芯片世界的革新：从二维平面跨入三维空间

来源：中科院之声 全球物联网、大数据中心、智能家居、便携设备等应用的发展不断丰富着我们的物质生活和精神生活，这些应用的正常运行都离不开半导体数据存储芯片——仅一片指甲盖面积大小的芯片区域就可以存放约300套《大英百科全书》文字内容的高科技产品。近年来，人类社会的数据量迅速激增，一年产生的数据就相当于人类进入现代化以前所有历史的总和，这对存储器芯片的容量和存储密度提出了更高要求。传统半导体存储器芯片通过提高单位面积的存储能力实现容量增长，但在后摩尔时代已不可避免地面临单元间串扰加剧和单字位成本增加等瓶颈。因此，寻求存储技术阶跃性的突破和**，是发展下一代存储器的主流思路。3D NAND是革新性的半导体存储技术，通过增加存储叠层而非缩小器件二维尺寸实现存储密度增长，将半导体存储器的发展空间带入第三维度，成为未来实现存储器芯片容量可持续增长的关键。中国作为全球制造业基地，存储器消耗量惊人。据统计，中国存储器消耗量占全球总消耗量的50%以上，但国产存储产品却****。我国在存储器芯片领域长期面临市场需求大而自主知识产权和关键技术缺乏的困境，开展大容量存储技术的研究和相关产品研制迫在眉睫。201

打破半导体存储器产业三强鼎立局面的机会何在？

江苏雅克关于参股公司投资收购UP Chemical 96.28%股份的公告

特别提示：本公司及董事会全体成员保证公告内容的真实、准确和完整，没有虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏。 一、对外投资概述2016年8月26日， 江苏雅克科技(26.010, -0.26, -0.99%)股份有限公司（以下简称“公司”或“雅克科技”）参股公司江苏先科半导体新材料有限公司（以下简称“江苏先科”）的韩国全资子公司Shekoy Korea Semiconductor New Material Co.， Ltd.（以下简称“韩国SPV”）与Woori Renaissance Holdings， LLC（以下简称“Woori公司”）签署《股份收购协议》，约定韩国SPV以1，972.43亿韩元（如触发《股份收购协议》中约定的交易价格调整机制，*终交易价格将根据该价格调整机制进行调整）的价格（以2016年8月26日韩元汇率中间价1元人民币对韩元167.2680元为基准，约合人民币117，920.56万元）收购Woori公司持有的UP Chemical Co.， Ltd.（以下简称“UP Chemical公司”）96.28%的股份（以下简称“本次交易”）。江苏先科2016年**次临时股东

高歌猛进的中国集成电路产业是否过热了？

三星将在中韩量产***64层手机存储器

韩国三星电子将着手量产智慧手机用***的三维半导体存储器(3D NAND)。三星10月7日发布的2016年7～9月的合并营业利润在坚挺的半导体业务的拉动下，较上年同期增长5%，达到7.8万亿韩元(速报值)。因市场行情好转，三星*早将于2016年内在韩国和中国的工厂投产64层3D NAND。在智慧手机使用的DRAM和NAND两种半导体存储器领域，三星的市占率位居全球首位。DRAM在断开电源后，数据会消失，而NAND在断开电源后，可继续保存数据。2015年NAND市场行情低迷。*初有观点认为2016年该市场也会增长乏力，但眼下却呈复苏态势。因市场行情好转，三星将在韩国正在建设的平泽工厂以及中国的西安工厂量产***的64层3D NAND。通过将目前的48层提高到64层来提高产品竞争力。

东芝要求提高半导体业务估值 好业务不能便宜卖

据《日本经济新闻》报道，东芝要求有意投资其半导体业务的企业和基金将业务的估值定在2万亿日元之上，而据*初报道，东芝半导体业务的估值*低约1万亿日元。因对美国核电业务计提7000亿日元巨额损失，东芝正讨论剥离其半导体存储器业务，成立新公司。同时拟出售新公司股份，来弥补集团的财务亏空。半导体存储器业务为东芝盈利的主要来源，在2015财年(截至2016年3月)，半导体部门贡献了超过1000亿日元的利润，而东芝整体则净亏超4600亿日元。2月3日，东芝为分拆半导体业务启动招标程序。为了保持对分拆后成立的新公司的控制权，东芝拟定出售的新公司股份少于两成。而拟参与投标的部分企业希望获得更多的股份，因此出现观望情绪。当时预估，半导体业务的估值在1万亿至1.5万亿日元之间。此后，东芝向相关公司通报了出资50%以上等新的招标条件，甚至有传闻，东芝可能出售新公司全部股份。同时，东芝将原定于3月底的股票出售时间推迟至4月以后。报道称，东芝希望收购方花费较长时间评估资产内容，实现出售收益的*大化。据悉，有意出资东芝半导体业务的包括美国西部数据、台湾鸿海精密工业等企业，以及多家欧美基金等。另有传言称，苹果和微软

"独角兽"项目库发布会暨集成电路投融资论坛举行

**大战硝烟再起　战火延烧存储器产业

存储器科技发展日益蓬勃，除了相关技术外，存储器**也成为科技公司的竞争利器，根据科技顾问公司iRunway的调查报告，这个趋势日趋明显，存储器**将掀起另一波**大战。Virtual Strategy杂志指出，iRunway日前针对DRAM、 SRAM、NAND Flash等各种半导体存储器进行调查，范围涵盖8万多项**与应用现况，并深入分析近20年间美国存储器**权的变化，及主要受让人间重要的诉讼与授权合作。该调查显示，美光(Micron)、三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、IBM和英特尔(Intel)在存储器**与应用占比*高，合计共占25%;新帝(SanDisk)、美光、英特尔则拥有*多有发展性的**。在DRAM方面，Conversant、高通(Qualcomm)、Rambus、Round Rock Research等科技与智能财产授权公司拥有大量具发展性的**，Conversant与Round Rock同时也称霸NAND Flash**领域。iRunway半导体部门**副总裁Carlos Greaves表示，新兴的存储器科技在商业应用上

日本东北大学，开发成功超高速小电流MRAM

日本东北大学2016年3月21日宣布，开发成功了可超高速动作的新型磁存储器（MRAM：Magnetic Random Access Memory）的基础元件，并实际验证了动作。该元件可兼顾迄今MRAM元件难以实现的小电流动作和高速动作。 三种自旋轨道力矩磁化反转元件构造。（a）与（b）为以前的构造，（c）为此次开发的构造（该图摘自东北大学的发布资料） （点击放大）PC及智能手机使用的SRAM及DRAM等半导体存储器，因构成元件的微细化，性能获得了提高，但随着微细化的进一步发展，其耗电量增大的问题显现出来。而以磁化（N极/S极）方向来存储信息的MRAM具有出色的微细化特性、不消耗电力的非易失性、与现行SRAM/DRAM有相同的高速特性以及无限次擦写特性等，作为半导体存储器的替代技术而备受期待。*近20年，经过从基础研究到应用的广泛研发，部分MRAM已开始了实用化。2011年，由电流引起的基板垂直方向磁流（自旋流）的“自旋轨道力矩磁化反转”现象为实验所证实。人们知道这种方式有两种构造，一种是（a）磁化朝着与基板垂直的方向（Z轴方向），另一种是（b）在基板内与电流垂直的方向（Y轴方向）。但是

深入读懂半导体存储技术及市场，鄙文即可！

存储器，作为半导体元器件中重要的组成部分，在半导体产品中，比重所占高达20%。作为一个重要的半导体产品类型。存储器2015年全球半导体市场销售额为3352亿美元，其中存储器的销售额为772亿美元，存储器在半导体产品中的占比为23%。中国作为全球电子产品的制造基地，一直以来都是存储器产品*大的需求市场，根据赛迪顾问的研究，2015年中国大陆地区的半导体存储器市场规模为2843亿元（约400亿美元）。图1，全球半导体产品的销售额和存储器销售额半导体存储器市场被三星、海力士、美光等寡头垄断半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。以DRAM和NAND两种主要存储芯片为例，2016年**季度，DRAM市场93%份额由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据，而NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。（1） DRAM：全球市场规模约410亿美元。目前DRAM行业基本被三星，海力士，美光三家垄断了95%以上的市场。2014

我国存储器产业发展迈出实质性一步

陈炳欣随着落户于武汉东湖高新技术开发区的国家存储器基地项目启动建设，中国发展半导体存储器产业终于迈出实质性步伐。对于半导体存储器的重要性，已经毋庸多言。无论是发展消费电子，还是数据中心，存储器都是必不可少的关键组件。在中国每年进口的大量集成电路芯片中1/4为存储器。这样巨大的需求量，如果完全依靠海外供应，对于产业发展和信息**保障，都是明显的软肋。围绕中国要不要发展存储器产业，业界有观点认为，中国发展存储器产业已经错过*好的时机，哪怕再早6~7年（2009年），那时全球的存储产业仍可勉强算得上是“多头”格局，中国发展存储器，仍有更多合作的选择。此后发生了奇梦达破产、尔必达被收购等变动。可是现在，存储器产业已经高度垄断，**技术成为中国企业绕不开的难题。但是，我们更要强调的是，“亡羊补牢，犹未为晚”。虽然我们丧失了一个相对有利的入局机会，但是半导体产业具有一个重要特点，即技术革新永远不会停滞。**技术的出现，市场需求的转变，产业结构的变化，企业发展速度的换档，都会给后进入者弯道超车的机会。3D闪存技术正是当前中国存储业面临的一个重大发展机遇。NAND闪存有平面闪存和3D闪存之分。平面闪存