根据EE Times报导，Stratix X使用英特尔的嵌入式多晶片互连桥接(EMIB)技术将FPGA与4个外部收发器相连。桥接以BGA基板上的矽晶片制成，体积比起台积电采CoWoS技术开发的矽基板小上许多。英特尔FPGA的竞争对手Xilinx和GPU厂商NVIDIA，都是使用这种CoWoS技术基板。
EMIB使用55微米微凸块(micro-bump)与100+微米覆晶块(flip-chip bump)，并支持24条收发器通道，每条通道达96 I/O。透过**协定，EMIB可在每晶粒功率效率为1.2 pJ/bit的条件下，达成每针脚每秒2 Gb的传输能力。
目前EMIB桥接可将4个28 GHz解串器(serdes)连接至FPGA，英特尔还计划在未来使用更快的解串器与其他类型的外部晶片。
14奈米Stratix X可将280万个逻辑元件封装进560平方公厘的结构中。英特尔于2年多前**发表EMIB技术，导入成为该公司旗下晶圆代工服务的方案提供。截至目前，英特尔尚未透露有其他用户使用这项技术。
AMD则表示即将上市的Zen x86核心体积，可比英特尔当前的14奈米处理器缩减10%。英特尔工程师也承认，AMD的Zen核心相当具有竞争力，然而还有许多其他变因将决定体积上的优势是否真能为AMD降低成本。
Zen是AMD**采用金属绝缘体金属(MIM)电容器解决方案。AMD借此成功降低了工作电压，并取得更高的核心电压与频率控制能力。AMD目前共有2套8核心设计，能以3.4 GHz执行平行多线绪(SMT)。
此外，联发科也发表了采10奈米制程的10核心智慧型手机SoC。这块晶片使用了3个ARM Cortex A-35核心处理影音回放等极低功率任务。这款SoC的每个核心都内嵌了全新的程式计数器(program counter)，借以简化除错流程。然而要对抗高通(Qualcomm)的Snapdragon 835，仍有一场硬仗要打。 TOP▲
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