今日，国研院推出“积层型3D-IC”技术，可使讯号传输速度提升数百倍，耗能却只需一半。
负责开发新技术的国研院国家奈米元件实验研究员谢嘉民表示，应用在手机等手持式装置的晶片，可透过IC的堆叠达到提高传输速度并降低耗能目标，现有制造IC的主流“矽穿孔3D积体线路技术”，加热制作**层IC时，可能损坏已制作好的**层IC；而新技术透过雷射仅局部加热**层IC，且不损及**层IC前提下，再加上国研院花费10年、投入超过5亿元，新研发出“奈米级超薄高品质矽薄膜技术”，让IC的堆叠厚度大幅缩小为现有技术的1/150，大幅提升讯号传输速度并减低耗能，讯号传输速度提升数百倍，耗能却只要现有技术一半。
国研院方面预计在今年便可运用在显示器上，或应用于Google Glasses等穿戴式产品，未来将陆续与国内记忆体、面板及晶圆代工产业合作，估计技转金约需上亿元，是国研院截至目前为止的*高技转金额。
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