EXB357IGBT、GTR、MOSFET基极驱动器PWM电路光耦等 光耦EXB841 EXB357驱动GTR EXB356驱动GTR 150A/1200V/GTRDRIVER

AO2301 MOSFET场效应管基本参数：　　FET特点：逻辑电平门 　　漏极至源极电压(Vdss)：30V 　　Id时的Vgs(th)（*大）：1.5V @ 250μA 　　闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 　　在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W 　　安装类型：表面贴装

场效应MOSFET系列三社MOSFET

MOSFET ZXGD3101N8/1T8/3N8/4N8/5N8系列 MOSFET ZXGD3101N8/1T8/3N8/4N8/5N8系列 ...

MOSFET：APM4953,9435,9926,2301,2302,3400,3401,3402, 主营系列：EEPROM.电源升压.电源稳压.调节.变换.锂电保护.实时时钟IC.等......品种较多...

MD1691是同步整流二极管控制IC，同步整流IC MD1691配合MOS管可用于替换反激式转换器的整流二极管，能够显著减少发热，提升系统的转换效率。IC通过检测外置MOSFET的源漏电压来决定其开关状态。同步整流IC MD1691能够兼容非连续或准谐振工作模式的反激转换器。

富士电机功率半导体器件包括：IGBT、IPM、PIM、驱动电路、MOSFET、整流二极管模块、肖特基管、快恢复二极管、各类接触器、继电器、断路器、温控器、可编程序显示器（POD）等，品种齐全，应用

SEMITOP家簇包括晶闸管/二极管模块和赛米控IGBT模块，CIB模块以及MOSFET模块。电流是10A-200A，电压等级有600V/1200V。SEMITOP的压接技术和单螺丝固定方式保证

IGBT 、 GTR 、 MOSFET 基极驱动器 PWM 电路光耦等 IGBT 、 GTR 、 MOSFET 基极驱动器 PWM 电路光耦等 型号 MODEL NUMBER 技术指标 批价 型号 技术指标 批价 UC3637N PMW 100

，使放电灵敏度达到*佳状态。2、出类拔萃的优异性能：力盟放电加工机电源箱采用盒式配线的模组化设计，**MOSFET优越的放电回路，加工速度快，电极损耗小，可达镜面加工。放电表层精细度均匀，且不硬化，易于磨光。

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