内存今年来供应吃紧，产品价格不断高涨，影响手机等终端市场需求趋缓，连带影响相关IC设计厂营运表现，不仅第3季恐旺季不旺，部分效应甚至可能延续到年底。
动态随机存取内存(DRAM)今年上半年创下史上*旺的淡季纪录，同时出现罕见的储存型闪存(NAND Flash)与编码型闪存(NOR Flash)同步供应吃紧情况。
因内存短缺及产品涨价影响，包括手机、固态硬盘与机顶盒等多项终端市场纷纷出现需求趋缓情况，受影响的厂商也遍及手机芯片、电源管理芯片与射频芯片厂。
如手机芯片厂联发科与电源管理芯片厂矽力杰，都感受到上半年智能手机需求不旺的情况。 矽力杰也因终端客户拿不到NAND Flash，上半年固态硬盘产品销售受到影响。
网通芯片厂瑞昱副总经理黄依玮也说，因NANDFlash供应遭遇乱流，供需紧张，暂时对SSD营运表现不会有期待。
由于内存缺货情况短期仍难以舒缓，相关缺货效应恐将蔓延到第3季，甚至可能延续到年底。 联发科共同CEO蔡力行即表示，因零组件供应尚未平衡，第3季智能手机并没有明显季节性需求提升。
射频芯片厂宏观7月因内存价格高涨，加上现货供应吃紧，机顶盒制造厂客户递延拉货，营收滑落至新台币8316万元，创下今年单月业绩次低纪录。
客户需求何时能够回温，宏观表示，目前仍难以掌握，应视内存供应情况而定。
矽力杰董事长陈伟预期，NAND Flash短缺问题，恐要到明年上半年NAND Flash厂3D NAND Flash良率提升后，才可望解决，届时固态硬盘市场需求才得以恢复。
随着内存缺货、涨价已影响终端需求减缓，业者表示，在终端厂商不愿再高价抢料，态度转趋观望下，能否有助缓解内存供应吃紧情况，值得观察。
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