CoolMOS技术产品阵容，推出600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold (G7)系列。这两个产品系列的击穿电压高达600 V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。
600 V CoolMOS P7：高效率和易用性的优化组合
新推出的P7树立效率标杆并具备更高的性价比，可大大简化设计。该器件的目标应用包括充电器、适配器、照明装置、电视、PC电源、太阳能、服务器、电信和电动汽车充电等，其功率级别从100 W到15 kW不等。在不同的拓扑中，600 V CoolMOS P7能够将目标应用的效率提高1.5%，并且，相比竞争产品而言，工作温度*多可降低4.2 °C。
表面贴装(SMD)和通孔封装型号的导通电阻RDS(on) 范围均为37 - 600 m?，因此，600 V CoolMOS P7适合功率范围很宽的多种应用。此外，超过2 kV(HBM)的出色的防静电能力可保护器件免受生产中的静电放电损坏，从而有效提高制造品质。*后，坚固耐用的体二极管能在LLC电路中硬换向事件期间保护器件。
600 V CoolMOS C7 Gold(G7)：**的FOM采用**型无引线SMD TO封装
G7具备较低的导通电阻RDS(on)、*小的栅极电荷QG，同时存储于输出电容的能量减少，并具备无引线TO封装的4管脚开尔文源极能力。这可以*大限度降低PFC和LLC电路中的损耗，并将性能提升0.6%，同时提高PFC电路的满载效率。G7只有1 nH的极低源极寄生电感,也有助于提高效率。
G7采用无引线TO封装，热性能得以改善，适用于大电流的设计，同时SMD工艺有助于降低安装成本。此外，600 V G7具备业界*低的导通电阻RDS(on) ，从28 m?到150 m?不等。相比传统的D2PAK封装而言，该器件的表面积、高度和占板空间分别减小30%、50%和60%。所有这些特性，使该器件成为服务器、电信、工业和太阳能等应用领域实现*高效率并树立功率密度标杆的理想选择。
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