円星科技与半导体大厂合作紧密，针对不同的制程技术，提供各式独特的低功耗矽智财解决方案，以满足客户在不同电压与不同功耗的设计需求。相关矽智财包括低功耗标准元件库(Low Power Cell Library)、节能记忆体编译器(Green Memory Compiler)、低操作电压记忆体编译器(Low VCCMIN Memory Compiler)，与低功耗高速介面矽智财(Low Power Interface IP)等。
相较于一般低功耗矽智财需在1.1V/1.2V电压下操作，円星科技开发的超低功耗矽智财均可支援在0.9V电压范围下操作，可直接减少漏电功耗与动态功耗。在这些解决方案中，低功耗高速介面矽智财包括了新一代微型USB 2.0实体层矽智财(Tiny USB 2.0 PHY)，**BCK USB 1.1实体层矽智财(BCK)，以及DC-DC IP的低功耗解决方案。
·微型USB 2.0实体层矽智财透过其*佳化电路设计，降低了大于50%的面积与30%的功率损耗，并通过USB-IF规范的相容性测试，已协助客户在2015年**季导入量产。
·新一代超低电压BCK (内建时脉) USB 1.1实体层矽智财设计，除了支援USB装置端使用之外，也提供新一代时脉技术，利用即时时脉(RTC)输入，即可支援USB主机端使用。透过此设计，可提供物联网应用*小面积，*低功耗的USB传输介面。
·直流电转直流电矽智财(DC-DC IP)低功耗设计，透过先进的电源管理与“动态调整电压与频率架构”(DVFS)，提供客户整体性SoC解决方案。
除了高速介面矽智财，円星科技其他的超低功耗矽智财包括：
·低功耗标准元件库，包含电源管理工具(PMK)，以及超低静态功耗单元库。
· 节能记忆体编译器，“双电压源(Dual-rail)记忆体操作”可协助客户进行动态电压与频率调整(DVFS)。“省电匣控制技术”(Power Gating)可随不同操作模式来调整晶片内部的静态功耗。
·低操作电压记忆体编译器，超低电压操作的记忆体模组设 计，可应用在低电压操作的系统平台以符合低功耗需求。
円星科技开发的各式超低功耗矽智财，兼具高效能、高密度、低电压操作的特性，以及在速度、面积、电压，与频率调整的优化设计，可满足SoC业者在物联网应用之**性的晶片设计需求， 达到低功耗、低成本，与电源管理的目标。
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