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1.同方国芯拟逾60亿元投资台湾力成和南茂；
证券时报网（www.stcn.com）02月26日讯
同方国芯（002049）2月26日晚间公告，拟通过全资子公司认购力成科技、南茂科技股份，认购总价分别约为38.10亿元及23.41亿元，认购资金将来源于公司2015年非公开发行实施完成后的募集资金。公司股票自2016年2月29日起将继续停牌。
公告显示，交易对方力成科技和南茂科技均为全球集成电路产业后段封测服务领导厂商，是集成电路产业链的重要一环。
其中，力成科技主营集成电路封装测试，包括集成电路与半导体组件的测试服务，集成电路与半导体组件自动测试计算机软件的研发、设计与销售和高频探针卡的设计、制造与销售。 根据2015年2月研究机构Gartner公布的报告，力成科技已成为全球第五大集成电路封装测试厂商。根据台湾半导体产业协会的数据，力成科技已成为台湾第三大集成电路封装测试厂商，其封装业务收入占台湾封装产业总产值的9.5%，其测试业务收入占台湾测试产业产值的7.3%。
南茂科技主要为IC设计公司、整合组件制造公司及IC晶圆厂提供存储IC、LCD 驱动IC及逻辑混合讯号产品的封装测试服务，上述产品主要应用于计算机、消费性电子产品的储存设备及显示器的终端应用产品。依据工研院IEK 统计资料显示，2014年台湾IC封测产值为4,539亿元新台币，南茂科技2014 年合并营业收入约为220.1亿元新台币，约占台湾产值4.85%。
同方国芯表示，本次战略投资通过以资本为纽带的方式，进一步提升了公司的产业链整合能力，为公司完善集成电路产业链创造了有力的条件，进一步提升公司行业竞争力。随着公司在集成电路领域产业布局的优化，公司将形成控股公司、参股公司协同发展的业务架构，提升公司整体解决方案的部署和一揽子项目部署能力，增强公司综合竞争力；形成产业价值链多层次战略合作关系，推动公司长期战略的实施。
公司曾于2015年11月5日晚公告，拟以27.04元/股，向实际控制人清华控股旗下九名对象发行29.59亿股，募资金额800亿元，投向集成电路业务。其中600亿元拟投入存储芯片工厂，37.9亿元拟收购台湾力成25%股权，162亿元拟投入对芯片产业链上下游的公司的收购。
2.TCL与紫光成立基金筹集100亿 李东生想买什么；
■本报记者 卢晓 北京报道
TCL集团（000100.SZ）的产业链并购开始加速。
2月23日，TCL集团宣布，将与紫光集团共同成立一只目标规模为100亿元人民币的产业并购基金。而成立这只基金的目的，在于围绕两家公司的产业链进行垂直整合。
TCL集团董事长兼CEO李东生对《华夏时报》记者表示，产业并购基金除了输出资本，还要输出经营管理能力，“整合并购标的公司，使协同效应*大化，使标的公司成为TCL和紫光的产业生态的一部分。”
怎么筹钱交给紫光
100亿元人民币的目标规模，带给这只并购基金的压力并不算小。
TCL集团于2月22日下午发布的公告显示，目前该并购基金已经落实了18.02 亿元。
其中，TCL的全资子公司新疆TCL股权投资有限公司（以下简称TCL创投）拟与紫光集团之全资子公司西藏紫光清彩投资有限公司（以下简称紫光清彩）各认缴出资9亿元人民币。
此外，西藏东伟基金管理中心（以下简称东伟管理）出资人民币 200 万元。
其余超过80亿元人民币规模的筹资，则由东伟管理向外部投资人募集。
公告显示，成立仅1个月的东伟管理中，紫光清彩出资比例高达48%，位列**。TCL创投的出资比例仅为10%。而负责基金日常管理的TCL集团副总裁、TCL创投总裁袁冰等3名自然人，则占据40%的出资比例。
李东生也对记者表示，怎么筹这个钱，就交给紫光集团董事长赵伟国。
而对TCL来说，100亿元人民币的并购基金规模也意味着，这与其此前的创投业务有所不同。
李东生对记者表示，TCL的创投基金和产业并购基金是两类不同性质的基金，双方不在一个数量级，业务性质也不同。
他对记者说：“产业并购基金投资量很大，标的公司参与度比较深，当然我们期待这种投资的回报也是比较大。而我们的创投基金规模一般是几个亿，它投的项目比较小，都是一些**创业型的公司。”
据记者了解，TCL创投起源于原TCL集团战略发展部，2009年独立注册。在TCL集团2014年初的产业结构调整后，“7+3+1”结构中的“1”便是创投及投资业务。
2014年年报显示，截至2014年底，TCL创投基金管理总规模为15.27亿元。报告期内，完成项目投资19个，投资金额约为2.28亿元，实现退出收益1682.5万元。
已经在物色标的
这只产业并购基金的目的，是围绕双方的产业链进行垂直整合。
事实上，TCL集团与紫光集团此前早在资本和产业链上有密切合作。
2015年2月，紫光集团旗下的紫光通信以10亿元参与TCL集团定增，成为其第三大股东。此外，据记者了解，紫光目前还是TCL通讯的第三大芯片供应商。
而这只百亿元规模的并购基金，显然意在将两家的协同合作扩展到各自的全产业链。
李东生也对记者说：“参与度比较深，就意味着我们会花更多的努力，让更多的标的公司和双方的产业能够产生*大的协同效应。”
而更多的产业链协同则意味着，除了输出资本外，“还会把我们两家企业的一些优势和能力输入到并购标的里面去。因为我们首先选择的并购标的，和我们战略发展方向、业务、产业链相关。”李东生说。
联系TCL集团此前发布的2015财年业绩预报，两家企业选择合作的时机显得有些微妙。
预报显示，TCL集团2015年净利润预计盈利在31.2亿元-34.2亿元人民币之间，比2014年同期下降19%-26%。而归属于上市公司股东的净利润，则比2014年同期预期下降17%-23%。
但李东生否认TCL集团是因为主业遭遇天花板才来做产业并购基金。
尽管他坦言今年是历年来企业家信心指数*低的一年，但他强调，成立产业并购基金，并不是抱团取暖，而是在这一轮产业结构调整中寻求更多的机会。
目前这只并购基金已经在物色标的之中。
李东生透露，之前TCL和紫光已对投资并购标的项目进行筛选，相信很快会有项目落地。
“半导体产业、半导体芯片、半导体设备都是全球的产业链，所以我们基金并购的范围包括但不限于中国，包括全球。”他对记者说。
赵伟国也对记者表示，产业并购基金将主要围绕半导体和电子产业上下游的核心环节，在半导体芯片、半导体显示、工业智能制造、互联网+等领域进行全球范围的产业投资和并购整合。
频频掀起海外并购的紫光，显然对全球并购已十分熟悉。而对TCL来说，全球并购也并不陌生。
早在2004年，TCL就收购了法国的汤姆逊彩电业务，以及阿尔卡特的手机业务。而在近两年，除了TCL多媒体在2014年收购了三洋在墨西哥的彩电工厂外，TCL通讯还在2015年1月，宣布收购老牌的国际手机品牌Palm。
新一轮的并购攻势很快即将展开，谁会是TCL和紫光的**个目标？华夏时报
3.深圳将添芯片研究院和精准医疗研究院两大**载体；
由国际华人科技工商协会带来的国外**专家团队将在深圳创建两大**载体——芯片研究院和精准医疗研究院，2月25日，深圳市委常委、常务副市长张虎会见了国际华人科技工商协会主席李大西一行时表示，深圳市委市政府将对两大**载体的落地给予全力支持。
据悉，这两大**载体可为深圳带来世界**人才。芯片研究院的领头人马佐平为美国耶鲁大学教授、美国工程院院士，是世界半导体权威人物；精准医疗研究院的领头人周蓬勃为美国康奈尔大学医学院教授，是世界基因修复研究领域的**权威。两大研究院一旦落户，可以把深圳打造成芯片研发和基因修复方面的国际**中心，并带动上下游产业链加速向深圳聚集。
张虎表示，深圳正在建设国家自主**示范区，力争成为现代化国际化**型城市。目前，深圳正加快科技**，制定相关政策措施，加大对国际化**人才的吸引力度，鼓励并培育更多**载体，支持企业自主研发，提升核心竞争力。他说，两大**载体符合深圳产业政策，市委市政府将予以支持，相关部门积极对接，协调解决有关问题，推进项目尽快落户。（记者 吴德群）深圳特区报
4.SD卡协会发布影像速度等级的SD规格，支持4K和8K高像素影片；
SD卡协会释出SD记忆卡新规格，影片速度等级（Video Speed Class）的SD 5.0规格，支援4K、8K、3D和360度全景影片，且*高支援SD卡每秒写入90MB。
存储卡业界标准制定委员会SD卡协会（SD Association，SDA）于2月25日发布影片速度等级（Video Speed Class）的SD 5.0规格，可以同时记录和存取多种超高画质的影片格式，而新SD卡规格支援4K、8K、3D和360度全景影片，且让SD卡*快能在每秒写入90MB的资料，还能够优化采用NAND���闪记忆体架构的SD卡。
Video Speed Class也和UHS Speed Class规格一样有等级规范，以保证每个等级的*小效能表现，新规格的等级包含V6、V10、V30、V60和V90，其中V6代表SD卡写入速度为每秒6MB，V10则是每秒写入10MB、V30就是每秒写入30MB，以此类推。
其中V60和V90支援8K超高画质，而V6、V10和V30则支援4K画质，而SD卡制造商将会在记忆卡上压上新规格的等级规范标志（如V60、V90），SD卡协会表示，这些标志将会出现在SDHC、SDXC UHS-I和UHS-II的SD记忆卡上。
SD卡协会主席Brian Kumagai 表示，Video Speed Class规格让SD装置和记忆卡制造商可以提供消费者和专业人士记录高品质影像，且新产品也可以利用新SD卡规格的性能，来提升SDHC和SDXC记忆卡的储存容量。ithome
5.中芯国际：与“大象”共舞 差异化突围；
本报记者 王 春
■“弯道超车”的**动力
几乎每位走进中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称“中芯国际”）办公楼的访客，都会被一面玻璃幕墙所吸引。这是一面“**墙”，挂满了公司自成立以来获得的重要**证书。每份证书上详细列着授权**的名称、发明人、授权日、授权号。
这面**墙见证了中国集成电路产业的发展及历史轨迹。
刚起步时，中芯国际生产的产品被国内厂商认为“10年也用不上”。如今，这个预言早已被打破，中芯国际生产的芯片，随着智能手机、消费电子产品飞入寻常百姓家。在短短15年内，中芯国际迅速发展壮大，员工达到1万多名，拥有上海、北京、天津、深圳四座生产基地。作为******、技术*先进的半导体制造企业，将6个节点工艺引入中国：0.18um、0.13um、90纳米、65纳米、40纳米、28纳米……与****企业间的技术差距从过去的6代缩短为 1.5—2代。
中芯国际的发展历经波折，折射了国内的半导体产业的缩影。
低谷时，中芯国际产能利用率仅有60%，销售额连年下挫，毛利率仅有15%左右。
2011年，CEO邱慈云博士从危机中接手中芯国际，着力提高产能利用率，同时力推产品的差异化，在成熟制程上加大力度研发多样性的产品。这一市场策略的实施使得中芯国际士气重振，重新获得了客户和投资人的信任，一举走出低谷，截止到去年第四季度，财报显示，它已经连续十五个季度盈利，销售额等经营指标屡**高。
但另一方面，半导体制造行业“**把交椅”台积电每年资本投入高达200多亿美元，在研发上的投入就有20亿美元，相当于中芯国际一年的销售额。体量不大的中芯国际如何在国际舞台上与台积电等“大象”共舞？
“我们在业界相对还比较弱小”，邱慈云坦言，中国集成电路产业还面临欧、美、日等国家和地区的技术封锁。“我们的策略，是与国际巨头实现差异化和多样化，而非直接对抗。”邱慈云说。
差异化竞争、先进工艺与成熟工艺两条腿并进的策略，使得中芯国际在动荡的经济格局以及全球半导体产业趋缓的形势下，渐行渐稳。去年的第三、第四季度同行的业绩都呈负增长态势，然而中芯国际却异军突起，逆势增长。
“我们既要尽自己之力追赶先进工艺，在强者之林站稳脚跟，但也不要在盲目追赶中迷失了自己发展的节奏，对于成熟工艺也要深耕细作，开拓疆土，把握发展的机会。”邱慈云显得低调而温和。借助国内**转型的发展，物联网和云计算，中芯国际着力布局具有更低功耗和更低成本的微处理器、嵌入式非易失性存储器、微机电系统、模拟/射频等行业特殊性需求的芯片。
有些企业只注重**先进工艺，或者只做低端成熟工艺。中芯国际则是根据客户需求，先进工艺与成熟工艺“两手抓，两手都要硬”，寻找盈利点与技术路线的平衡点。目前，中芯国际已经拥有了许多国内甚至全球范围内**的差异化产品，比如可应用于银行芯片卡的55nm eFlash，国内**家可为客户代工生产的38nm Nand，独立研发的8M BSI CSI，打破了国外企业对这一技术的垄断。
而在先进工艺这一块，中芯国际是国内**家提供28纳米工艺制程服务的纯晶圆代工企业。去年中芯国际28纳米工艺制程的高通骁龙410处理器已经成功搭载在主流智能手机上，实现了先进手机核心芯片中国制造零的突破，而在前不久，中芯国际再度宣布它的28纳米高介电常数金属闸极（HKMG）制程已成功流片；去年6月，中芯国际与全球**的微电子研究中心IMEC、全球*大的无晶圆半导体厂商之一高通、全球**的信息和通信解决方案供应商华为成立了国内*先进的研发平台，致力于开发14纳米及以下量产技术。目前，中芯国际14 纳米FinFET**拥有数量已居全球前十以内，在中国处于**地位。
15年过去了，中芯国际起承转合背后，科技**的脚步如影随形。“中芯国际不会在先进技术上缺席。”邱慈云说。科技日报
6.5纳米制程技术挑战重重 成本之高超乎想象
莫大康
半导体业自28纳米进步到22/20纳米，受193i光刻机所限，必须采用两次图形曝光技术（DP）。再进一步发展至16/14纳米时，大多采用finFET技术。如今finFET技术也一代一代升级，加上193i的光学技术延伸，采用SADP、SAQP等，所以未来到10纳米甚至 7纳米时，基本上可以使用同样的设备，似乎己无悬念，只是芯片的制造成本会迅速增加。然而到5纳米时肯定是个坎，因为如果EUV不能准备好，就要被迫采用五次图形曝光技术（FP），这已引起全球业界的关注。
而对于更先进5纳米生产线来说，至今业界尚无关于它的投资估计。但是根据16/14 纳米的经验，以每1000硅片需要1.5亿至1.6亿美元计，推测未来的5纳米制程，因为可能要用到EUV光刻，每台设备需约1亿美元，因此它的投资肯定会大大超过之前。所以未来建设一条芯片生产线需要100亿美元是完全有可能的。
生产线的量产是个系统工程，需要材料、设备、晶体管结构、EDA工具等与之配套，对于半导体业是个更大的挑战。
新的晶体管型式，加上掩膜、图形、材料、工艺控制及互连等一系列问题，将导致未来半导体业将面临许多的困难。
在近期的会议上，Intel发布的一份报告引起了业界关注，并进一步推动业界开始思考未来先进工艺制程的发展方向。
Intel公司提出的下一代晶体管结构是纳米线FET，这是一种晶体管的一面让栅包围的finFET。Intel的纳米线FET有时被称为环栅FET，并己被国际工艺路线图ITRS定义为可实现5纳米的工艺技术。
如果Intel不是走在前列，也就不可能提供其5纳米进展的讯息。该报告似乎传递出一个信号，5纳米可能有希望实现，或者已经在其工艺路线图中采用了新的晶体管结构。
在5纳米的竞争中，台积电也不甘落后，其共同执行长Mark Liu近期也表示，己经开始对5纳米的研发，并有望在7纳米之后两年推出。全球其他先进制程制造商也都在关注5纳米。
不用怀疑，芯片制造商只看到采用如今的finFET技术有可能延伸至7纳米，至于5纳米尚不清楚，或者有可能*终并不能实现。实际上，在5纳米时，的确有许多技术上的挑战，导致成本之高，让人们无法预计。
但是如果假设5纳米出现在某个时刻，那么产业界将面临众多的难题。应用材料公司先进图形技术部副总裁Mehdi Vaez-ravani认为，这其中每一项都是挑战，有物理和灵敏度的要求，也有新材料方面的需求，其中晶体管的结构必须改变。
如果产业真的迈向5纳米，将面临什么样的挑战？美国半导体工程（Semiconductor Engineering）为了推动进步，从众多挑战中汇总了以下几个方面。
Lam Research全球产品部**技术官泮阳（Yang Pan）认为，在通向5纳米时，功能与成本是无法躲避的*大挑战，所以要引入新的技术与材料。
晶体管结构
在finFET或者纳米线FET之间选择谁会胜利还为时尚早，业界正试图寻求更多的解决方案。
首先芯片制造商必须要做一些困难的决定，其中之一就是必须选择在5纳米时晶体管的结构，如今有两种可供选择，finFET或者纳米线FET。
格罗方德先进器件架构总监及院士Srinivasa Banna认为，对于5纳米，finFET是一种选择。显然其从产业角度希望尽可能延伸finFET技术。众所周知，产业界为了finFET的生态链己经投了许多钱，因此从投资回报率角度上，希望finFET技术能用得更久。
然而缩小finFET技术至5纳米是个挑战，因为在5纳米finFET时，预计鳍的宽度是5纳米，而实际上这种结构己经达到理论极限。
Banna说，这也是芯片制造商正在开发纳米线FET的原因。纳米线有很好的静电优势（CMOS有静电击穿问题），但是也带来许多问题，如纳米线的器件宽度及器件能有多大的驱动电流，这些业界都在摸索之中。
三星先进逻辑实验室**副总裁Rodder认为，直到今天，对于5纳米来说，在finFET或者纳米线FET之间选择谁会是胜利者还为时尚早，因为业界正试图寻求更多的解决方案。
掩膜制造
掩膜的类型将由光刻工艺是采用光学光刻还是EUV来决定。掩膜的写入时间是*大的挑战。
在芯片制造工艺流程中，掩膜制造是首步工艺之一。过去是光刻技术来决定掩膜的型式及规格。而到5纳米时，掩膜的类型将由光刻工艺是采用光学光刻还是EUV来决定。
做 5纳米的光学掩膜是令人害怕的，同样EUV的掩膜也十分困难。D2S**执行官Aki Fujimura认为，EUV掩膜在很多方面与193i掩膜不一样。因为它有很大的改变，对于每个产品的特性或者功能，在供应链中会产生很大影响，其中包括光刻胶、掩膜及中间掩膜，也涉及制造设备，如采用电子束写入设备以及软件。
尽管EUV掩膜在有些方面已取得进展，但是还远远不够，其中空白掩膜的检查是个难点。至今EUV掩膜及中间掩膜的相关问题仍有待解决。
在5纳米时，掩膜的写入时间是*大的挑战。因为今天的单电子束写入设备在做复杂图形时的出货不够快，费时太久。
目前有两个公司在致力于解决掩膜写入问题，一个是IMS/JEOL duo，另一个是Nuflare，它们正采用新型的多束电子束写入技术，目标都是为了缩短写入时间，有望在2016年发货。
从己经出炉的报告来看，由于技术原因，设备的研发用了比预期长得多的时间。D2S的Fujimura说，任何突破性的**技术从研发到成功，再达到量产水平，都是如此。
图形
真正的关键层（critical layers）才需要采用EUV，未来combined混合模式光刻是趋势。
掩膜完成之后，将在生产线中使用。掩膜放在光刻机中，然后通过掩膜的投影光线把图形留在硅片的光刻胶上面。
理论上看，EUV的光刻工艺相对简单，可以节省成本。但是即便EUV在7纳米或者5纳米时准备好，从芯片制造商角度尚离不开多次图形曝光技术。因为真正的关键层（critical layers）才需要采用EUV，所以未来combined混合模式光刻是趋势。
在5纳米时，图形的形成是很大的挑战。为此芯片制造商希望EUV光刻能在7纳米或者5纳米时准备好。然而目前EUV光刻机尚未真正达到量产水平，其光源功率、光刻胶以及掩膜的供应链尚未完善。
如果EUV光刻在7纳米或者5纳米时不能达到量产要求，芯片制造商会面临窘境。尽管193i光刻有可能延伸至7纳米及以下，但是芯片制造成本的上升可能让人无法接受。
在5纳米时，采用EUV肯定比193i方法便宜，但是由于EUV光刻供应链大的改变，必须在整个工艺制造中新建供应链，其代价也高得惊人，全球只有极少数公司能承受。
Mentor Graphics经理David Abercrombie认为，在5纳米时，芯片制造商可能会采用不协调的混合策略，EUV的到来并不表示多次图形曝光技术的结束。在5纳米时，即便EUV 己准备好，也非常有可能根据线宽的不同要求采用混用模式，即分别有193i单次及多次图形曝光，单次EUV及EUV也很有可能要采用多次图形曝光技术。
这一切都由不同的工艺尺寸来决定，对于那些简单、大尺寸的光刻层会采用193i单次图形曝光。相信至少两次图形曝光193i 2LE比单次EUV光刻要省钱，在三次图形曝光技术193i 3LE中对于有些层非常可能会更省钱，自对准的两次图形曝光（SADP）也比单次EUV光刻便宜。只有到4LE 或者5LE时，EUV才有优势。所以对应于不同尺寸的光刻层要采用相应的方法，EUV光刻有可能作为自对准的四次图形曝光技术（SAQP）的替代品。
当EUV延伸至7纳米以下时，作为一种提高光刻机放大倍率的方法，需要大数值孔径的镜头（NA），为此ASML已经开发了一种变形镜头。它的两轴EUV镜头在扫描模式下能支持8倍放大，而在其他模式下也有4倍，因此NA要达0.5至0.6。
由此带来的问题是EUV光刻机的吞吐量矛盾，它的曝光硅片仅为全场尺寸的一半，与今天EUV光刻机能进行全场尺寸的曝光不一样。
Mentor 的Abercrombie说，问题摆在眼前，假设EUV错失5纳米机会，或者技术*终失败，要如何完成5纳米？业界只能综**用更严格的设计规则及更复杂的多次图形曝光技术。非常可能是五次图形曝光技术5LE、把多次图形曝光技术的线宽再次分半的自对准的四次图形光刻技术（SAQP），因此工艺之中会有更多的图形需要采用多次图形曝光技术，无疑将导致成本及工艺循环周期的增加。
晶体管材料
到5纳米时，需要一个更有潜力的晶体管形式，包括能使电子或者空穴迁移率更快的新沟道材料等。
另一个因素是晶体管的形成。目前芯片制造商在16nm/14nm包括10nm时都采用finFET结构，但是也到了转折阶段。
纳米线FET的晶体管结构的许多工艺步骤与finFET一样。在纳米线FET中，纳米线从源穿过栅层一直到漏。开初的纳米线FET可能由三个堆叠线组成。
Lam的泮认为，到5纳米时，需要一个更有潜力的晶体管形式，包括能使电子或者空穴迁移率更快的新沟道材料等。为了降低器件的功耗及提高它的频率而采用的新技术，必须能减少接触电阻及寄生电容。
以 Intel提出的纳米线FET为例。在实验室中，他们试验了相比硅材料更优的多种不同的沟道材料。如为了增大驱动电流，采用锗的沟道材料，用在NMOS及 PMOS晶体管中都是不错的。同样为了减少电容及降低功耗，可以把锗材料用在PMOS中，以及把III-V族材料用在NMOS中。
互连
每个工艺节点上的问题都在不断升级，业界正在开发不同的材料来解决互连问题。
互连的问题是什么？应用材料公司的策略计划部**总监Micheal Chudzik说，III-V族、富锗及纯锗都有禁带宽度的问题，如漏电流变大。锗与III-V族材料在栅堆结构中有可靠性问题，至今未解决。
晶体管制成后，下面是后道工艺，引线互连是器件所必须的。由于采用通孔技术，器件的引线之间非常靠近，会由于电阻电容的RC振荡而导致芯片的延迟。
每个工艺节点上的问题都在不断升级，业界正在开发不同的材料来解决互连问题，但是当在7纳米及以下时，目前尚无更好的解决办法。
IMEC工艺技术和逻辑器件研发部副总裁Aaron Thean说，未来*大的改变是在后道工艺中也需要采用多次图形曝光技术，因此后道的成本将像火箭一样上升。这表明，在推动下一代工艺节点时，成本变成每个人必须面对的问题。
除非在后道工艺中有大的突破，否则在5纳米时问题将越来越复杂。越来越多的层级需要采用多次图形曝光技术，原先认为相对简单的后道工艺也很难应对。
工艺控制
产业界开始采用多朿电子束检查设备，但是此项技术可能到2020年时也准备不好。
芯片制造工艺流程中有许多工艺检查点，未来会不会是挑战？光学检验在生产线中仍是主力军，但是在20纳米及以下时，缺陷检测开始有困难。使用电子束技术能检测微小缺陷，然而受目前的技术限制，速度太慢。为了解决这些问题，产业界开始采用多朿电子束检查设备，但是此项技术可能到2020年时也准备不好。
那么7纳米与5纳米的解决方案在哪里？Vaez-Iravani说，实际上未来生产线中光学与电子束两种检查设备都必须准备好。
工艺检测也是需要面对的问题。在一条生产线中检测点有许许多多，也不可能由一种设备全部解决，芯片制造商必须使用多种不同的检测设备。KLA-Tencor 图形市场部副总裁Ady Levy说，当IC设计由一个工艺节点向下一个迈进时，计量检测设备同样面临挑战。不管是光学或是电子束设备，都必须考虑它的信号与噪声比、测量精度、使用是否方便，以及在量产中是否有它的价值与地位。
Lam的泮说，还有挑战在等着我们。由于表面的散射效应、高线和通孔及更大的变异等，将推动业界采用低电阻率金属层，同时开发工艺解决方案要求更严的工艺控制。采用下一代光刻EUV或者延伸多次图形曝光技术等，以及下一代器件实现经济性的量产，都需要有更严的工艺控制，以实现可接受的成品率，当然还包括面对成本的挑战。
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