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SanDisk
16 2015年03月19日 星期四东芝/SanDisk研发新NAND、或用于iPhone 7?
精实新闻 (0)东芝(Toshiba)和SanDisk 3日宣布开发出48层的3D NAND Flash(快闪记忆体)。外媒猜测,由于东芝和SanDisk是苹果两大记忆体供应商,这或许意味明年发布的iPhone 7将搭载这款新NAND Flash晶片。 BGR 5日报导,东芝和SanDisk采用15奈米制程,打造出新3D NAND Flash,据称速度为业界之冠,并更具能源效益。尽管东芝新闻稿未提及可能客户,BGR称,假定苹果沿用旧有供应商,这么一来新的3D NAND Flash或许将用于iPhone 7。BGR猜测,东芝仅生产32GB 3D NAND Flash,可能表示明年iPhone 7不会有16GB版本。据了解,东芝和SanDisk的新晶片9月试产,来不及用在iPhone 6s。双方准备在Fab 2工厂量产新记忆体,新厂预定明年完工,由时程看来,或可赶上用于iPhone 7。computerworld.com报导,记忆体卡巨擘SanDisk 3日宣布,与东芝共同开发出48层256Gb高密度3D NAND快闪记忆体,明年有望正式量产出货。东芝于今年3月首度对外发表48层3D NAND快闪记忆体,
性价比优势更明显 TLC NAND应用版图急扩张
互联网 (0)三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash记忆体制造商制程技术突破,加上控制晶片与错误修正韧体效能大幅精进,使得三层式储存(TLC)NAND记忆体性价比较过去大幅提高,因而激励消费性固态硬碟制造商扩大采用比例。三层式储存(TLC) NAND快闪记忆体市场渗透率将大幅增加。NAND快闪记忆体成本随着制程演进而持续下滑,各种终端应用如固态硬碟(SSD)与嵌入式多媒体卡(eMMC)等需求则持续成长。在单层式储存(SLC)、多层式储存(MLC)及TLC三种形式的NAND快闪记忆体中,又以TLC性价比*为人所注目,因而吸引原始设备/设计制造商(OEM/ODM)的目光,并增加采用TLC颗粒比例,促进TLC NAND快闪记忆体应用版图扩张。控制晶片技术突破 TLC SSD倾巢而出看好TLC在固态储存市场的发展前景,慧荣科技发布新一代TLC控制晶片--SM2256,能大幅提升TLC NAND快闪记忆体高达三倍的写入/抹除次数(P/E Cycle),解决其过去为人诟病的使用寿命和可靠度不佳等问题,可望助力品牌厂加速推出高性价比的消费性TLC固态硬碟。慧荣科技产品企划部专案副理陈敏
紫光否认收购东芝闪存业务 欲造千亿市值帝国
证券日报 (0)在紫光股份刚刚宣布入股西部数据之际,紫光系欲拿下东芝和SanDisk公司的消息又不胫而走。更有坊间传闻称,双方已开始接触。日前,紫光股份证券部相关人士接受《证券日报》记者采访时对该消息进行否认,其表示:“紫光方面未有对东芝和SanDisk闪存业务的收购计划,但紫光并购计划仍将持续。”然而从紫光系近年的并购轨迹来看,其对全球半导体市场尤其是存储芯片市场的野心不容小觑。随着并购加速,一个庞大的紫光帝国拔地而起。先并购华三,再入驻西部数据,并屡屡与存储芯片产业大鳄传出“绯闻”,紫光在下一盘怎样的棋? 否认收购东芝日前,又有消息传出紫光股份大股东紫光集团计划收购东芝和SanDisk公司的闪存业务,目前双方已开始接触。虽然紫光股份否认此事,但作为中国*大国有芯片设计公司,紫光近期在芯片领域的动作,着实让人浮想翩翩。近日,紫光股份宣布拟收购美国上市公司西部数据股份有限公司(WDC)15%的股份,投资总额约为240亿元人民币。交易完成后,紫光股份将成为西部数据公司**大股东,并将拥有1个董事会席位。众所周知,西部数据是全球知名的硬盘厂商,在桌面级IDE硬盘、移动存储应用及A/V等领域实力极强。201
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SanDisk
17 2014年04月10日 星期四新一代存储器还需要再等十年
eetaiwan (0)很少人会想到NAND快闪记忆体已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代,笔者*近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于快闪记忆体储存系统的电话会议,听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下一代记忆体技术的规划上,于是很惊讶地发现这些人居然都认为 NAND快闪记忆体很快就会被新记忆体技术取代。笔者在去年7月的HotChips大会上曾经做过一场简报,指出快闪记忆体在未来十年将会是主流记忆体技术;而现在该产业才刚进入SanDisk所说的“1Ynm”世代,接着还将迈入“1Znm”世代。SanDisk认为,在“1Znm”之后,平面记忆体将式微,我们将进入3D记忆体的时代;其他NAND快闪记忆体制造大厂也有类似的预测。不过有鉴于这个产业的运作模式,在“1Znm”世代之后,若出现另一条延续平面记忆体生命的新途径也不足为奇;因此如果以每个记忆体世代两年生命周期来计算,平面快闪记忆体应该还能存活4~6年。在那之后,我们则将会拥有3D NAND快闪记忆体技术。虽然三星(Samsung)在去年8月宣布开始量产3D结构的V-NAND快闪记忆体,但该产品的稀有性意味着它还没准备
SanDisk推出全球首款200GB的microSD存储卡
互联网 (0)SanDisk新的microSD仅适用于基于Android平台的智能手机及平板电脑,每秒可传输90MB的资讯,约等于每分钟可传输1200张照片。记忆体大厂SanDisk在本日前发布全球首款储存容量高达200GB的microSD记忆卡,以因应今日行动用户的高储存容量需求,让手机使用者能够更安心储存照片、影片或音乐等档案,而不用担心容量问题。新款的200GB SanDisk Ultra microSDXC UHS-I记忆卡**版预计于今年**季出货,售价为399.99美元。microSD为抽取式的快闪记忆卡,可用来储存各式资讯,尺寸为15mmx11mmx1mm,只有SD卡的1/4大小,通常用来弥补现代手机内建储存容量的不足。市场研究机构IDC副总裁Christopher Chute表示,现在消费者拍摄照片时,10张中有7张是使用智能手机或平板电脑拍摄,消费者已将行动装置视为主要的影像拍摄及分享装置,而该比例到了2019年更将成长至9成。去年2月SanDisk就已发表当时****款容量为128GB的microSD卡,该公司基于此一产品的**技术再佐以新的设计与生产程序,在同样尺寸的micro
东芝起诉SK Hynix寻求11亿美元的赔偿
cnbeta (0)在今年早些时候,东芝针对SK Hynix所得的闪存技术提起诉讼,寻求11亿美元的**侵权赔偿。SK Hynix昨天在向监管机构提交文件中已经透露了这一消息。3月份的时候,东芝和SanDisk起诉韩国SK海力士,说该公司利用盗窃的闪存技术获得了利润。根据之前的报道,所谓的数据泄漏导致东芝的损失超过9.8亿美元。今年3月,东京警方逮捕了一名涉嫌人,他是前SanDisk工程师,这名工程师携带着闪存**信息在2008年的时候跳槽到了SK Hynix 。2004年,东芝起诉SK Hynix 涉嫌侵权内存信息**。三年后他们才解决争端。东芝和SK海力士代表没有立即对此事发表评论。
闪迪发*快的TF卡及容量*大SDXC存储卡
华强电子网 (0)SanDisk闪迪公司(NASDAQ:SNDK),全球**的闪存存储解决方案提供商,日前宣布推出拥有全球**速度的移动 microSD UHS-I 存储卡¬——64GB**的闪迪**超极速移动™ microSDXCTM UHS-I存储卡。 闪迪公司近期也已发布了具有全球容量**的512GB的全尺寸的闪迪**超极速SDXCTM UHS-I 存储卡。这些新产品的发布,丰富了闪迪深得人心的产品系列,支持 4K 超高清(3840x2160p)1视频的拍摄。 超过25 年的时间里,闪迪一直致力于提供突破性的技术,不断拓展存储的无限可能。4K 超高清视频的新时代4K 超高清分辨率是新一代视频画质标准,由此涌现的全新消费类产品需要快速、可靠的存储设备作为核心组件。4K 超高清视频拥有**非凡的分辨率,不过代价是其海量的文件容量,可达全高清(1080p) 视频文件的四倍之多。**快速的 移动microSD UHS-I 存储卡—闪迪**超极速移动microSDXC UHS-I存储卡目前能提供*高可达64GB 的容量,满足消费者记录高品质 4K 超高清内容的需求。 该产品的传输速度*高可达 95MB/秒*
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SanDisk
18 2013年11月26日 星期二全新LSISandForce®SSD控制器推高闪存性能
华强电子网 (0)LSI公司日前宣布市场**的SandForce®闪存控制器产品系列推出第三代。这项业界*广泛部署的闪存管理技术适用于驱动PCIe®及SATA固态硬盘(SSD)以及闪存卡解决方案。*新LSI® SandForce SF3700 闪存控制器系列旨在支持低功耗客户端计算应用、I/O密集型企业以及超大规模环境,可提供更高水平的闪存性能、可靠性与耐久度,充分满足SSD制造商的严格要求。SF3700系列是业界首款能够在单个部件中支持原生PCIe Gen2 x4及SATA 6Gb/s主机接口的闪存控制器,提高灵活性。这种独特功能不仅可显著简化SSD设计,而且还有助于显著降低SSD制造商的开发与制造成本。由于SF3700系列支持PCIe接口,因而用户可实现超过1.8GB/s顺序读取的突破性客户端性能,与基于SATA的解决方案相比,性能锐升3倍。LSI副总裁兼闪存组件部总经理Huibert Verhoeven表示:“从日常生活到超大规模数据中心,闪存存储解决方案都在改变着数据存储的速度与效率。SF3700系列采用重新设计的全新架构,可提供****的闪存性能与超长使用寿命,驱动当前及未来便携式客户端计算、
闪存缺货潮将持续到2015年或更久以后
华强电子网 (0)固态硬盘(SSD)市场动态正持续发生变化,而对于LSI公司执行长Abhi Talwalkar而言,2013年出现的这些市场变化着实令人感到失望。因为Abhi Talwalkar希望的是Sandforce SSD控制器市场能够带来35%的成长,而不只是10%。LSI在2011年以3.7亿美收购了新创公司Sandforce。事实上,Talwalkar心中所希望的那块成长大饼,大部份都落到像三星等开始销售 SSD 的公司手中了──他们所销售的 SSD 采用的是自家的 NAND flash芯片与控制器。此外,以往向Sandforce公司购买控制器产品的一些小型独立SSD制造商,也不敌三星、Sandisk等垂直整合巨擘,开始逐渐失去原有市场了。这种转变始于2011年。当时, NAND 快闪记忆体制造商大幅削减晶圆厂设备资本支出,他们认为记忆体芯片市场已经供过于求了。因此,今年的 NAND 快闪记忆体价格大约上涨了20%,Talwalkar估计。同时,快闪记忆体芯片制造商,如三星已更积极地制造与销售自家的 SSD ,因为SSD比起一般芯片更有利润。相较于独立制造商,NAND供应商更有机会赢得这项业
闪迪SSD为华硕ZENBOOKUX301LA提速
华强电子网 (0)全球闪存存储解决方案领导厂商闪迪公司宣布,华硕ZENBOOK™ UX301LA超极本将借助高度紧凑的SanDisk X110固态硬盘(SSD)实现极速智能存储。这款全互联形成高性能RAID 0配置,能够同时向这两块驱动器写入数据。这使得该款笔记本电脑不仅具备高达512GB的大容量快速响应闪存存储,而且依然承袭华硕超极本**纤薄、圆润的外观。借助闪迪先进的闪存存储架构,SanDisk SSD可大幅增强超极本的性能,实现应用程序快速启动,数据疾速传输,还能在每次触摸笔记本屏幕时流畅、灵活地与应用程序交互。华硕公司全球副总裁兼笔记本事业处总经理许先越先生表示:“ZENBOOK UX301LA 将**笔记本电脑的强悍计算能力和**纤薄的设计融于一身,是我们推出的外形*时尚、功能*强大的超极本。闪迪高速 X110 SSD 为全新 ZENBOOK 带来可靠的快速响应能力,实现令人愉悦的用户体验,而 SSD 的小巧外形更是为这款笔记本电脑的轻薄便携特质添砖加瓦。”华硕笔记本电脑中搭载的智能型 SATA 6Gbps SanDisk X110 SSD 可以大幅缩短电脑启动和关机时间,同时让系统进入和退出
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SanDisk
19 2013年08月06日 星期二SanDisk发布业界**的19纳米SSD
新电子 (0)瞄准超轻薄超极本(Ultrabook)、笔记本电脑及平板装置终端用户对于更高运算效能与反应速度的SSD需求,SanDisk已率先业界发布采用19纳米(nm)NANDFlash制造的固态硬盘(SSD),以迎合消费者和个人电脑(PC)制造商对于更高运算效能及更快反应速度的要求。SanDisk客户储存解决方案行销总监CliffSun表示,现阶段,三星(Samsung)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)及??SanDisk前五大SSD供应商中,仅有SanDisk拥有自己的储存型快闪记忆体(NANDFlash)晶圆厂,因此旗下SSD的成本更具竞争力,且能更快导入先进奈米制程投产新一代SSD方案。SanDisk客户储存解决方案行销总监CliffSun据了解,SanDisk采用先进19奈米制程的SSD,还导入自家的智慧快闪记忆体架构--**高效能分层系统架构(High-performanceTieredSystemArchitecture),以及该公司**的nCache加速技术,可达到更高性能、更快反应速度及更省电的水准。Sun指出,该公司采用19奈米制程量产的SS
SanDisk推出基于SATA接口的高性能SSD
国际电子商情 (0)闪迪宣布推出SanDisk X210 SSD,以进一步加强旗下的固态硬盘(SSD)产品线。X210 SSD解决方案基于SATA接口,具有响应快速、高效节“自今年较早前推出闪迪SSD商用销售渠道以来,我们已经收到来自众多企业的积极反馈,他们在数据中心、商务台式机和笔记本电脑中采用闪迪固态硬盘技术后,收效显著。X210 SSD采用闪迪*先进的闪存技术和多项智容量高达512GB1。高达 505/470MB/秒的连续读写性。闪迪商用销售渠道闪迪商用销售渠道已在今年早些时候推出,旨在向增值经销商(VAR)、系统集成商(SI)和直销商(DMR)提供OEM和企业级固态硬盘。眼下,商用销售渠道提供的产品系列已覆盖所有企业级固态硬盘解决方案,包括闪迪X210 SSD、闪迪X110 SSD、Lightning SAS企业级SSD和Lightning PCIe企业级固态加速器。有关闪迪商用销售渠道和闪迪**合作伙伴计划的详细信息,请访问businesspartners.sandisk.cn。
3DNANDFlash走起三星/海力士已启程
华强电子网 (0)随着传统的半导体制造技术在NAND flash领域即将达到极限,存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术以提高产能。根据IHS的报告显示,到2017年,全球近三分之二(65.2%)的快闪存储器芯片将采用3D技术,而在2013年这一比例仅为1%。2014年采用3D技术的快闪存储器芯片比例将增至5.2%,2015年则将飙升至30.2%。到了2016年这一比例将扩大至49.8%,几乎占整个快闪存储器市场的一半。“普遍认为采用传统平面半导体技术的NAND flash再经过一代或两代就将达到理论极限,”IHS内存和存储**分析师Dee Robinson表示。“随着平面印刷技术进一步萎缩,NAND的性能和可靠性将仅适合极低成本的消费性产品。在未来几年,由于NAND厂商被迫开发更高密度和更低价格的产品,因此将会迅速向3D制造转移。”三星和SK海力士这两个全球*大的存储器厂商在8月份的加州圣克拉拉快闪存储器峰会上发布了他们的3D NAND**成果。三星表示该公司名为V-NAND的3D快闪存储器产品已经在**季度开始商用化生产。其终端产品将会是480千兆字节以及960千兆字节的V-NAND固态硬盘,初期目