层3D NAND

集微网消息,据海外媒体报道,三星电子位于韩国平泽(Pyeongtaek)的工厂,号称是全球*大的半导体工厂。消息传出,平泽厂预定七月启用,将生产第四代3D NAND。

BusinessKorea、Investor 12日报导,平泽厂是第四代64层3D NAND的生产基地,预定七月投产。三星敌手美光(Micron)、SK海力士等,都尚未开始量产第四代3D NAND,三星拔下头筹,将可拉大与竞争对手的差距。

IHS Markit估计,三星NAND的总产能(平面+3D),约为每月晶圆投片量45万组,其中一半以上都是3D NAND。据传平泽厂将专门量产3D NAND,等产能全开时,NAND产量将大增,能争抢更多市占。

不过,消息人士说,平泽厂初期运转阶段,产量有限,一两年后产能利用率才会提高。估计今年下半平泽厂3D NAND的晶圆总投片量为7~8万组。

三星是NAND龙头,2016年市占率为36%。半导体业界人士表示,三星量产第四代3D NAND之后,将调降**、三代价格,其他业者将受重创。就算他们买下NAND二哥东芝联手出击,三星仍有办法拓展市占、增至40%。

与此同时,三星动作频频,量产第四代NAND之际,也开始研发第五代NAND。

三星野心不止于此,该公司打造出半导体铁三角,在平泽厂生产3D NAND,韩国器兴(Giheung)制造系统半导体,华城(Hwaseong)制作DRAM。三星也会扩大器兴和华城工厂,**抢占半导体市场。

三星野心勃勃,其他业者积极追赶。韩联社10日报导,SK海力士宣布,开发出业界首见的72层258-Gb NAND flash,预定今年下半量产,研发速度超过三星电子。

三星积极扩产,引��外界疑虑,担心未来存储器将再次供过于求。

之前外资曾警告,DRAM荣景能否持续,取决于存储器龙头三星电子,要是三星扩产,好景恐怕无法持续。如今三星眼看DRAM利润诱人,传出决定扩产,新产线预计两年后完工。

BusinessKorea 3月15日报导,三星电子决定砸下10兆韩圜(87亿美元),扩充韩国华城厂(Hwaseong)的DRAM产能。三星人员表示,新产线约需两年时间建造,将视研发进度和制程转换良率,决定生产18奈米制程DRAM,或更先进制程的DRAM。

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