FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - FDA20N50 - 场效应管 MOSFET N TO-3P
PAM(Power Analog Microelectronics)推出内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,采用台积电的双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺制成。具有从5.5V 到40V很宽,的输入电压范围,它是一个非常灵活的LED驱动器,可以工作于升压、降压、升降压(SEPIC)三种工作方式。它可以利用内置的MOSFET来驱动10个3瓦的LED,或者30个1瓦的LED。 由于它在很宽的电压
HV9910 是一个高效 PWM LED 驱动器控制集成电路.. 它在输入电压从8VDC到450VDC范围内能有效驱动高亮LED。该芯片能以高达300KHz的固定频率驱动外部MOSFET,其 频率
IGBT驱动模块型号:SKHI22AH4特点: .半桥双IGBT驱动 .与SKHI 21兼容 .输入兼容COMS电平 .短路电流保护 .驱动高低边互锁 .使用变压器隔离 .低电压保护(13V) .故障输出 .开关时间1微秒 .可驱动MOSFET Vds(on) <10V
产品名称:3.6V 锂电池保护板型号规格:RQ-3.6 BHB006品牌:RUIQI采用日本精工保护IC,VISHAY、AOS、IR等高质量MOSFET,FR-4低温度系数板材,设计精良,做工精细
宁波汇科(HUIKE)继电器是广东省深圳市达因电子技术有限公司专业代理/经销的国际知名品牌的继电器,种类有汽车继电器,信号继电器,功率继电器,光耦继电器(MOSFET),高频继电器等.公司备有
S T B-高频、高脉冲电容器STB-2000-0.33低等效串联电阻 低等效串联电感 可承受非常高的du/dt 额定电压: 630 to 2000 Vdc 电容量: 0.001 - 1.5μF 用于缓冲吸收、高脉冲线路、MOSFET 缓冲吸收,高频谐振
STM-1200-0.33,IGBT、IPM、GTO突波吸收电容,IGBT吸收保护电容、高脉冲电容,MOSFET缓冲吸收电容,高频谐振电容.
、快恢复、可控硅,集成电路。MOSFET主要型号有:FIR5N40P 5A 400V TO-220FIR10N40P 10A 400V TO-220FIR5N50P
MOS管SE8810A 封装:SOT23-6MOSFET应用范围:锂电池充放电保护、LCD Inverter、LED广告屏、笔记本电脑、开关电源(同步整流)、LED电源、电动车驱动。
致电或与技术人员联系索取详细规格书,谢谢! 相关信息 应用于缓冲吸收、高脉冲线路、MOSFET 缓冲吸收,高频谐振,感应加热吸收。
TD1410代理TD,现货TD1410是一款内部集成了功率MOSFET的单片集成降压开关电源转换器。具有较宽的电压输入范围,能连续输出2A电流。采用电流模式,具有极高的瞬态稳定性。 集成了热关断功能。在关断模式下,电流不到20μA,仅需极少的外围器件。
专业销售大,中,小功率二三极管,场效应管(MOSFET),稳压管,达林顿管,肖特基,快恢复,可控硅,整流桥/桥堆,光电耦合器/光耦,模拟IC,数字IC,线性IC,驱动IC,单片机,保险丝/PTC,电容电阻等电子元器件。
CX7128是一颗电流模式PWM控制芯片,内置功率MOSFET,DIP一8封装,*大输出功率15W。CX7128采用了抖频技术,能够有效改善系统的EMI性能。CX7128内置多种保护,包括逐周期限流保护(OCP),过载保护(OLP),过压保护(OVP),VDD过压箝位,欠压保护(UVLO)等。