德州仪器(TI)宣布推出新款600V氮化镓(GaN)70 mÙ场效应电晶体(FET)功率级工程样本--LMG3410，进而使该公司成为**能够供应高压驱动器整合的GaN解决方案的半导体厂商。与基于矽材料FET的解决方案相比，新产品与该公司的类比和数位电力转换控制器组合在一起，能让设计人员开发出尺寸更小、效率及效能皆更高的设计。
该产品借助其整合式驱动器和零反向恢复电流等特性提供可靠的效能，特别是在硬开关(Hard-switching)应用中更是如此，并能够地降低高达80%的开关损耗。与独立的GaN FET不同，该产品针对温度、电流和欠压闭锁(UVLO)的故障保护整合了内建智能机制。
同时，该产品为首款整合由该公司生产的GaN FET的半导体积体电路(IC)。基于多年在制造和制程技术领域上的专业，该公司在其矽技术相容的工厂内创造出GaN装置，并且透过层层测试，使这些装置的品质超过了典型电子装置工业委员会(JEDEC)标准的要求，以确保GaN在要求严格使用情况下的可靠性和稳健耐用性。易于使用的封装将有助于增加功率因数控制器(PFC) AC/DC转换器、高压DC汇流排转换器和光伏(PV)逆变器等应用中GaN电源设计的部署和采用。
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