Dialog Semiconductor**发表并展示该公司的氮化镓功率IC产品。
Dialog Semiconductor**发表并展示该公司的氮化镓(GaN)功率IC产品，此产品采用台积电(TSMC)的650V矽上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术。
相较于目前基于标准矽基场效电晶体(FET)的设计，DA8801结合Dialog的**数位快速充电(Rapid Charge)电源转换控制器，能实现更佳效率、更小体积、更高功率密度的转接器。Dialog的氮化镓解决方案初期将瞄准智慧型手机及运算装置的快速充电转接器市场，目前Dialog的电源转换控制器在这个市场的市占率已有七成以上。
氮化镓技术能带来全世界*快速的电晶体，是高频及超高效率电源转换的核心。Dialog的DA8801半桥式设计整合了多建构区块，例如闸驱动及位准转换电路，以及650V电源开关，能提供*佳化解决方案，能使电源损失降低至50%，电源效率达94%。此产品能无缝实现氮化镓技术，不需复杂电路来驱动离散式氮化镓电源开关。
此一新技术也能让功率电子产品的尺寸缩减达50%，今日常见的45瓦转接器设计便可装进25瓦或更小的外型，创造出真正通用的行动装置充电器。
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