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1.一文看懂3D Xpoint！ 它估将在未来引爆内存市场**；
3D Xpoint 的出现，有没有能力替代 DRAM，并成为 NAND Flash 的终结者，暂时还未有答案，但无庸置疑，它将为半导体带来重大变革和突破。
由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩制程已逼近极限，目前全球半导体巨擘皆正大举发展次世代内存：「磁电阻式随机存取内存 (MRAM)」，与含 3D XPoint 技术的「相变化内存 (PRAM)」及「电阻式动态随机存取内存 (RRAM)」。
而美厂半导体巨头英特尔 (Intel)(INTC-US)，更早已与美光科技 (Micron Technology)(MU-US) 合作，针对含有 3D XPoint 技术的「相变化内存 (PRAM)」高速发展。
当英特尔和美光于 2015 年向市场推荐 3D Xpoint 时，旋即引起市场骚动，市场目光立时聚焦在这个新型半导体之上。
因为这项新型内存无论在读写能力和寿命上，都比 NAND Flash 强上 1000 倍！ 而且价格竟然只有 DRAM 的一半，但比 NAND Flash 贵，并为数据中心带来重要的影响。
为什么 3D Xpoint 那么吸引人？ 无疑是因为它在 PCIe/NVMe 接口连接的时候，拥有比 NAND Flash 高 10 倍的性能，且使用时间会长 1000 倍、速度也将提升 1000 倍。 这也就意味着持续读写次循环超过 100 万次，也就意味着，这个存储一旦装上，在不坏的情况下能**使用。
如下图所示，含有 3D Xpoint 技术之内存，更拥有较低的延迟率，与 NAND Flash 相比，这个数据处理速度是 NAND Flash 的 1000 倍，明显可以看出，在高速读取的应用中，3D Xpoint 的读写速度确实十分强悍。
3D Xpoint 速度估计将比 NAND 还要快上 1000 倍
读写的速度优势，使得 3D Xpoint 能够降低数据中心存储体系的落差 (包括处理器上的 SRAM，DRAM，NAND FLAHS，HHD、磁带或光盘)，而且还能够弥补易失性的 DRAM 和非易失性 NAND Flash SSD 之间的差距。
3D Xpoint 的出现，甚至更让市场看到了大数据数据中心的未来。
Intel NVM 方案部门主管 James Myers 表示，他们的 3D Xpoint 产品 Optane 能够用来执行有限的数据集或者实时存储和升级数据。
相反地，传统的 NAND Flash 只能批次地处理存储数据，利用列式数据库系统分析。 这就需要非常多的读写操作。
Intel 的** 3D Xpoint SSD P4800x 每秒能够执行 550000 次的读写操作 (IOPS)，与之对比，Intel ***的 NAND Flash SSD 的 IOPS 只能达到 400000。
和 DRAM 一样，3D Xpoint 可以按字节寻址，这就意味着每一个存储单元有一个不同的位置，这不像分区的 NAND，在应用在为数据搜索的时候，不允许「超车」。
3D Xpoint 技术架构图 图片来源：Intel、Micron
Gartner 内存研究部门主管 Joseph Unsworth 表示，严格的讲，3D Xpoint 既不是 Flash，也不是 DRAM，它是一个介乎这两者之间的技术，而生态系统的支持对于这项技术的拓展极为重要。 目前还没看到任何一个飞翼式的 DIMM 被装配，因此这会是一个很大的挖掘空间。
在价格方面，根据 Gartner 的数据显示，现在 DRAM 的售价基本是每 gigabyte 5 美元，而 NAND 的价格则是每 gigabyte 0.25 美分。 3D Xpoint 的大批量采购价格则会在每 gigabyte 2.4 美元这个区间。
故按此来看，到 2021 年，3D Xpoint 的售价也会比 NAND Flash 贵许多，但**比 DRAM 价格便宜。
3D Xpoint 将挑战 DRAM 市场？
Intel 和美光双方目前都认为，3D Xpoint 与 NAND 是能够互补的，但是市场分析师则认为，3D Xpoint 技术可能将在未来对 DRAM 市场造成挑战。
市场分析师表示，3D Xpoint 的出现主要是弥补 NAND 和 DRAM 的差距，但随着新 3D Xpoint 的普及，SSD 的经济规模会增长，故分析师们认为它会挑战现存的存储技术，不是指 NAND，而是 DRAM。
Gartner 预测，到 2018 年，3D Xpoint 会在数据中心中占领上风。 届时它会吸引很多关键客户的目光。 这不***于服务器、存储，超算中心或者云计算，软件客户也是他们的潜在关注者。
Unsworth 认为，3D Xpoint 是一个**性的技术，但这个*终被广泛采纳需要一段时间，数据中心生态链需要一点时间去接纳这个新存储技术，芯片组和第三方应用的支持也需要时间去兼容。
随着挑战 3D Xpoint 的非易失性存储技术逐渐出现，传统的 NAND Flash 依然有很长的路要走，直到 2025 年，这个技术都是安然无忧的。 因此，NAND Flash 暂时不会被 3D Xpoint 技术取代。
而全球*大半导体代工厂台积电 (2330-TW) 亦曾在 4 月 13 日对外说明，台积电目前已具备「量产」次世代内存中，磁电阻式随机存取内存 (MRAM) 及电阻式动态随机存取内存 (RRAM) 等新型内存之技术。
而据韩国半导体业内人士透露，台、美、韩半导体巨擘在次世代内存市场内的强力竞争，这很可能将**改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。钜亨网
2.东芝可能推迟半导体出售**次招标；
东芝原定5月19日举行半导体事业**次招标案，现传出时间可能推迟。 推迟原因有许多说法，东芝半导体资产审查作业比预期冗长；共同投资半导体工厂的美国西部数据公司（ＷＤ）对出售半导体事业有异议，双方僵持不下；另一方面也有说法东芝希望用时间换取空间，透过延后招标，吸引到更好的出资条件。
鸿海集团三月参与**次招标，报价被指接近3兆日圆居冠，鸿海并偕同旗下日系企业夏普参与5月的第2次招标，另一方面，因担心关键技术外流，日本政府主导日本政策投资银行、产业革新机构、美国投资基金等组成美日联盟，形成两大阵营对决态势。经济日报
3.鸿海夏普爱东芝 传暗示赴美设半导体厂；
鸿海投资的夏普传积极参与东芝内存竞标。 日媒报导，夏普高层透露与鸿海合作收购东芝内存的强烈意愿，并暗示若成功，不排除在美国设半导体厂。
日本共同通信社报导，夏普（Sharp） 展现了对参与东芝内存（Toshiba Memory）竞标的强烈意愿，并暗示美国建厂计划。
报导引述夏普高层谈话指出，夏普高层表达与鸿海集团合作、参与收购东芝内存作业的强烈意愿。 夏普高层并暗示，若收购案顺利完成，夏普不排除在美国设立半导体工厂的可能性。
日本媒体 Sankeibiz指出，日本政府担心东芝内存技术外流，考虑用外汇管制法中止或重新评估东芝内存竞标。 不过夏普高层对于收购东芝内存仍保持期待感。
东芝内存各方人马频布局。 传出有意参与东芝内存竞标的企业集团包括台湾鸿海集团、韩国SK海力士（SK Hynix）、美国芯片大厂博通（Broadcom）等。
彭博（Bloomberg） 日前引述知情人士消息报导，美国投资基金 KKR正与东芝针对内存事业商讨优先收购（preemptive bid）事宜，这可能加速东芝内存完成出售，并终止东芝与其他潜在买家之间的协商。 不过东芝尚未决定是否接受KKR的提议。
日媒日前报导，美国投资基金 KKR传出有意与日本产业革新机构（INCJ）合作，共同参与东芝半导体事业竞标作业。 报导指出，美国威腾电子（WD）和日本政策投资银行DBJ也传出也有意参加由KKR和INCJ合作的框架。 美国和日本联合进军东芝半导体的轮廓浮上台面。
外媒日前报导，鸿海有意联合苹果（Apple）、亚马逊（Amazon）、戴尔（Dell）以及投资的夏普（Sharp），形成「日美台」联合阵线，共同参与东芝半导体竞标。 鸿海规划透过日本和美国企业出资8成、鸿海出资2成这样的规划，消除外界对东芝半导体技术外流疑虑的意见。
朝日新闻日前报导，东芝半导体内存释股预计5月中旬进行第2次招标作业， 东芝规划在6月中旬决定买家。
东芝在 2月下旬分拆旗下半导体新公司，新公司称为东芝内存（Toshiba Memory），新公司将继承东芝储存和电子装置解决方案事业。 相关分拆协议在3月底东芝股东临时会上通过，4月1日生效。中央社
4.鸿海若收购东芝半导体将赴美建厂？夏普高层：有此计划；
日前传出鸿海计划筹组“台日美联盟”，计划找来苹果（Apple）、夏普（Sharp）等美日企业携手抢标东芝半导体事业，且计划在完成收购之后，赴美兴建半导体工厂，期望借由打“川普牌”，间接对日本政府施压。而关于上述赴美建厂传闻，夏普高层暗示，确实有此计划。
共同通信、Sankei Biz 报导，夏普高层 11 日表达有意入股东芝半导体事业的强烈意愿，希望借由加入鸿海所主导的联盟，来收购东芝半导体事业，且夏普高层暗示，若能顺利完成收购协商，确实是有计划在美国兴建半导体工厂。
报导指出，因日本政府忧心东芝半导体技术外流，因此可能会发动《外汇法》，而日本政府此举，对鸿海、夏普联盟来说将是一大障碍，不过对此，夏普高层表示，*近来自经济产业省的感觉，似乎显示（鸿海、夏普收购东芝半导体事业）不会有《外汇法》上的问题，因此对于收购东芝半导体事业一事抱持期待感。
所谓的《外汇法》是指海外企业或投资人要收购日本半导体等恐涉及国家**的事业时，有义务事前接受日本政府的审查，而审查结果若是研判将损害国家**或是将干扰公共秩序的话，日本政府就可劝告中止或变更交易，而若企业不服从的话，日本政府也可发出强制执行的命令。精实新闻
5.郭董果真揪苹果收购东芝半导体？软银：和鸿海谈了很多；
日前传出鸿海计划筹组“台日美联盟”，拟找来苹果（Apple）等美国企业和夏普（Sharp）等日本企业，携手抢标东芝半导体事业，且之前也传出鸿海拟找软银（Softbank）助力，希望软银能提供间接性的支援。而和鸿海董事长郭台铭私交甚笃的软银社长孙正义于 10 日证实，郭台铭董事长确实有向他打探合作的可能性，且孙正义指出，主角在于鸿海、苹果，而此似乎也暗示鸿海果真计划找苹果携手收购东芝半导体事业。
日经新闻等多家日本媒体报导，关于对东芝半导体事业出资一事，孙正义 10 日在财报说明会上承认，鸿海董事长郭台铭有向他寻求援助。孙正义表示，“（和鸿海）谈了很多是事实，不过主角不是我们（软银），而是以鸿海、苹果为中心进行讨论”。
孙正义表示，“记忆体基本上是商品化（commodity）产品，哪边便宜顾客就流向哪边，因此软银自身不会去做什么事情。”日媒指出，孙正义上述言论暗示，在收购东芝记忆体事业一事上，软银不会提供资金面的援助。
日本媒体报导，东芝合作伙伴、共同营运 NAND Flash 主要据点“四日市工厂”的 Western Digital（WD）CEO Stephen D. Milligan 于 10 日拜访了东芝总部，和东芝社长纲川智进行了会谈。因东芝、WD 针对合资契约的解读一事、见解分歧，因此双方应是希望借由面对面协商，寻求解套对策，且据悉双方已达成共识，今后将持续进行协商，以解决见解对立问题。
Milligan 此次赴日，据悉也和经济产业省关系人士进行了会面。精实新闻
6.数据中心等需求带动 存储器为首零组件价格上扬
2017年4~6月的主要电子零组件与材料交易价，以存储器为中心，包括DRAM等挥发性存储器以及NAND Flash与硬盘等非挥发性存储器，呈现持续走扬，除了智能型手机与个人电脑(PC)需求外，4K电视与数据中心需求也带动相关市场。根据日本经济新闻(Nikkei)报导，大屏幕4K电视除了带动存储器需求外，同时也带动液晶面板市场走势，大陆液晶面板厂仍在建设中，目前仍无法供应市场需求，鸿海与夏普(Sharp)得以利用价格优势积极抢夺市场。另外，存储器需求还影响到硅晶圆需求成长，硅晶圆材料厂投资仍谨慎，供货量无法提升，导致硅晶圆材料市价跟着上涨。华为创办人暨总裁任正非在2017年4月中旬，于微博上发表一段话，提及该厂*新款智能型手机的存储器规格不一问题，表示主因在存储器的严重短缺。日本经济新闻报导，其实不只是华为，大陆智能型手机厂现在都困于存储器的不足。存储器不足的主因，则源自北美的数据中心建设风潮，亚马逊(Amazon)、Google、Facebook等公司，均积极增设数据中心，数据中心不仅需要大量的硬盘与SSD，同时对DRAM的需求也不低，导致高性能存储器缺货。除了数据中心抢存储器之外，PC市场则有止跌回升迹象，带动相关零组件需求成长。而全球销售量持续成长的4K电视机，内建DRAM也是Full HD电视机的2倍，进一步增加市场对高性能DRAM的需求，产能却未能跟上，因此市价持续上涨。数据中心、PC与智能型手机同样带动NAND Flash与硬盘需求成长，而高容量的3D NAND Flash全球产能成长低于预期，不仅让高性能的SSD价格跟着上涨，由于SSD的价格容量比与硬盘的差距拉大，同样导致硬盘需求的增加与价格上涨。而液晶面板方面，手机与PC面板单价目前趋向稳定，电视市场主力的32吋面板甚至走跌，但大屏幕4K电视在北美与大陆的畅销，让55~65吋电视面板价格持续走扬，在大陆新建液晶面板厂**进行量产前，涨势难止。触控面板用ITO的市场价格持续下滑，但底部已现，加上日圆贬值让采购价格换算成日圆上涨，与跌势抵销，2017年上半虽然价格持平，但7~9月有可能涨价。硅晶圆长年以来市场供过于求的现象，即将告终，但晶圆材料厂对于增产投资仍有顾忌，因此短期内价格料将持续走扬。DIGITIMES
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