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1.出售芯片业务交易陷入僵局 债权人呼吁东芝破产；

债权人呼吁东芝申请破产保护

凤凰科技讯 据Morningstar北京时间7月28日报道，由于通过出售芯片业务部门募集资金的努力停摆，多家债权人和东芝重组的利益相关方，都认为申请破产保护是东芝复兴的*佳途径。

参与讨论东芝重组的人士——其中包括商业合作伙伴、律师和与主要债权银行有关联的人士，称破产保护值得高保真研究。其中部分人士称，申请破产保护是*好的选项，他们在与东芝或债权人讨论相关事宜时将推荐这一方案。他们表示，申请破产保护，将使东芝无须立即偿还到期的债务。

东芝**执行官纲川智

2.半导体竞标案判决前夕 东芝股价先跌逾1成；

背景图片图／路透

美国法院周五将审理日本东芝是否有权在未经合作伙伴威腾电子同意下，出售半导体部门。 判决前夕，该日本业者股价周五收盘重摔10.9％，每股239日圆。

根据金融时报报导，旧金山高等法院*快将在周五针对威腾阻挡东芝出售半导体部门案发布判决。

该案在两周前进行初审，旧金山高等法院要求东芝暂缓出售，并延后到本周五再进行判决。

东芝先前为力阻美国法院对于出售半导体部门一案插手，曾辩称日本企业要在日本国内出售业务给另外一家日本公司，不应该受到美国法院的管辖。 不过负责审理该案的法官卡恩（Harold Kahn）并不接受东芝的说法，在周四临时裁定旧金山法院有权接受威腾阻挡东芝出售半导体部门的要求。

如果周五该法院的判决结果不利东芝，将让该业者企图要在明年3月前完成出售半导体案的计划恐怕更难达成。

东芝目前所剩时间不多，原本它曾在6月协商要将半导体部门卖给以日本产业革新机构（INCJ）为主的财团，其中还包含美国贝恩资本与南韩半导体业者SK海力士，但遭威腾强烈反对，也让这项协商陷入了僵局。

不过也有媒体报导，尽管东芝与威腾的法律争战结果尚未明朗，不过INCJ仍对东芝半导体部门提交*终投标。工商时报

3.华邦总座：NOR Flash下半年仍缺货，Q3营运不错；

华邦电子(2344)总经理詹东义表示，目前公司的产能全被预定，预计下半年NOR Flash市场延续缺货的状况，其客户第三季随着旺季需求比**季更强，有助于价格再调涨，第三季公司营运仍会不错。 今年投入的资本支出则将在明年确实展现效应。

华邦电主要区分为DRAM及Flash业务；詹东义说，目前看来，DRAM大环境是健康的，价格预计可微幅上调。

在Flash方面，华邦预期Flash到今年底都将是缺货的情况，市场新的产能开出将是在2018年；中国大陆明年开出多少产能，以及新产能的质量水平待观察。 在需求方面，明年整体市场需求仍将持续增加。

**季各产品线占营收比例方面，利基型内存(Specialty DRAM)占华邦**季营收42%，行动内存(Mobile DRAM)占**季营收13%，闪存(Flash Memory)占**季华邦营收比重提升至45%。

今年以来，华邦电子的产能都已充份运用，今年投入巨额的资本支出将可提升月产能由4.4万片增加至4.8万片，其中，DRAM为2.6万片，Flash为2.2万片，新增的4000片产能预计将于第四季开始投片，明年可展现效益。

另一方面，第三季公司自行开发的3X奈米产能将开出，开始逐步增加产出。 今年华邦DRAM产能仅成长1%，明年DRAM的位成长率可提升至13%，明年DRAM的动能加大。 公司也持续积极研发25奈米制程，预计后年开始有业绩贡献。

华邦今年把部分产能转到Flash，因此今明年Flash产能都会增加。

华邦电总经理詹东义表示，NOR Flash市场今年下半年稳定，仍有供需缺口；华邦的产能无法完全满足客户之需求，预计今年下半年都是如此的状况。

目前华邦电子的产能全满，更多产能要到第四季才能开出；第三季NOR Flash旺季需求比**季更强，有助于价格再调涨，也有利于华邦毛利率再向上提升。

华邦今年资本支出预计为170亿元新高，其中，57%用于新增的产能及技术提升，20%用于新的晶圆厂FabC的设置；15%用于新技术之所需，8%为其他。 由于公司持续以扩厂及提升制程，双管齐下达到增加产能，因此预期明年的资本支出仍在**。

今年NOR Flash市况火热，华邦目前在全球的市占率提升至20%，排全球第三；旺宏电子以26%的市占率居于龙头。工商时报

4.SK海力士2017年资本支出将逾60亿美元；

SK海力士(SK Hynix)2017年第2季创下史上*佳业绩表现，季营业利益率也上升至46%，傲视全球科技同业。由于存储器市场持续看好，加上资料中心需求增温，SK海力士决定扩大2017年支本资出规模，目前计划7兆韩元(约62亿美元)，但未来不排除往上加码至9.6兆韩元，进行攻击性投资。多家韩媒报导，SK海力士2017年第2季营收约为6.7兆韩元，营业利益约为3.1兆韩元，其中营收较2016年同期增加70%，营业利益更是2016年同期的6.8倍，正式开启营业利益3兆韩元时代的序幕。SK海力士相关人士于2017年第2季法说会中表示，预计2017年DRAM生产规模将较2016年增加3~5%，因此总资本支出规模可能高于原先预期的7兆韩元。此外，大陆无锡厂及韩国清州厂完工时间预计为2018年第4季，也较当初规划的时间提前半年左右。2017年上半SK海力士的资本支出已超过5兆韩元，主要为韩国清州M14厂的3D NAND Flash投资。另一方面，为了确保DRAM竞争力，也进行额外研发投资。由于存储器市况看好，SK海力士也决定展开大规模投资，以延续甜美果实。不过包括三星电子(Samsung Electronics)在内的两大韩厂，近日不断宣布大手笔投资，其实也引发各界正反两极的看法。2017年第2季SK海力士业绩表现良好的主因，在于由云端服务带动的伺服器用DRAM与NAND Flash商机，高容量、高效能存储器出现了物以稀为贵现象，价格不断走扬。SK海力士相关人士表示，伺服器用存储器需求不断增加，不但使2017年第2季出货增加，平均销售价格也上升11%。展望2017年第3季，随着新款iPhone等旗舰手机上市，也将带动移动存储器需求增加。全球存储器市场需求增温，加上供给并不充足，短期内产品价格走扬情况恐怕不会止歇。随着SK海力士扩大21纳米制程DRAM生产，及3D NAND Flash量产走稳，生产成本降低效应开始浮现，预估2017年SK海力士全球营收将突破10兆韩元，2018年更有可能上看12兆韩元。SK海力士*近也积极投入产品研发，目前SK海力士72层3D NAND Flash已进入生产样品阶段，预计*晚2017年第3季末，完成移动与一般消费性SSD的72层3D NAND Flash产品研发。DIGITIMES

5.SK hynix斥资86.1亿美元扩大产能，3D NAND恐过剩

集微网消息，据海外媒体报道，从去年下半到今年上半以来，DRAM 均价飙升 17%、NAND 均价攀涨 12%，主要是由于存储器进入制程转换，产能大减，使得厂商无不撒钱扩产。但是 IC Insights 警告，过度投资恐怕会导致产能过剩。

韩国存储器大厂 SK 海力士（SK hynix）26 日表示，今年将斥资 86.1 亿美元（约 9.6 兆韩圜），进行设备投资。此一金额比年初宣布数字高出 37%，也比该公司去年的设备投资总额高出 53%。

SK 海力士加大投资让新厂提前完工。该公司主管 Lee Myung-young 说，生产 DRAM 的中国无锡厂和生产 NAND Flash 的韩国清州（Cheongju）厂，原定完工时间是 2019 年上半年，如今将提早至 2018 年第四季，比预定时间提早半年。

SK 海力士强调，新厂落成后，存储器产出不至于暴增，估计 DRAM 和 NAND Flash 产能只会增加 3~5%，呼吁市场放心。业界人士分析，资金将多用于技术升级。

然而存储器厂商大手笔投资，仍让 IC Insights 忧心忡忡。IC Insights18 日发布新闻称，存储器以往市况显示，过度投资常会造成产能过剩、削弱价格。未来几年三星电子、SK 海力士、美光、英特尔、东芝 / SanDisk、武汉新芯（XMC） / 长江存储（Yangtze River Storage）都大举提高 3D NAND Flash 产能，未来可能还有中国新厂商加入战场，3D NAND Flash 产能过多的可能性“非常高”。

此外，DRAM 和 NAND 的价格涨势也逐渐放缓（见下图）。尽管 DRAM 均价涨势在 2016 年第四季触顶，但是直到 2017 年 Q2 仍表现强健。IC Insights 估计，今年 Q3 DARM 均价将略为上扬，Q4 则微幅下跌，代表 DRAM 上升循环告终。