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1.东芝内存出售，传延后一周决定优先对象;

东芝出售旗下「东芝内存」选定出售对象出现延迟，东芝原预定 15 日决定优先交涉对象，但经济产业省主导的「日美联合」阵营的调整出现延迟，东芝将推迟一周左右才做出决定。

朝日新闻报导，东芝打算于 28 日的股东大会上向股东说明。

报导引述相关人士指出，官民基金产业革新机构、日本政策投资银行和美国投资基金 KKR 等组成的日美联合阵营，在筹资上遭遇困难，收购金额未达到东芝要求的超过 2 兆日圆。 因而，正检讨纳入美国创投资金等其他投资基金方案，而协商需要时间。

报导说，亟思快速推动出售手续的东芝原本预定 15 日决定优先交涉对象，参与二次竞标的 4 个阵营当中，出价 2.2 兆日圆规模的美国半导体巨擘博通（Broadcom）被看好能雀屏中选，但经产省和日美联合阵营的动向也不容忽视，东芝将暂时观望交涉进展。中央社

2.SK海力士加入日韩美三国财团 收购东芝芯片业务;

北京时间6月14日上午消息，据日本朝日新闻周三报道，日本政府正组建一个由日韩美三国企业和机构组成的财团，对东芝旗下半导体业务提出收购报价，以反击美国芯片制造商博通（Broadcom）提出的200亿美元报价。

据朝日新闻援引一位匿名消息人士报道，由日本经济产业省组织的这个财团包括日本政策投资银行（DBJ）和日本产业革新机构（INCJ）。该财团提出的报价将超过东芝设定的2万亿日元（180亿美元）底价。

朝日新闻还报道称，INCJ、DBJ和美国私募股权公司贝恩资本（Bain Capital）各自将对一个特殊目的企业投资3000亿日元，以收购东芝存储芯片业务。东芝自己将贡献至多1000亿日元，其他日企将总计投资1400亿日元，而美国投资公司KKR & Co也正考虑投入1000亿日元。

报道指出，韩国SK海力士将为该项目出借3000亿日元，三菱日联金融集团（MUFG）旗下的三菱东京日联银行也将提供4000亿日元。

一位熟悉此事的人士称，SK海力士参与这次收购。另一位消息人士表示，朝日新闻的报道基本属实，但他并未透露详情。

东芝、DBJ、三菱东京日联银行和METI未立即回复置评要求。SK海力士拒绝置评。

3.经产省拟提出新联合体构想收购东芝半导体业务;

14日获悉，围绕处于经营重组期的东芝推进出售手续的半导体子公司“东芝存储器”（东京），日本经济产业省正在讨论新的收购联合体构想，美国基金贝恩资本和半导体巨头韩国SK海力士将加入其中。据悉力争用总额超过2万亿日元（约合人民币1235亿元）实现收购。

与东芝合作开展半导体业务的美国西部数据公司（WD）反对将“东芝存储器”出售给第三方，磋商陷入僵局，因此经产省此举可能还意在提出对抗方案以打破僵局。

此前产业革新机构、日本政策投资银行、美国基金KKR组成的“日美联合体”曾摸索展开收购。根据新构想，除贝恩资本和SK海力士外，还将邀请日企出资。

然而尽管经产省和经济界主导向消费电子巨头及通信巨头征集出资，但现状是并无企业对此态度积极。相关人士称“能否实现并不明朗”。

围绕“东芝存储器”的收购，美国半导体巨头博通也参与其中。

东芝2017年3月底陷入资不抵债，力争通过出售“东芝存储器”重整财务状况。若资不抵债状态持续下去，东芝将面临摘牌退市，因而正加紧促成出售，但相关磋商陷入僵局。

4.东芝芯片业务竞购大战进入白热化 主要厂商抱团参战;

北京时间6月14日晚间消息，路透社今日援引知情人士的消息称，韩国芯片厂商SK海力士（SK Hynix）将加入到日本政府领衔的一个财团，共同竞购东芝芯片业务。

当前，竞购东芝芯片业务已经进入*后的冲刺阶段，而竞购方也都拿出了*后的杀手锏。本周四，东芝将决定将芯片业务出售给哪家竞购方。本月底，东芝将召开股东会议，以做出*终的决定。

知情人士今日称，SK海力士将加入到日本政府支持的产业革新机构（INCJ）领衔的财团，共同竞购东芝芯片业务。目前，该财团成员已包括美国私募股权巨头KKR牵头、日本发展银行（DBJ）和贝恩资本（Bain Capital）。

之前，该财团拟出价1.8万亿日元（约合161亿美元）竞购东芝芯片业务，且得到了日本政府的支持。而《朝日新闻》（Asahi Newspaper）网站今日称，INCJ的报价将超过2万亿日元（约合180亿美元） 。

该报道称， INCJ、DBJ和贝恩资本将分别投资3000亿日元，KKR拟投资1000亿日元，SK海力士将提供3000亿日元的贷款，而三菱东京UFJ银行将投资4000亿日元。

知情人士称，INCJ财团是日本经济产业省（METI）撮合的结果。麦格理集团分析师达米安·宋（Damian Thong）上个月曾表示：“无论INCJ与哪家企业联合竞购，无论报价高低，都可能成为*终的赢家。如果不与INCJ联手，报价再高也不可能成功。”

除了SK海力士，5月底有消息称，西部数据也将加入INCJ和KKR财团。除了INCJ财团，其他竞购方近日也纷纷以“抱团”形式来提高竞争力。

富士康董事长兼CEO郭台铭周一表示，苹果公司、戴尔和金士顿已加入到以富士康领衔的竞购东芝芯片业务的财团。将来，亚马逊、谷歌、微软和思科等科技巨头也可能加入。

在这场竞购大战中，美国芯片厂商博通公司（Broadcom）也处于**地位，给出了2.2万亿日元（约合199亿美元）的*高报价。知情人士称，日本瑞穗金融集团、三井住友金融集团和三菱日联金融集团计划向博通提供大约150亿美元贷款。而银湖资本将通过可转换债形式资助30亿美元。（李明）

5.陆半导体需求有隐忧！ 下半年供给跳增、韩厂不妙？

内存报价水涨船高，三星电子(Samsung Electronics)半导体部门和SK海力士(SK Hynix)上半年大赚一票，但韩媒警告，当前的繁荣景象恐怕只是暂时性的，来自中国的隐忧，恐让南韩半导体业大受打击。

韩国媒体Business Korea 14日报导，UBS Securities 2017年2月就曾出言示警，声称中国IT厂商大举建立库存，是半导体报价去年大涨的主因，下半年DRAM、NAND型闪存恐将严重过剩。

仔细分析中国国家统计局的数据就可发现，在2015年1-8月期间，中国的半导体库存从人民币2,775亿元一路上冲至历史高3,330亿元，随后在2016年1月下滑至2,784亿美元，直到2017年4月才反弹至3,305亿元。 然而，*近中国的半导体库存年增率只有个位数、甚至负成长，远不如2015年的20-50%成长率。 也就是说，目前中国IT企业并未大举建立库存。 业界消息显示，部分陆企今年**季开始减产、零组件订单的缩减幅度也比往年还要高。

不只如此，DRAM、NAND闪存下半年的供应量势将跳增，供需日益失衡。 三星位于平泽市的新厂预定7月投产，SK海力士在利川的M14厂房则已开始扩充产能。 美光也在拉高DRAM、NAND闪存的产量，英特尔则计划在下半年生产NAND型闪存。

先前就有报导直指，三星电子率先量产18纳米DRAM，把同业抛在脑后。 竞争对手美光和SK海力士则不甘示弱，纷纷砸钱要追上三星。

Nikkei Asian Review、BusinessKorea报导，三星是DRAM龙头，制程**对手1~2年，2016年下半首先量产18纳米DRAM，计划今年下半推进至15纳米。 IHS Markit估计，今年底为止，三星打算把18纳米DRAM的生产比重，提高至30%。 业界人士说，三星会以利润优先，不会扩产抢市，打乱价格。

三星一马当先，DRAM第三大厂美光拼命追赶，计划未来两三年砸下20亿美元，研发13纳米DRAM制程。 美光在日本广岛厂增设无尘室设备，并购买了多项高价生产仪器。 进入13nm制程之后，同一片晶圆能分割成更多芯片，生产力将提高20%。 美光已于今年**季量产18纳米DRAM。

与此同时，SK海力士也准备在今年下半量产计算机用的18纳米DRAM，接着再投入行动装置用的18纳米DRAM。 SK海力士会优先提高21nm制程良率，之后转进20nm、再转向18nm。 SK海力士人员透露，该公司正在研发1y DRAM制程，但是还不确定量产时间。