1.台积电3nm厂确认落脚南科,张忠谋:2nm后很难;2.摩根大通：芯片制造热潮将导致应用材料价格上涨;3.格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术;4.格芯CEO：FD-SOI是中国需要的技术

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1.台积电3nm厂确认落脚南科,张忠谋:2nm后很难;

集微网消息，根据台积电的公告表示，经过公司内部的评估，3 纳米建厂将再继续落脚台湾，并选择台南作为建厂地点。而这次的公布，较早先台积电所说，将在2018 年决定建厂地点的时间有所提早。

台湾积体电路制造股份有限公司今29日表示，经审慎评估后，本公司拟投资兴建的三纳米先进制程新厂，将择定于南部科学工业园区台南园区，以持续充分发挥本公司在该园区既有的完整聚落与供应链优势。台积公司并对于政府明确承诺解决包含土地、用水、供电、环保等相关议题表示肯定与感谢。

根据业界人士指出，台积电决定3 纳米留在台湾，事先已经透露出迹象。包括之前多家全球的半导体设备及材料厂商，包括材料大厂默克将宣布在南科高雄路竹基地设立 「亚洲区IC 材料应用研发中心」。全球半导体蚀刻设备拥有 50% 市占率、薄膜设备 40% 市占率的科林研发，则**将组装线移往海外，落脚台湾。还有，先进半导体污染控制设备商英特格也在台湾举办相关产品的发表活动。这些状况，其实都是为了抢食台积电先进制程订单而来。

台积电3nm新厂估计于2022年开始量产，虽然未对外宣布相关投资额，但外界估计将达160亿美元。

目前台积电的12寸晶圆十四厂、八寸晶圆六厂，以及先进封测二厂都坐落台南，其他据点包括新竹、桃园、台中等地，并前往南京设厂。 台南现阶段是台积电20nm与16nm制程的生产重镇，未来5nm与3nm制程预期也会加入。

台积电指出，对于政府明确承诺解决包含土地、用水、供电、环保等相关议题，表示肯定与感谢。 外界预期，除了土地、水、电等基础建设问题，后续台积电3nm新厂进行环评，政府也会协助排除不必要的投资障碍。

台积电原规划*迟于明年上半年决定3nm新厂地址，虽然先前一度传出不排除前往美国设厂，但*后仍选择落脚台湾的南科台南园区，该公司主要是希望持续充分发挥在该园区既有的完整聚落与供应链优势。

对于台积电来说，该公司在后续的先进制程布局**竞争对手，10nm制程已经量产，7nm制程试产后，预计明年可量产挹注营收，另外，7nm强化版配置极紫外光（EUV）解决方案，也规划于2019年下半年量产。 后续5nm制程规划于2020年量产，接下来3nm制程则将于2022年量产，整体五年内的技术进程蓝图已可见。

台积电董事长张忠谋之前曾表示，摩尔定律可能还可再延续10年，3nm制程应该会出来，2nm则有不确定性，2nm之后就很难了。

张忠谋表示，台积电明年将生产7nm制程，5nm已研发差不多，一定会出来，3nm也已经做2至3年，看来也是会出来。

张忠谋指出，先进制程设计很贵，设计后做成芯片，市场会很小的确是个疑虑，他认为，尽管不保证市场会很大，但还是会有市场。

张忠谋解释，他预测摩尔定律可能再有10年，是包含了3nm制程，2nm做的成还是做不成，还要几年才会知道，有不确定性，2nm之后很难了。

2.摩根大通：芯片制造热潮将导致应用材料价格上涨;

腾讯科技讯 据国外媒体报道，摩根大通刚刚发布了一份*新报告，报告称未来几年，由于主流技术的持续发展和芯片制造热潮，应用材料的价格将会持续上涨。

摩根大通重新对半导体设备制造商的股票投资给予“增持”的评级，并且预估应用材料公司明年的收益将会超过华尔街的预期。

“我们相信未来几年由于更广泛的产品组合与需求，半导体制造和记忆存储媒介等产品市场会快速增长。同时未来的两到三年里，显示屏制造领域也会呈现快速增长的态势。”分析师Harlan Sur在一份报告中指出。（编译/音希）

3.格芯推出面向下一代移动和5G应用的8SW RF-SOI技术;

集微网消息，格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内**基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯*先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块（FEM）带来显著的性能、集成和面积优势。

格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器（LNA）和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电压处理能力，并实现同类*佳的开启电阻（Ron）和关闭电容（Coff），从而通过高隔离减少插入损耗，同时借助全铜互连提升功耗处理能力。

“Skyworks继续借助我们**的专业系统知识，为全球客户提供高度定制的解决方案。” Skyworks先进移动解决方案副总裁兼总经理Joel King 表示，“通过与格芯合作，Skyworks能够尽早使用同类*佳的开关和低噪声放大器技术，从而进一步为下一代移动设备和不断发展的物联网应用推动射频前端技术的发展。”

“我们现在生活在一个智能互联的时代，人们希望并且需要通过无缝、可靠的方式实现随时随地的数据连通。” 格芯射频业务部门**副总裁Bami Bastani表示，“不过要实现这个目标的难度越来越大，因为前端设备必须能够处理越来越多的频段和射频信号类型，并具备集成数字处理和控制功能。作为射频行业的领军者，我们专门开发了新型8SW工艺，以满足客户*迫切的需求。”

基于300毫米RF-SOI的技术可以为设计人员提供一个成本优化的平台， 实现性能、集成和功耗的*佳组合方案，并拥有强大的数字集成能力。格芯的8SW技术采用了专门的衬底优化方案，能够*大限度增加无源器件的品质因数，减少有源电路的寄生电容，并*小化在千兆频段以下运行的器件相位差异和电压摆幅。该技术可以使优化后的低噪声放大器达到**的噪声属性以及高特征频率与*高振荡频率，从而帮助目前采用4G频率以及未来采用6GHz以下频率的5G前端模块实现多样的接收和主天线路径低噪声放大器应用。

先进的8SW技术产品在位于纽约州东菲什基尔的300毫米晶圆厂生产线生产，其产能可以较低的成本满足业界预期的市场需求。工艺设计工具包现已发布。

4.格芯CEO：FD-SOI是中国需要的技术

集微网消息，5G时代将对半导体的移动性与对物联网时代的适应性有着越来越高的要求。此时，FD-SOI与RF-SOI技术的优势日渐凸显，人们对SOI技术的关注也与日俱增。

9月26日，第五届上海FD-SOI论坛成功举办。格芯CEO 桑杰·贾（Sanjay Jha）亲临现场，发表主题为「以SOI技术制胜（Winning with SOI）」的演讲，阐述了格芯如何利用FDX®平台推进SOI技术的发展，介绍公司*新技术成果的同时也总结了SOI技术的现状，并畅想了产业的未来。

关于FD-SOI技术，目前业界普遍的疑问在于是否有足够的市场、是否能够建立一个生态系统、技术本身的特点、以及5G时代的市场增长点在哪里。桑杰的演讲一一回答了这些问题，坚定了行业对FD-SOI技术的信心。

中国市场对于FD-SOI技术而言潜力巨大，格芯对此十分重视。目前正在与格芯进行22FDX®技术的35个客户中，有10家来自中国。2017年2月，格芯十二英寸晶圆厂在成都正式动工。9月，晶圆厂刚刚举行了上梁仪式。晶圆厂的建造速度与未来产量都令人惊叹，明年上半年即可完工。2017年5月，格芯与成都市正式签署了《FD-SOI产业生态圈行动计划》，格芯将与成都市合作，双方共同在成都建立多个专注于IP开发、集成电路设计的中心，并孵化成都本地的无晶圆厂企业，帮助他们雇佣超过500位工程师，以支持半导体和系统公司开发基于22FDX的面向移动、互联、5G、物联网和汽车市场的产品。

关于需要FD-SOI技术的行业，桑杰认为主要集中在：移动；物联网，包括NB-IoT、GPS、NFC；射频、毫米波应用，包括5G、LTE和WiFi；以及汽车电子，包括微控制器、雷达及ADAS系统等。就格芯22FDX平台而言，能够迎合5G时代的需**其目标。格芯22FDX技术具备在22GHz层面上的集成功能，包括ADAS雷达等技术系统，都能够兼容汽车应用。这一切都预示着格芯FDX技术广泛的应用领域，不仅体现了市场对FD-SOI技术的需求，也能够推动FD-SOI技术自身的优化与升级。

格芯22FDX®提供了一个高性能、低功耗、低成本物联网、主流移动设备、无线通信互联以及网络的集成解决方案。桑杰强调了格芯22FDX®技术相比其他类似技术，掩膜更少、功耗更低、密度更高、性能也更高。同时，22FDX®的体偏压技术能够简化设计，缩短上市时间，同时可以实现短时峰值性能的应用需求。这为22FDX®技术提供强大优势，降低开发成本的同时，也为客户提供了性能优异的解决方案。

论坛上，桑杰介绍了格芯基于22FDX®平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术：FDX®和eMRAM的高能效连同差异化的射频和毫米波IP，使得22FDX成为电池驱动的物联网和自动驾驶汽车雷达片上系统(SoCs)的理想平台。

一直以来，格芯不断推��FD-SOI技术的突破，目前正在进行大规模IP的物理验证。演讲中，桑杰公布了基于22FDX的ARM Cortex-A53和Mali-T820上的设计结果，面积的减少与功耗的降低证明了22FDX的性能。

为了推动FD-SOI技术从设计到量产的发展，格芯在2016年宣布推出了FDXcelerator™合作项目。FDXcelerator是专注于22FDX®技术的合作生态系统，该系统可以为客户减少产品进入市场的时间。在格芯和FDXcelerator合作方案的帮助下，客户可以从诸如40nm和28nm的节点快速迁移至FD-SOI技术，打造**的22FDX方案。截至今年9月，格芯该项目的合作伙伴数量从去年的7个增长到33个，可见业界对格芯趋势判断的肯定与对FD-SOI技术的支持。

除了22FDX®，桑杰也提到了RF SOI技术，他认为前者是以集成为中心，RF SOI则更注重前端模块的设计。格芯在射频领域的市场份额位居**，迄今为止，RF SOI芯片交付量达到了320亿片。在介绍格芯RF SOI*新微缩技术时，桑杰表示：“我们未来不仅仅是从工艺尺寸上的不断演进，而且进一步研发我们的技术，满足我们客户的需求，适应不同的应用。”

*后，桑杰隆重介绍了12FDX®技术。12FDX技术建立于12纳米FD-SOI平台，性能堪比10纳米FinFET的同时又能比14/16纳米FinFET有更好的功耗表现与更低的成本。格芯的12 FDX半导体技术将使得未来的系统能够跨越包括移动计算、5G网络、人工智能，以及无人驾驶等各个领域的应用。

“我们具备了所有的应用、技术，我们的行业获得了强大的动力。我们正享受着巨大的市场，”桑杰在结语中欣慰地表示，“我们将会有经过硅验证的IP，在中国建立了我们的工厂，并且为我们的FD-SOI产业打造生态系统。这一切都表明：FD-SOI正是中国需要的技术！” 作为SOI 联盟的成员以及本届上海FD-SOI论坛的赞助商，格芯很高兴看到行业的发展，格芯也将成为中国FD-SOI技术的中坚力量，发挥其创造力与领导力完善基础设施，推动产业升级。