据悉，该项投资为2.8亿美元，将帮助中芯长电加快****条12寸凸块（Bumping）生产线的建设进度，从而扩大市场规模和提升先进制造能力，并完善中国整体芯片加工产业链。
（从左至右）中芯长电半导体有限公司**执行官崔东、中芯国际**财务官兼战略规划执行副总裁高永岗、华芯投资副总裁任凯、Qualcomm中国区董事长孟樸代表四方签署投资意向书
“继投资中国集成电路前段制造龙头中芯国际、参与长电科技的跨国收购之后，我们又将投资中芯长电，推动在中国构建起由前段制造、中段加工和后段封测所构成的先进集成电路制造产业链。”大基金总经理丁文武表示，“通过产业链携手发展，将带动中国IC制造产业整体水平和竞争力的提升。此举符合大基金的投资方向，也是落实《国家集成电路产业发展推进纲要》的重要举措。”
中芯国际**执行官兼执行董事邱慈云对此表示：“中芯长电在短短一年已取得重要业务进展，有望于明年为客户提供量产服务，这将极大地支持中芯国际28nm工艺发展，中芯国际未来将继续支持中芯长电发展。”
中芯长电CEO崔东表示：“感谢中芯国际、大基金及高通的大力支持，中芯长电将配合中芯国际28纳米工艺技术，结合长电科技的后段封装能力，发挥好“承前启后”的作用，共同构建本土的先进集成电路制造产业链。”
Qualcomm Incorporated**执行官史蒂夫·莫伦科夫表示：“Qualcomm与中芯国际的合作历史源远流长。此次我们宣布对中芯长电半导体有限公司的投资意向，意味着Qualcomm一如既往地全力支持中国繁|荣的半导体生态系统的持续增长。相信此次投资一旦完成，也将促进中芯长电扩充产能，以配合中芯国际12英寸工艺技术的量产需求。”
目前采用中芯国际28纳米工艺制造的Qualcomm骁龙410处理器已成功在智能手机中实现商用。
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