富士通(Fujitsu)近期发表高密度4 Mbit可变电阻式记忆体(ReRAM)产品MB85AS4MT。此产品为富士通与松下电器合作开发之首款ReRAM产品。
MB85AS4MT为SPI介面的ReRAM产品，能在1.65至3.6伏特电压下运作，并于*高时脉5MHz的读取操作下，仅需0.2mA的平均消耗电流。此全新产品适用于需要电池供电之穿戴式及医疗装置，例如助听器等需要高记忆体密度，且低功耗的电子装置。
截至目前为止，该公司藉由提供具有耐读写，以及低功耗特性的铁电随机存取记忆体(FRAM)，以满足客户对远高于EEPROM，以及串列式Flash等传统非挥发式记忆体的效能需求。
在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其产品线后，可进一步扩充产品选项，以满足客户多样化的需求。
MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内作业，还能透过SPI介面支援*高5 MHz的运作时脉，并在读取时仅需极低的作业电流(5MHz时脉下平均仅消耗0.2mA)。此外，其拥有同级产品非挥发性记忆体中，相当低的读取功耗。
此全新产品采用209mil 8-pin的SOP(Small Outline Package)，脚位与EEPROM等非挥发性记忆体产品相容。另外，微型8-pin SOP封装中，置入了一个4 Mbit的记忆体，以超越串列介面EEPROM的*高密度。
该公司预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性，可运用在电池供电的穿戴式装置、助听器等医疗装置，以及量表与感测器等物联网装置。
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