为抢占快充市场商机,高通于近期发表新一代Quick Charge 4.0技术,下一代Qualcomm Snapdragon 835处理器将支援Quick Charge 4.0,终端产品则预计在2017年上半年开始出货。相较于前几代技术,Quick Charge 4.0的充电时间更短,且效率更高。只需充电五分钟,手机使用时间便可延长至五小时以上。与Quick Charge 3.0相比,Quick Charge 4.0充电速度提升*高达20%,效率提升*高达30%,且Quick Charge 4.0可支援USB Type-C和USB-PD,让此一充电解决方案可广泛适用于各种连接线和转接器。
高通技术公司产品管理**副总裁Alex Katouzian表示,由于行动终端的功能变得更强、特性变得更丰富,人们对它们的使用也更频繁,而这正是现今消费者对快速充电解决方案的需求和认知达到**高度的原因。Quick Charge 4.0能在大约15分钟或更短时间内,充入高达50%电量,从而满足了这样的需求,让消费者能摆脱一整天被充电线所束缚的困扰。
另一方面,Google则于近期释出的Android 7.0相容性文件中说明,希望支援USB Type-C的Android装置不要支援Vbus电压超过标准预设值的专属充电技术,或修改sink/source输入电路,因为这可能导致Android装置和支援USB Power Delivery(USB-PD)的充电器出现相容性问题。同时,未来版本的Android可能将要求所有Type-C装置支援与Type-C标准完全相容的充电器。
从该文件的内容不难看出,Google希望未来Android装置皆能采用USB Type-C作为快速充电标准,不仅可减少相容性问题,也不用特制的充电器大费周章。目前市场上虽充斥各种快速充电技术,不过仍以Qualcomm Quick Charge及USB-IF标准组织的USB Power Delivery两大阵营为主;Google之后是否会进一步限制不符合其标准的快速充电技术还不得而知,但此相容性文件发布后,或将影响高通未来布局策略,手机快充标准之争可能因而提前开打。