集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。
1.东芝起诉西部数据，与日美韩联盟签约延后；
集微网消息，日本东芝今日宣布向东京地方法院提告西部数据。
东芝及 TMC （Toshiba Memory Corporation）已于当日以违反不当竞争防止法为由，向东京地院状告西部数据，除要求东京地院向西部数据发出停止不当竞争行为的假处分命令之外，也向 WD 提出总额 1,200 亿日圆的损害赔偿。
东芝提起的诉讼案包含两部分，其中之一是终止西部数据对芯片事业所有权的主张，另外则指控西部数据的员工不当取得东芝信息。 诉状中表示，西部数据夸大其同意权，从中阻挠东芝内存芯片公司出售案，侵害东芝的同意权，同时又不断对外散布错误的信息，损害东芝与东芝内存的信用。
东芝也控告西部数据利用将SanDisk员工转到西部数据旗下，取得商业机密。 西部数据因买SanDisk后，成为东芝在半导体事业合资伙伴。
东芝主张，关于 TMC 的出售案，西部数据持续从事让人无法忽视的妨碍行为，且向第三方散布不实言论、损毁东芝及 TMC 信誉。
日经引述东芝前技术人员的话表示，由于两公司原本一起进行闪存的新产品开发，东芝施出此招恐导致开发延缓半年，甚至可能掐死自己的脖子。 东芝四日市工厂员工也说，封锁西部数据员工只会对（竞争对手）韩国三星电子有利而已。
西部数据想入股东芝内存未能如愿，5月先提出国际仲裁、本月又向加州高等法院声请的禁制令，试图以这项交易未得该公司同意加以封杀，与东芝撕破脸。 加州高等法院预计7月14日开庭审理，与西部数据之间的诉讼成为东芝内存股权标售*大的变量。
东芝同时表示，公司决定拒绝位于四日市芯片工厂之外的西部数据员工获得两家公司合资企业的相关数据。
东芝 28 日稍早宣布，目前正和日美韩联盟进行协商中，原先虽计划在今日举行股东会之前就 TMC 出售案达成*终共识，不过因和联盟内多个当事者之间的调整仍需时间，因此现阶段尚未达成共识。
东芝社长纲川智昨天在股东会解释，日美韩联盟是东芝综合考虑*佳的买家，会力求在今年会计年度内完成买卖。 他也表示，西部数据向法院提出中止出售的假处分是过当妨害东芝内存出售，他们也向日美韩联盟充分说明。
东芝上周表示，将在 6 月 28 日股东会前与相关联盟达成满意且*终的协议，并规划在不超过 2018 年 3 月的期限内，完成相关交易作业，包括各国竞争法审查的必要程序。
业界解读，随着东芝半导体签约时间拖延，变量也增加。 其他竞标者有更多机会提案，身为竞标者之一的鸿海还有逆转胜机会；*坏的状况，可能因西部数据与东芝的法律诉讼让交易案重启竞标。
股东大会逾三小时，纲川两度率所有董事向投资人道歉。 纲川智开场先为东芝股票被由东证一部降格到东证二部，率所有董事向投资人鞠躬，现场一片死寂。 纲川说，二○一六会计年度财报因未能取得监察法人认可，还需时间沟通，希望今秋股东临时会能向投资人报告。
但投资人大多不领情，炮声隆隆，一名股东认为东芝已进入紧急状态，亟需强力领导做出正确的商业决策，主张撤换经营团队。 还有股东批评东芝已沦为三流公司。 尽管对经营团队不满，但考虑现在已没有余裕让更换经营团队，包括纲川在内九名现任董事仍获续任。
2.台积电夺走高通订单 三星打算直攻6nm扳回一城；
据传台积电7纳米微缩制程大幅超前三星电子，成功夺走高通7纳米处理器大单。韩国消息称，三星恨得牙痒痒，打算直攻6纳米制程扳回一城。
韩媒etnews27日报导，台积电花*少精力研发10纳米，跳级直取7纳米的策略奏效，抢走三星的高通订单。三星心有不甘，打算从10纳米直攻基于7纳米的6纳米制程，目标2019年量产6纳米。据传三星晶圆代工部门心知无力挽回转单，重心放在6纳米，今年将装设两台艾司摩尔（ASML）极紫外光（EUV）微影设备“NXE3400B”，明年还会装设7台。
三星导入EUV可以减少光罩层数、节省成本。台积电首批7纳米制程并未使用EUV，仍使用ArF液浸设备，处理时间较长、成本也较高。半导体业界人士称，三星电子曾跳过20纳米，抢攻14纳米，取得成功；台积电也跳过10纳米，直取7纳米，赢得市场先机。如今三星购入EUV设备，将与台积电激烈厮杀。
etnews称，三星打算2019年量产6纳米。台积电拟于2018年量产7纳米，并计划在**代7纳米制程使用EUV机台，目标2019年量产二代7纳米芯片。精实新闻
3.大陆晶圆代工业产能大跃进；
当前大陆晶圆代工产能位居全球第2，2017年市占率将逾15%。 大陆共有51条集成电路生产线，分布于北京、上海、天津、西安、厦门、合肥等多个城市。 未来在中芯国际、华力微电子、台积电、联芯、晶合、万国AOS、德科玛、紫光等持续投入12吋晶圆厂产线，加上德科玛、中芯国际、士兰微、Silex于8吋晶圆厂的产能扩充后，展望大陆晶圆代工产能占全球的比重将快速提升。
就大陆第1大晶圆代工业者中芯国际的发展而论，2017年以来中芯国际不论是总营业收入或是净利润，均持续展现双位数的成长力道，主要是受惠于公司在28奈米业务持续增长，以及中芯国际积极宣示在2017年中将冲刺28奈米制程，并且进一步扩张产能；而且大陆本地及海外顾客在40奈米转型及无线射频的需求持续增加， 加上2017年5月中芯国际新行政总裁赵**上任，有助于平衡公司的研发及生产管理之策略与费用。
不过中芯国际目前的先进制程与国际大厂仍有很大一段的落差，以台湾晶圆双雄来说，台积电2017年第1季16/20奈米制程比重已有31%，且28奈米制程比重高达25%，合计40奈米及其以下制程比重来到69%；联电2017年第1季28奈米及其以下制程比重已有17%，总计40奈米及其以下制程比重达46%。
反观中芯国际尚停留于28奈米制程，尽管公司预期28奈米制程占营收的比重将由2016年第4季的3.5%提升至2017年第4季的10.0%左右，但其多偏向中低阶的28奈米Ploy/SiON技术，高阶28奈米HKMG制程良率尚未如预期，更何况面临联芯28奈米以高良率的表现持续抢食客户订单，使得中芯国际28奈米制程产品被迫继续降价， 造成短期内中芯国际28奈米制程难以获利的窘境。
整体而言，大陆晶圆代工业仍将延续先前成长的格局，主要是受惠于大陆强大的市场购买力与自有品牌不断茁壮，况且大陆官方以政策主导来带动中芯国际、华虹宏力、华力微电子等大陆晶圆代工业者的技术发展，并藉由先进制程、主流成熟制程、成熟制程等多元差异化发展来扩大晶圆代工的经济规模，且12吋、8吋晶圆厂各有其锁定发挥的领域。
不过短期内大陆晶圆代工业仍面临营运上的挑战，除本土业者在先进制程的进程上仍有门坎需克服，且中高阶人才短缺问题尚未解决之外，台积电南京厂预计2017下半年就会安装生产机台，2018年上半年试产、下半年正式投入量产，此将是台积电在大陆的**座12吋晶圆厂，并以16奈米制程导入，届时将抢食大陆本土集成电路设计业的订单， 对于大陆晶圆代工业者亦将产生不小的影响。
（作者为台湾经济研究院产经数据库副研究员）
4.全球半导体设备进入超级景气周期；
“集团现在50%的营收都在中国市场，我们还在加大业务开拓力度，没有哪个装备商愿意放弃中国半导体装备市场。”在近日的“2017第十五届中国半导体封装测试技术与市场年会”上，有外资半导体装备商接受采访时如是表示。
在业内人士看来，乘市场的“东风”，中国发展半导体装备制造业正当时。SEMI（国际半导体产业协会）预测，受晶圆厂建设热潮推动，中国半导体装备投资热潮将在2018年显现，这一细分市场的规模将增至86亿美元，跃居全球**；而全球的半导体装备到2018年将达到540亿美元的出货量，进入超级景气周期。
“我们的生产基地都在深圳，中国内地不少晶圆厂在开建，需要大量配套的后道（封测）解决方案，市场和机遇**。”在年会上，ASM PACIFIC副总裁许志伟告诉记者。
市场数据显示，作为沪港通标的，ASM PACIFIC股价自2016年起持续走高。“2016年以来，公司业绩增长主要受益于LED及LED DISplay（发光二极管显示器）封装需求拉动出货。”许志伟介绍。财务数据显示，ASM PACIFIC去年实现净利润14.4亿港元，同比增长51%；今年一季度实现净利润7.29亿港元，同比增长470%。
全球半导体产业景气度高扬持续拉动半导体装备制造商出货走高。SEMI数据显示，今年5月北美半导体设备制造商出货金额为22.7亿美元，同比增长41.9%，创2001年3月以来的历史新高。
在许志伟看来，半导体装备商将受益于本轮全球、尤其是中国内地晶圆厂大规模投资。SEMI数据显示，在2017年至2020年期间，全球将新增62座晶圆厂，这将带来设备支出的快速增长。SEMI预计，今年全球半导体装备出货量将达到490亿美元，2018年将增至540亿美元。
上述62座晶圆厂中，有26座晶圆厂位于中国市场。自2015年起，中国半导体产业掀起发展新高潮，在建、新建晶圆厂项目投资额近万亿元，其中大���的资金将投向设备购买，比如长晶设备、薄膜生长设备、光刻机、刻蚀机、清洗机等，并将带动后道封测设备如贴片机、测试分水机等的投入。
半导体装备一直是中国集成电路产业发展的瓶颈和短板，在业内人士看来，庞大的市场需求正是国产装备制造业发展的良好契机。“晶圆厂扩张给国产设备发展带来难得的机遇，在这样的情况下，国产设备更易进入晶圆厂、封测厂的验证，具有更大的被采购机会。”有国产设备商解释，由于验证周期长、投资大，晶圆厂和封测厂不会轻易更换设备（包括材料）供应商，如果错过这个机遇，国产设备再想进入就更难了。
在国家扶持和厂商的持续努力下，国产设备行业龙头已经迎来发展拐点。北方华创(23.97 -0.25%,诊股)的28nm单片铜清洗机已进入中芯国际(10.42 -2.07%)生产线，退火设备也进入了中芯国际、华力微。目前，北方华创完成了刻蚀机、氧化炉、清洗机、原子层沉积等多项设备的28nm工艺验证和产业化，其中刻蚀机、单片退火系统、化学气相沉积（CVD）进入14nm工艺验证阶段。此外，中微半导体、安集微电子、沈阳拓荆等企业均获得国家集成电路产业投资基金投资，取得了较快发展。 上海证券报
5.晶圆厂冲量产 10nm芯片将如雨后春笋般涌现；
半导体2017年新一代制程技术将进入量产阶段，且多数针对消费应用设计，尤其是手机芯片。据Electronic Design报导，确定使用10纳米制程生产的芯片包括三星电子(Samsung Electronics)和高通(Qualcomm)的Snapdragon 835、联发科Helio X30处理器和乐金电子(LG Electronics)新一代处理器。
英特尔(Intel)使用14纳米先进制程生产微处理器已有一段时间，执行长Brian Krzanich在2017年消费性电子展(CES)上展示内含英特尔*新10纳米Cannonlake处理器的2-in-1装置。虽然业界对于10纳米的定义仍有争议，但可以确定的是，所有厂商都已开始打造10纳米产品。
此外，许多人也猜测苹果(Apple) iPhone 8(暂称)极可能采用包括A11 Fusion芯片在内的一系列10纳米制程元件，但答案还是得等到iPhone 8发布后才能确认。
市调机构International Business Strategies的资料显示，2017年10纳米芯片市场将达到5亿美元规模，意味相关产品会如雨后春笋般地冒出。至于10纳米怎么能在1年之内营收达到将近市场的10%？主要原因有二，一是几家晶圆代工厂技术同时提升，其次则与晶圆厂的设计有关，厂商尽可能利用先前的制程技术和晶圆制造设备，降低量产的成本和时间。并维持制程间的一贯性，降低作业成本并加快进度。
例如台积电在2016年的开放**平台和技术论坛活动中曾表示，该公司在20到16纳米、16到10纳米以及之后的10到7纳米都维持了90%制程设备通用性。2016年首波制程设计进入风险量产，2017年这些设计以及其它设计将进入量产阶段，预计主要动能将来自高阶行动装置、大数据(Big Data)及资料中心使用的高效能运算需求。
7纳米在微影技术和时程方面都与过去的制程明显不同，三星便表明将于7纳米制程导入极紫外光(EUV)微影技术，台积电和GlobalFoundries则会先以193i扫描仪及多重曝光策略为主。尽管各家的多重曝光方式不完全相同，但目标都是追求大幅减少更改及曝光次数。
2017年还会出现10纳米制程的变异产品，例如三星已经宣布第三代10纳米制程科技(10LPU)，台积电持续对N16做改善，从N16FF+到N12，缩小芯片尺寸满足低功耗需求。
针对行动/远程物联网(IoT)需求的一般传感器、影像传感器、应用处理器等低功耗产品也会持续推出，GlobalFoundries也推出物联网应用的22FDX和12FDX低功耗平台。
10纳米设计的晶圆启动次数和营收将会出现成长，7纳米的早期采用者则将完成测试芯片设计并下单。0.18微米、130纳米、65纳米、45/40纳米和28纳米制程、设计工具和规则也会因物联网应用的推动而持续改进，满足市场所需的复杂及超低功耗设计。DIGITIMES
6.NVMe规格升级 稳步迈向SSD接口标准
相较于3D NAND寻求在2018年达到广泛采用的引爆点，NVMe似乎更被看好在2018年底之前成为SSD的主流接口…
非挥发性存储器(NVM Express；NVMe)规格即将展开近三年来的首度重大更新，朝向成为固态硬碟(SSD)控制器接口的既定标准之路迈进了一大步。
NVM Express Inc.行销委员会联席主席Jonmichael Hands表示，采用PCI Express (PCIe)汇流排的1.3版NVMe SSD增加了自2014年11月发布1.2版以来尚未完善的许多新功能。此次更新展现NVMe的三大核心规格之一；其他还包括NVM Express Management Interface管理接口，以及NVMe-over-Fabrics规格。NVMe-over-Fabrics规格更新要到2018年底才会完成；不过，美光(Micron)*近宣布正致力于**标准推出新产品。
Hands表示，供应商采用新规格并整合于其产品中还需要一段时间。毕竟，支持NVMe 1.2版规格的装置从去年秋天才开始陆续推出。他说，除了需要花时间更新产品功能以外，虽然没有其他影响元件供应商的阻力，但一般也需要两年的时间。
Hands说，NVMe 1.3包含24项技术方案，可针对客户端、企业和云端功能分为三大类。*重要的进展是支持虚拟化，让开发人员能够更灵活地将SSD资源分配给特定的虚拟机。他说：“现在，如果要在虚拟化环境中使用NVM Express装置，虚拟机管理程式(hypervisor)的NVMe驱动器就必须为客户的操作系统(OS)模拟NVMe SSD，”Hands说，“目前的进展不错，但仍存在一些延迟。”
Hands表示，超快速的储存级存储器元件开始变得更具意义，因为将原始装置放在hypervisor之后，可能会大幅减少输入/输出操作(IOP)的次数。而要在虚拟化环境中从每个SSD取得*高性能的技巧在于让它看起来像SSD一样原生附加在每个虚拟机上。NVMe 1.3可利用PCIe的单根I/O虚拟化(SR-IOV)功能，支持储存共享与直接分配。他说，“现在你可以分割并智慧化地分配资源了。”
Hands表示，这为支持云端环境和多租户技术的公司带来了许多价值，但为了获得*大的价值，开发人员必须该将资源分配写入软件定义的储存堆叠。他说，在NVM Express董事会的一些大型客户正在推动这项功能。目前的方法是为每个工作负载使用更多较小的SSD，如此就不会影响其他工作负载的服务品质。
NVMe 1.3版中的‘Streams’功能可以减轻主机托管工作负载的写入放大(WA)现象
Hands表示，1.3版中*令人振奋的功能之一就是‘Directives’，它是主机和装置交换后设数据的新架构，特别适用于全快闪存储器阵列，在每个SSD上支持更好的工作负载*佳化。他说，SSD的容量越来越大，目前的平均容量已经达到了4TB并正快速增加中。在多租户环境中，这意味着在单个SSD上混合著不同的客户工作负载。“因为在同一个硬碟上有着不同的工作负载，不可避免地会损害产品的耐用度，”Hands说。
‘Directives’功能的早期范例是‘Streams’，它让主机向控制器显示，在写入命令中的特定逻辑块是一组关联数据的一部份。控制器可以使用这些资讯，将相关数据储存在有关的位置或用于增强其他性能。Hands说，基本上，‘Streams’可将来自云端托管应用中不同租户的相关数据进行简单的标记，从而为NAND SSD*佳化性能以及提高其耐用性。
透过在云端托管应用中采用不同租户的相关数据的简单标记，Stream功能*佳化NAND的SSD的性能，并提高。
Hands 说，NVMe 1.3版的其他新功能还包括针对SSD的增强型除错工具，迄今为止，这一直是SSD供应商主导的领域；此外，还有更多热量调节的细部控制，不仅针对系统的温度，也包括工作负载。
Hands说，*新的NVMe规格还支持在低资源环境(包括行动装置)执行启动程式，这将可让较低成本的NVMe装置占用空间较小。NVMe 1.3版还为符合标准的SSD擦除提供更广泛适用的操作。
相较于3D NAND寻求在2018年达到广泛采用的引爆点，NVMe似乎更定位于在2018年底之前成为SSD的主流接口。Hands表示，虽然SATA和SAS仍然存在一定的市场，但几乎很少再添加新功能。“这正是NVMe****之处。”
编译：Susan Hong
(参考原文： DoE Supercomputer Does Big Data，by R. Colin Johnson)eettaiwan
公安机关备案号：
