有杀手之称的UV-C紫外光，波长仅200到280奈米、能量高，可以穿透病毒、**、**和尘螨的薄膜，攻击DNA并歼灭这些有害的有机体。
自丹麦教授Niels Finsen发现用紫外线可**结核病后，人类利用紫外线**已经有超过百年历史。但目前使用的深紫外线灯不只体积庞大、效率低，而且皆含水银，对环境有害。
美国康乃尔大学的研究团队，*新就研发出一种体积小且更环保的深紫外线LED光源，并创下目前业界deep-UV LED*低波长的纪录。
研究人员采用原子级控制界面的氮化镓(GaN)与氮化铝(AlN)单层薄膜为反应作用区域，成功发射出波长介于232到270奈米的深紫外LED。这种232奈米的深紫外线，创下使用氮化镓为发光材料，所发出的光线波长*短记录。之前的记录是由日本团队创下的239奈米。
图为研究团队成员，照片来源：美国康乃尔大学
研究论文《MBE-grown 232-270nm deep-UV LED susing monolayer thin binary GaN/AlN quantum heteros tructures》于1月27号发表于《应用物理快报》期刊(Applied Physics Letters)网站。
提高紫外线LED效率
目前紫外线LED*大瓶颈就是发光效率，可以由三个方面来衡量：
1.注入效率：注入反应作用区域的电子通过装置的比例。
2.内量子效率(IQE)：反应作用区域中所有电子产生光子或紫外线的比例。
3.出光效率：反应作用区域中产出的光子比例，这些光子可以从装置中取出，而且是可以利用的。
论文作者之一SM(Moudud)Islam博士表示：「如果上述三个方面的效率都达到50%，相乘起来只有八分之一，等于发光效率已经降到12%。」
在深紫外线波段，这三方面的效率都很低，但研究团队发现，利用氮化镓取代传统的铝氮化镓，可以提高内量子效率和出光效率。
而为了提高注入效率，研究团队采用之前开发出的技术，在正极(电子)和负极(电洞)载体区域，采用极化感应掺杂法来实现。
研究发展
在成功提升深紫外LED的发光效率后，研究团队的下一步是将光源整合到装置内，朝上市的目标迈进。深紫外光的应用领域包含食物保鲜、假钞辨别、光触媒、水的净化**等等。
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