近几年，随着可见光领域的日趋成熟，研究人员把研究重点逐渐向短波长的紫外光转移，紫外光在丝网印刷、聚合物固化、环境保护、白光照明以及**探测等领域都有重大应用价值。而紫外LED的功耗低、发光响应快、可靠性高、辐射效率高、寿命长、对环境无污染、结构紧凑等诸多优点，使其*有希望取代现有的紫外高压水银灯，成为下一代的紫外光光源。因此，它也成为了近年世界各巨头和研究机构新的研究热点之一。那么目前全球紫外LED核心**分布情况如何？主要握在谁的手中？

**量：中国*多约占56%

根据发布的《紫外LED**技术分析报告——外延芯片、封装器件篇》显示，从**区域构成上来看，近200 份有关紫外LED 外延、芯片和器件封装领域的相关**中，**数量*多的是中国地区，约占总数的56%；其次是美国地区，台湾和日本，韩国在这一领域也具有相当的优势。而且这些**中，世界**的申请占到了约10%，说明对这些**，申请人都比较重视，相当比例的申请进行了全球**布局。

图1**区域构成分析

从申请趋势上看，该报告显示，从1998 年开始，紫外LED的申请量逐年增加，目前处于高速发展阶段。这与这一领域的技术发展趋势是一致的。1998 年，一种InGaN/A1InGaN MQW 结构的紫外LED 芯片在美国Sandia 国家实验室由Mary H. Crawford 课题组研制出来。该芯片辐射峰值波长为386 nm，辐射功率大于1 mW，开启了新一代短波长紫外光领域的大门。此后众多研究者致力于此，在外延层质量、p 型掺杂、欧姆接触、光学设计等关键工艺水平方面都取得了很大的提高。2014 和2015 年申请量下降的原因，应该是由于很多申请还是处于未公开阶段。

图2**申请总体趋势

申请量：中科院半导体研究所取胜

对申请人进行分析发现，申请量*多的是中国中科院的半导体研究所，而且居于前几位的都是来自中国的申请人，国外申请量靠前的有首尔半导体、NITEK、CREE等，国内进入前列的申请人以科研机构和大学比较多，企业有青岛杰生和武汉光电技术研究院有限公司。

说明中国在此领域也掌握了一定的核心技术，在某些领域可以和国外企业技术相当或者**，但是中国企业在此领域的研发能力，技术实力还具有一定差距，有待提高，可以引导和鼓励产学研结合，促进中国科研院所和大学技术的向企业转移，促使企业在此领域的技术水平的提高。

图3.主要申请人分析

国内类型：80%以上属于发明**

另外，报告中显示，在国内申请的**类型上，80%以上属于发明，说明关于紫外LED领域的**技术含量较高，**申请以发明为主。而且PCT申请比例也不低，占到了6%。

图4国内**类型分析

国内**法律状态：有权**占30%

图5内**法律状态分析

法律状态分析表面，国内申请有近一半（46%）处于审查期，有权**占30%，说明该领域的技术还处于技术发展期，企业近年来的研发投入不断加大。进一步细分，对不同法律状态的**类型进行分析，表面在有权**中，发明居多，而且PCT**占据了近10%的比例。

无效申请主要是国内申请人申请的发明和实用新型申请。这也说明了国外申请人进入中国的PCT申请质量较高，申请人较为重视。

图6内**法律状态分析

市场规模：2017年可达2.7亿美元

根据法国市场研究公司Yole Développement的调研报告显示，到2017年UV LED市场规模可达2.7亿美元，超过整个紫外光源市场的1/3，五年内的复合年增长率可高达43%，从而形成和紫外汞蒸气灯分庭抗礼的局面。紫外LED已经成为目前LED行业的新蓝海，日益引起投资者的兴趣，越来越多的中国企业也进入该领域，但目前中国的UV-LED企业还没有掌握核心技术，尤其是芯片、外延和器件封装领域，在增加U V-LED的光输出方面，研发不**于通过改变材料内的杂质数量、晶格缺陷和位错来提高内量子效率，同时，UV-LED芯片输入功率的不断提升给封装技术提出了更为严峻的挑战。如何改善管芯及内部封装结构，增强UV-LED内部产生光子出射的几率，提高光效，解决散热问题，进行取光和热流优化设计也是UV-LED研发的重要方向。

国内目前的封装形式同一，产品出光功率距离国外LED企业差距较大。未来LED要大规模应用，单个器件的功率必然要增大，输入功率的增大给封装技术提出了更高的挑战，必须采用新的封装形式与封装理念。