主要特点:1、 采用MOSFET功率器件和我公司**代变流控制技术, 2、 设备*简单, *轻巧, ****;3、 操作简单, 几分钟即可学会;4、 安装简单, 只需接电和水即可使用, 无需专人安装

流驱动应用设计使用IC，输入电压可以市电直接整流滤波供电，*高450V DC；高达300KHz的可编程设定频率驱动外部高压MOSFET；其外部取样电阻设置负载电流从10mA到1A；

PWM功率开关芯片 MH3624是一款内置高压功率MOSFET的电流模反激PWM控制芯片，适用于18W以内的离线式反激开关电源，具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。

【品 牌】 KGD【品 名】= MOS【型 号】= KNM2302ALB（A2SHB）【封装形式】= SOT-23【产品性能】= 贴片场效应管【产品参数】3.7A，20V【产品用途】 自主品牌产品.长期稳定供应◎产品种类：高压场效应管（MOSfET High Voltage Series)

IGBT 、 GTR 、 MOSFET 基极驱动器 PWM 电路光耦等 IGBT 、 GTR 、 MOSFET 基极驱动器 PWM 电路光耦等 型号 MODEL NUMBER 技术指标 批价 型号 技术指标 批价 UC3637N PMW 100

三段拨码开关调色温ORG6612产品特色?支持可控硅调光?不需电感即可通过辐射及传导测试?通过500V浪涌测试?芯片集成500V MOSFET三段拨码开关调色温ORG6612

ACT6907内置0.6hm的P-Channel开关MOSFET及0.7hm的N-Channel开关MOSFET.ACT6907系列DC/DC容许使用体积比钽电容更小的陶瓷电容，并因为

杭州远方DPS1060 6KVA交流变频稳压电源设计综合了《SJ/T 10691》、《GB 6587》、《GB 7260》的技术条件，以SPWM方式制作，用主动元件MOSFET模块设计，采用了DDS

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。600V IGBT模块

功率MOSFET功率MOSFET功率MOSFETXP202A0003MR-G XP202A0003PR-G

XC9215/16/17 是同步整流的降压 DC/DC 转换器系列，内置 0.6 Ohm 的 P-Channel 开关 MOSFET 及 0.7 Ohm 的 N-Channel 开关 MOSFET