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1.38家集成电路企业登陆新三板，75%盈利;
近日，利扬芯片（833474）发布公告，欲冲刺IPO。
挖贝网统计数据发现，集成电路企业去年营收呈平稳增长趋势，净利润也保持着56.34%的高增速。在挂牌新三板的38家集成电路企业中，利扬芯片净利润排名第10，表现并未特别出色。
利扬芯片2016年营收近亿
2015年9月7日，利扬芯片正式挂牌新三板。主要从事集成电路的测试以及芯片检测分析等相关配套服务。
挖贝网了解到，挂牌新三板不到两年时间，利扬芯片就已经进行了三次融资，一共融得9754万元。
财报显示，利扬芯片近年来业绩呈现稳定增长趋势。2014年至2016年分别实现营业收入4555.83万元、5800.14万元、9622.11万元；实现净利润946.25万元、1560.29万元、1809.73万元。
5月25日，利扬芯片发布公告，拟**公开发行股票并上市。
75%集成电路企业实现盈利
目前中国集成电路产业正直高速发展时期，集成电路行业盈利能力也普遍较强。
挖贝新三板研究院数据显示，已有38家集成电路企业登陆新三板。除正帆科技、光慧科技两家企业未披露2016年年报外，2016年，36家集成电路企业共实现营业收入32.51亿元，较去年的25.32亿元，增长7.19亿元，呈现稳定增长。
此外集成电路企业的盈利能力也表现不凡。2016年，36家集成电路企业共实现净利润3.54亿元，较2015年2亿元的净利润总和，同比增加1.54亿元。
值得一提的是，36家企业中，有27家企业实现盈利，占比75%。也就是说，集成电路行业里，每4家企业就有3家实现盈利。
挖贝网统计发现，净利润增幅排名前五的公司分别为中感微（835399）、华岭股份（430139）、全宝科技（832728）、汉纳森（871065）、微步信息（830960），拟冲刺IPO的利扬芯片并不在列。
在集成电路企业中，利扬芯片的盈利表现并不十分出色。2016年利扬芯片实现净利润1809.73万元，排在它前面的企业还有9家。
注：正帆科技、光慧科技两家企业未披露2016年年报挖贝网
2.科通芯城昨天复盘暴跌23%;
集微网消息，科通芯城昨天发布公告，大股东康敬伟通知董事会，指其会于董事会下一次会议动议议案，考虑宣告就2017年上半年或2017年财政年度发放半年度股息或全年度股息。
前天科通芯城发布公告，逐条驳斥烽火研究的做空报告，并表示已向联交所申请自2017年5月31日上午9时正起复牌。继科通芯城29日发布澄清公告逐条反驳烽火研究对其指控后，5月30日，烽火研究再度针对科通芯城的澄清公告进行反驳。昨日开盘涨5.13%，报价8.2元。盘中股价暴跌10%，临近早市收盘，科通芯城更是跌近20%。午后跌幅进一步扩大，*大跌25%。截止收盘，科通芯城跌23.33%，报价5.98港元。
5月30日，烽火研究再度针对科通芯城的澄清公告进行反驳。在这份反驳报告中，烽火称他们展示了坚实的证据说明科通芯城绝大部分的中小型客户根本并不存在。科通芯城的线上平台及手机平台流量同样极低。烽火亦证明科通芯城的澄清公告自相矛盾，例如，科通芯城选择的网站流量数据来源同样将带出其网站流量敬陪末席的结论。就工商申报档案而言，科通芯城解释其绝大部分收入均来自香港，烽火将继续在**覆盖报告中有关收入比例的讨论，并得出一家专注服务中小型客户的线上分销商不可能绝大部分收入来自香港的结论。科通芯城线上中小型客户的行为实在非常奇怪，烽火只能得出科通芯城已成功开创“B2G”模式的结论。
3.台湾群联子公司合肥兆芯拟开放陆资入股;
集微网消息，群联董事长潘健成昨天透露，旗下大陆子公司合肥兆芯考虑开放中资入股，惟释股比例与对象尚未确定。
群联大陆子公司合肥兆芯，去年营业额约1亿多元人民币，营运以研发为主，同时也有部分业务拓展。
大陆厂商在资本市场资金充足，反观群联在台本益比依旧偏低，潘健成分析，这削弱了台湾产业的竞争力，未来10年内一定会看到本益比偏低造成的伤害。
潘健成指出，就国际并购角度而言，台湾公司的本益比根本没有能力并购其他公司，不被并购就已经很幸运，为进一步强化与大陆合作关系，群联子公司合肥兆芯考虑让中国厂商入股。
群联今年Computex展刚刚推出一系列Flash控制芯片，相关产品导入量产将在下半年。
4.一季度全球指纹识别芯片发货约2.7亿颗 同比增60.4%;
2013年9月，在搭载Touch ID的iPhone 5s发布后，智能手机的指纹识别功能迎来了高速发展，逐渐成为智能手机行业的标配。指纹识别、虹膜人脸识别已经成为消费电子领域不断走强的行业趋势，也一度成为资本领域及产业领域热议话题。群智咨询（Sigmaintell）数据显示，今年一季度，全球搭载指纹识别智能手机出货量约1.8亿部， 占全球智能手机总出货量的53.7％，同比上升约18个百分点，预计二季度将进一步上升至57％。一季度晶圆厂的指纹识别的产能投片占比约13％，目前指纹识别的产能投片偏低。其中，由于Egis （神盾）拿到三星的 A／J系列的订单，成功进入三星的供应链体系，对新思产生冲击。具体而言，指纹识别芯片市场主要呈现以下特点：
首先，随着指纹识别渗透率的不断提升，新进入厂商增多，供应相对充沛，指纹模组价格进入下行通道。
过去一年，指纹识别已然成为行业新宠。根据上市公司公布的财报显示，2016年，指纹芯片行业是消费电子领域少有的高利润产业，平均毛利维持在40％－50％。但随着新进入厂商的增多，2017年，指纹芯片行业面临激烈挑战，尤其进入一季度后，镀膜（Coating）电容式指纹识别模组的价格遭遇了激烈的竞争，而光学式、超声波式方案发展成熟仍然需要时间。根据群智咨询（Sigmaintell）的调查数据，除光学与超声波两种仍未成熟的技术方案外，电容式指纹识别模组的平均价格均保持下行趋势。以占主导地位的镀膜（Coating）电容式指纹识别模组的为例，2015年一季度其平均价格维持在约4美元，到2017年一季度，其平均价格下降到2.56美元，部分芯片厂的报价甚至在2美元以下。这一现象产生的主要原因是，去年部分芯片方案商库存高起，供给端快速增加，进入一季度后，部件需求乏力给芯片价格带来了压力。根据群智咨询（Sigmaintell）的调查数据，2017年**季度全球指纹识别芯片出货量约2.7亿颗，同比增长约60.4％。
其次，随着**屏的来临，指纹芯片厂正积极投入研发，指纹识别技术方案将呈现多元化。
根据群智咨询（Sigmaintell）数据显示，2017年全球**屏智能手机出货量约1.5亿部水平，除了Samsung S8之外， Apple iphone8、华为、Oppo、Vivo等整机厂的大量**屏手机将在下半年上市，这也给汇顶科技、FPC、Authentec等设计公司带来了挑战。虽然华为P10、小米Mi6纷纷采用了汇顶科技的隐藏式Underglass指纹方案，但仍然有Home的指纹区域，三星的S8也不得不把指纹做成后置。前置隐藏式的指纹识别方案，即所谓的in－display方案相信很快会到来。据了解，虽然新思的光学式前置隐藏式指纹验证过程遭遇困难，光学式方案上市可能会延后，但是传统电容式的前置隐藏式指纹方案也可能会有所突破。 群智咨询
5.借力5G 中国化合物半导体突破在望;
化合物半导体相比硅半导体具有高频率、大功率等优异性能，是未来5G通信不可替代的核心技术，将在5G通信中大量使用。
当前GaAs/GaN化合物半导体射频器件已在4G通信、有源相控阵雷达、卫星通信等领域得到应用。然而现有市场主要由日本、美国、欧洲的化合物半导体企业把控，并已建立市场和技术壁垒，形成产业链合作惯性。中国企业进入市场较晚，很难有足够的话语权。5G通信*快将在2020年实现商用，中国是全球*大的5G市场，并开始拥有全球5G通信发展的话语权。加之中国具有一定技术积累和产业基础，中国化合物半导体产业有望在5G通信市场实现突破。
性能优异的化合物半导体将在5G通信中大量使用
5G智能手机将大量使用GaAs射频器件。GaAs射频功率放大器具有比Si器件更高的工作频率。随着移动通信频率不断提高，Si器件已不能满足性能要求，4G智能手机中的功率放大器已全部采用GaAs技术。未来5G通信将包括6 GHz以上频段，性能优越的GaAs器件将不可替代。5G通信支持的通信频段将大幅增加至50个以上，远大于4G通信的频段数(不超过20个)。每多支持1个频段就需要增加1个放大器(或大幅提高器件复杂程度)，使得单部手机中GaAs器件成本大幅增加。赛迪智库预计2020年GaAs器件市场将达到130亿美元。
5G通信基站亟需更高性能的GaN射频器件。GaN射频功率放大器兼具Si器件的大功率和GaAs器件的高频率特点。为了应对2.4 GHz以上频段Si器件工作效率快速下降的问题，4G通信基站开始使用GaN功率放大器。目前约10%的基站采用GaN技术，占GaN射频器件市场的50%以上。未来5G通信频率*高可达85 GHz，是GaN发挥优势的频段，使得GaN成为5G核心技术。全球每年新建约150万座基站，未来5G网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微基站，对GaN器件的需求量将大幅增加。赛迪智库预计2020年GaN射频器件市场将超过6亿美元。
发达国家已完成战略布局，并对中国实行技术封锁
发达国家已完成化合物半导体的战略布局。由于化合物半导体具备优异的性能和广阔的应用前景，美国和欧洲在21世纪初已开始布局，发布技术和产业扶持计划，并培育了一批龙头企业，已占领技术和市场的高地，为5G通信发展奠定了基础。美国国防部先进研究项目局(DARPA)从2002年起先后发布宽禁带化合物半导体技术**计划(WBGSTI计划)和下一代GaN电子器件计划(NEXT计划)，帮助美国本土的Qorvo、Cree等化合物半导体企业迅速成长为行业龙头。欧洲防务局(EDA)于2010年发布旨在保障欧洲区域内化合物半导体供应链**的MANGA计划，已完成预期目标。
国际巨头占据化合物半导体射频器件市场主导地位。4G智能手机用的GaAs射频放大器市场中，美国Skyworks、Qorvo和Broadcom三家公司的市场占有率接近90%。GaN基站市场集中于日本住友电工、美国Cree和Qorvo三家企业手中。制造成熟度方面，Qorvo公司自2008年至今已出货260万件GaN器件产品，其中17万件应用于雷达领域。Cree公司于2014年初宣布其GaN射频器件累计销售量已超过100万件。
Qorvo和Raytheon公司的GaN产品已分别达到美国国防部的制造成熟度评估(MRL)第9级和第8级。第9级意味着GaN器件的制造工艺已满足*佳性能、成本和容量的目标要求，准备开始全速率生产。
国际对中国实行核心技术封锁，产业链面临制裁禁运风险。一是化合物半导体的**用途使得美国频繁阻挠国内产业崛起。化合物半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信、**卫星、激光武器等**装备的核心组件，受到国际《瓦森纳安排》的出口管制。中国资本试图收购国外**化合物半导体企业以快速获取人才和技术，却频频遭遇美国政府阻碍。2015年以来，金沙江公司收购美国Lumileds、三安光电收购美国GCS、福建宏芯基金收购德国Aixtron均被美国以危害国家**为由予以否决。二是国内5G通信整机企业面临制裁风险。国内化合物半导体产品尚不成熟，使得整机企业大量进口国外器件，供应链**存在很大隐患。2016年3月，美国商务部以违反美国出口管制法规为由制裁中兴通讯，对企业造成了几近毁灭性打击。基于化合物半导体的功率放大器、光通信芯片等均在限制目录中。2017年3月，中兴以近12亿美元的罚款与美国政府和解，方才化解危机。
中国化合物半导体市场巨大、基础良好、产业活跃
中国开始拥有全球5G通信发展的话语权，为化合物半导体提供广阔市场。中国是全球移动通信的重要市场，华为、中兴是全球**大和第四大通信基站供应商，华为、OPPO、vivo是全球前五大智能手机企业。中国已建成全球*大的4G网络，基站数量超过200万，用户数量突破5亿。自主品牌智能手机每年出货量近5亿部。Skyworks、Qorvo等化合物半导体企业在中国的销售额均占公司总销售额的60%以上。
2013年，中国成立IMT-2020(5G)推进组，力争成为全球5G标准制定的***。中国推动的极化码方案(Polar Code)被国际通信标准组织3GPP采纳为5G控制信道编码方案之一。
国内具备一定的化合物半导体制造技术储备和产业基础。一是高校和研究机构正加速技术的产业化。中科院、北京大学、中电科13所、29所、55所等在化合物半导体领域具备较强实力，依托**等市场积累了技术和人才，通过技术转化和合作成立了中科晶电、海威华芯等企业。二是LED芯片与化合物半导体制造流程相似，提供了产业基础。LED是基于化合物半导体的光电器件，在衬底、外延和器件环节具有技术互通性。中国LED芯片产业在全球占据重要地位，产业配套较成熟，可支撑化合物半导体产业发展。国家集成电路产业投资基金已入股LED芯片龙头企业三安光电公司，投资新建化合物半导体生产线，规划产能为36万片/年。
国内GaAs设计企业不断涌现，正积极研发4G产品。国内目前拥有各类手机功率放大器(PA)设计企业近20家，汉天下、紫光展锐、唯捷创芯等企业发展迅速，出货量位列前茅，已经在2G和3G手机PA市场占据重要市场地位。在全球2G市场，汉天下已占据64%的市场份额。在全球3G市场，汉天下占据42%。国内设计企业正在积极研发4G PA产品。紫光展锐的4G PA已于2016年12月通过高通公司的平台认证。汉天下的4G PA已实现5-10家客户量产出货，可实现三模和五模覆盖，月出货量超过100万套。广州智慧微电子公司、深圳国民飞骧科技有限公司、唯捷创芯公司均已在GaAs基4G PA技术上实现突破。大陆设计企业目前主要选择在台湾稳懋等代工厂制造，随着三安集成公司和海威华芯公司已建成GaAs器件生产线填补大陆代工制造空白，未来大陆GaAs设计企业将更倾向于委托大陆代工厂制造，共同提升在国际市场的竞争力。中国电子报
6.北大碳基集成电路成果被《2017中国自然指数》专题报道
2017年5月25日，英国《自然》期刊增刊《2017中国自然指数》（第5545卷，7655期）出版。*新的自然指数（nature index）表明，在过去15年中，材料科学（尤其是纳米材料等）领域已成为各国政策制定者的关注重点，大力投资材料科学也成为中国整体科技战略的重要组成部分。近年来，中国始终是在材料科学领域发表论文*多的国家，其背后是政府的大规模资金投入和大力引进人才。然而，材料科学家认为，需要将更多的资源投入到基础研究的转化中；应用科学家表示，如果没有足够的扶持，中国在材料研究商业化方面的努力将受阻。
《中国未来的“蓝筹股”》（China's blue-chip future，第S54-S57页，DOI: doi:10.1038/545S54a）一文指出，今年2月，科技部对在其经费支持下所取得的研究成果予以宣传，其中包括一种铁基超导体、一种超强合金，以及由北京大学信息科学技术学院、纳米器件物理与化学教育部重点实验室彭练矛教授团队所开发的栅极长度仅为5 nm的碳纳米晶体管。文中报道了彭练矛团队在碳纳米管晶体管集成电路研究中所取得的突破性进展，团队中一位研究生手捧碳基芯片的照片被选作刊物封面。这也是继2015年之后，该团队**次被《中国自然指数》重点介绍。
彭练矛团队成员手捧碳基芯片的照片被选作刊物封面
今年1月，彭练矛团队所研发的栅极长5 nm的碳纳米管发表于《科学》期刊。在科技部、国家自然科学基金委员会、北京市科学技术委员会的支持下，他们始终致力于开发尺寸更小、速度更快、功耗更低的碳管半导体器件和集成电路，展现出碳管CMOS器件较硅基CMOS器件具有的明显优势和代表着“计算机处理器的未来”（the future of computer processing）的巨大潜力。彭练矛预言，在未来5～10年内，碳纳米管芯片将发展成熟，团队亟待与企业合作，以产业规模加以生产，毕竟“工程不是实验室的强项”。与此同时，他期待国家对应用研究加大政策扶持和经费支持，吸引大企业投资技术，加快纳米技术商业化的进程，早日将碳管器件开发成计算机芯片。
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