中芯国际14纳米晶圆技术产品或2019上半年投产

集微网消息，昨日中芯国际公布业绩报告，公司第四季盈利按年减半，主因收入下跌及毛利率由前年同期30.2%跌至期内的23%。不过，公司预期，今年**季收入将增长7%至9%；毛利率回升至25%至27%的范围内。显示今年**季业绩应好转。 其实，中芯国际去年收入按年增长6.4%，与整个晶圆代工行业增长率相约。公司的亮点在于，成功增加产销28纳米技术产品，在去年四季度收入贡献升至超过10%；同时，收入来源愈来愈多样化，如去年汽车和工业相关收入比2016年收入倍翻。事实上，在之前的三年内，公司凭借高产能利用率推动收入和盈利双增长；而过去两年，则进入过渡期，为下一阶段的成长准备好技术和工厂。而其未来成长动力包括：28纳米、闪存、指纹识别传感器和电源管理芯片。公司联席**执行官赵**在报告指出，2017年收入同比增长6.4%，与晶圆代工行业成长率相当，成功上量28纳米技术产品组合，在去年第4季收入贡献超过10%，第4季28纳米技术产品占营业收入的占比逐渐提高至11.3%。他解释，第4季毛利率有所下跌主是因为用在先进工艺的研发开支大幅增加。 公司**财务官高永岗指，该集团正发展14纳米晶圆技术产品，早前

梁孟松加盟中芯国际出任联合**执行官 加快28纳米、14纳米先进工艺进程

2017年10月16日，中芯国际宣布任命赵**、梁孟松为中芯国际联合**执行官兼执行董事。此前，即有消息称，梁孟松将加入中芯国际，推动技术研发的进展。现在，随着中芯国际正式宣布梁孟松的加盟，预计将使中芯国际冲刺28纳米HKMG（高介电常数金属闸极）和14纳米先进工艺的进程进一步加速。中芯国际联合**执行官兼执行董事梁孟松博士表示：“我非常荣幸出任中芯国际联合**执行官兼执行董事，这对我而言既是机遇也是挑战。中芯国际近年来的快速发展令业界瞩目，我期待着与董事会、赵**博士和管理团队的精诚合作，持续提升中芯国际在国际集成电路制造领域的竞争力。”梁孟松现年65岁，毕业于美国加州大学伯克利分校电机工程及电脑科学系，并取得博士学位。在半导体业界有着逾33年经历，从事内存储存器以及先进逻辑制程技术开发，拥有逾450项半导体**，曾发表技术论文350余篇。在接受记者采访时，中芯国际执行副总裁李智表示，梁孟松加盟中芯国际，并与赵**共任联合CEO，将取得1+1＞2的效果。梁孟松几十年在半导体业的从业经验，将在技术发展规划、先进管理理念的带入等方面，对于中芯国际的成长发挥重要促进作用。针对业界普遍关注的

EUV热潮不断 中国该何时入场？

国际半导体制造龙头三星、台积电先后宣布将于2018年量产7纳米晶圆制造工艺。这一消息使得业界对半导体制造的关键设备之一极紫外光刻机（EUV）的关注度大幅提升。此后又有媒体宣称，国外政府将对中国购买EUV实施限制，更是吸引了大量公众的目光。一时之间，仿佛EUV成为了衡量中国半导体设备产业发展水平的标杆，没有EUV就无法实现半导体强国之梦。以目前中国半导体制造业的发展水平，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？EUV面向7nm和5nm节点所谓极紫外光刻，是一种应用于现代集成电路制造的光刻技术，它采用波长为10～14纳米的极紫外光作为光源，可使曝光波长降到13.5nm，这不仅使光刻技术得以扩展到32nm工艺以下，更主要的是，它使纳米级时代的半导体制造流程更加简化，生产周期得以缩短。赛迪智库半导体研究所副所长林雨就此向《中国电子报》记者解释：“光刻是芯片制造技术的主要环节之一。目前主流的芯片制造是基于193nm光刻机进行的。然而193nm浸没光刻技术很难支撑40nm以下的工艺生产，因此到了22/20nm及以下工艺节点，芯片厂商不得不将193nm液浸技术和各种

传中芯国际14纳米FinFET后年量产

2017年11月底中芯国际完成权益类组合融资交易，合计募集资金9.72亿美元，创下2004年IPO以来*大金额的权益类融资，且除兆易**外，包括大唐控股、国家集成电路产业基金等均积极参与， 代表两大股东对于未来中芯国际发展的战略性支持，也突显中芯国际在中国半导体业发展蓝图上将持续扮演关键的角色。事实上，2017年11月兆易**公布将以不超过7000万美元的额度来认购中芯国际的配售股份，而交易完成后，兆易**将持有中芯国际1.02%的股份，不但可藉由中芯国际的产能来确保兆易**NORFlash供货的稳定性， 且双方可以发展多层次的战略合作关系之外，也显示半导体产业链的结合或策略联盟的频率将有所提升。而预料中芯国际的布局重点将包括:持续追赶先进制程、实施差异化策略、启动产能扩张、跨界整合后段封测等。 其中在制程的规画上显然将采取多元化的策略，也就是先前公司积极延揽前Samsung、台积电技术高层梁孟松，也就代表中芯国际并不放弃先进制程的追逐，其中中芯国际的**阶段PolySion制程已经量产， **阶段是**代的HKMG制程(中芯称为HKC制程)，已经在2017年**季开始产出，2017年

董事长王占甫:大基金促进技术和产业指标快速提升

设立产业投资基金支持战略性产业发展，是一项重大制度**。国家集成电路产业投资基金（以下简称“大基金”或“基金”）自2014年9月24日成立以来，就吸引了各方的关注。目前，基金投资的情况如何？取得了哪些显著成效？持续发展面临哪些问题？下一步的工作思路是什么？积累了哪些宝贵经验？近日，就上述问题，记者采访了国家集成电路产业投资基金股份有限公司董事长王占甫。 “通过设立产业基金支持战略性产业发展，既可实现国家意志，满足战略性产业对长期投资的要求，又利用基金机制有效避免了国家直接拨款或直接投资等传统支持方式带来的弊端。”王占甫表示，国家集成电路产业投资基金从多元化募资、公司治理、管理架构、投资决策机制、投资战略定位、平衡收益等多方面，积极探索国家战略与市场机制相结合，明显提升了集成电路全产业链竞争力，并积累了很多经验和好的做法。快速形成投资能力促进了上下游协同发展王占甫介绍说，三年来，在国家集成电路产业发展领导小组及办公室、相关部委指导下，大基金管理运营团队严格落实《国家集成电路产业发展推进纲要》要求，加大对集成电路设计、制造、封测、装备及材料等各环节的投资布局，支持骨干企业突破关键技术，带动

联电：暂不参与先进制程竞赛 专注提升28和14纳米竞争力

人民日报：在芯片研制技术上 中国有望赶超国外

工作速度是英特尔*先进的14纳米商用硅材料晶体管速度的3倍，而能耗只是其四分之一。这是北京大学教授彭练矛带领团队前不久研制出的碳纳米晶体管优异的性能指标，意味着中国科学家有可能研制出以此类晶体管为元器件的商用碳基芯片，有望在芯片研制技术上赶超国外同行。 研制出碳纳米晶体管无疑是我国科学家奋力追赶世界先进水平的征途中取得的一个重大胜利，是中国���息科技发展的一座新里程碑。从进入新世纪以来，特别是2008年以来，中国致力于打造自己的**芯片产业链。经过持之以恒的努力，中国芯片的研发不仅取得了阶段性成果，而且在国际芯片*前沿的碳纳米晶体管研制领域取得了重大成果，为向世界**水平迈进奠定了坚实基础。现代信息社会的根基“芯片”是我们耳熟能详的现代信息科技热词之一，但它究竟是什么呢？在没有回答这些问题之前，让我们先熟悉一下“集成电路”。“集成电路”是一种微型电子器件或部件。人们采用一定工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性

7nm EUV禁运怎么办？中国半导体要“有所为有所不为”

导读： 近日见到一文“7nm大战在即买不到EUV光刻机的大陆厂商怎么办？”。受“瓦圣纳条约“的限止，今天中国即便有钱想买EUV光刻机也不可能，此话是事实，不是危言耸听。但是也不必担心，因为只有工艺制程达到7纳米及以下时才会使用EUV光刻机。对于这样的现状，首先心态要放正确。西方继续压制中国半导体业的进步，这个政策在相当长时间内还会持续下去。然而时代在改变，双方都有一定的依赖性，因此是一场力量的搏奕。如果自身缺乏足够强大的力量，那就会丧失争辩的余地。01 芯片设计业走在前列 现阶段中国的IC 设计业肯定走在前列，如海思的Kirin 970，它将是华为**款采用 10 纳米制程技术的手机芯片，而且将继续由晶园代工龙头台积电来进行代工，预计将可能在 2017 年底前问世。所以从中国的芯片设计业角度，一定需要去思考7纳米及以下的进程。另外从IC研发角度，对于7纳米及以下的工艺制程，由于周期很长，现在启步也很有必要，但是研发与量产是两个不同的阶段，差异很大，也并非一定要用EUV光刻，用电子束光刻也同样可以。电子束光刻的问题不是精度不够，而是速度太慢，每小时才10片硅片左右。但是现阶段中国芯片制造

砥砺奋进的五年 集成电路实现绝地大反击

今年6月，我国超级计算机“神威·太湖之光”荣获世界超算领域的三连冠。值得关注的是，“神威·太湖之光”**采用了国产芯片“申威 26010”众核处理器。这是一款具有独特性的处理器，它采用了片上融合的异构众核体系结构，以及具有自主知识产权的指令集和完整的配套软件生态系统。这种独特的体系结构在25平方厘米的方寸之间集成了260个运算核心、数十亿根晶体管，达到了每秒3万亿次计算能力。国产芯片助力中国超算扬威世界，只是近5年来我国芯片技术取得一系列重大突破的一个缩影。 来自海关的统计数据表明，多年来我国进口额*大的商品既不是石油，也不是飞机和汽车，而是小小的芯片。芯片每年进口额高达2000亿美元，原因就在于芯片关键技术掌握在发达国家手里。国内企业自给率只有9.8%，主要制程技术落后国际两代水平。核心芯片受制于人的尴尬，深深刺激着国人的神经。习**总书记强调指出：“核心技术受制于人是我们*大的隐患。一个互联网企业即便规模再大、市值再高，如果核心元器件严重依赖外国，供应链的‘命门’掌握在别人手里，那就好比在别人的墙基上砌房子，再大再漂亮也可能经不起风雨，甚至会不堪一击。”“要紧紧牵住核心技术自主**

深度:中芯国际详解梁孟松、赵**双剑合璧

集微网上海报道 10月16日晚间中芯国际召开临时董事会议，正式宣布梁孟松出任中芯国际联合CEO(Co-CEO)，并自即(16)日起生效。业界猜测了一年多的关于梁孟松的任职问题终于确定，双CEO的的结局出人意料又在情理之中。梁孟松的就任开启了中芯国际**执行官的“双CEO”制，在中国半导体企业中也是首例，未来梁孟松也像赵**一样，直接向董事会负责并汇报。中芯国际发布的公告称：梁博士已与本公司签订董事服务合约(其中规定任命为执行董事之条款)，任期自2017年10月16日起至本公司于2019年举行的股东周年大会为止。此外，梁博士亦会与本公司订立劳动合约(其中规定任命为联合**执行官之条款)，建议任期为3年。梁博士被任命为联合**执行官，无须由股东重选，亦无须轮值退任。作为本公司联合**执行官兼执行董事，梁博士有权获得税后200,000美元的年度现金酬金。梁博士的薪酬方案由董事会根据本公司董事及**管理人员薪酬政策及参考董事会薪酬委员会的建议厘定。股权方面尚未公布。至此，中芯国际董事会将包括四名执行董事，包括：周子学 (董事长)、赵** (联合**执行官) 、梁孟松 (联合**执行官) 、高永

主宰半导体世界的摩尔定律这回真的走到终点了？

联电营运策略大转弯 倾全力推出改版28HPC和22ULP制程

联电共同执行长王石26日首度主持线上法说会，他先预告28纳米HKMG制程在下半年度会显著下修，但现在已着手准备改版的28纳米HPC/HPC Plus制程产品，预计3~4季度之后会顺利衔接，同时22纳米ULP制程*快在2018年中问世，联电会充分利用现有的制程平台资源，来提升营运效率、获利能力等，不会做无效的过度投资，同时2017年的资本支出也从20亿美元下修为17亿美元。王石首度主持法说会，各界对于联电的前景、定位、技术发展蓝图等观点都抱持高度兴趣，王石也诚意十足一一回答外界的疑问。针对28纳米制程方面，他先预告，基于客户集中度过高的因素，联电的28纳米HKMG产能会在第3、4季开始往下修正，主因是该客户的产品调节策略，以及转进更高阶如16/14纳米制程技术。业界表示，该客户应该是高通(Qualcomm)，基于产品线调整因素减少28纳米HKMG投单，但联电改版制程推出后，订单会回笼。另外，在28纳米的PolySiON方面，联电目前的产能全满。同时，预计在3~4个季度之后，联电会有改版的28纳米HPC/HPC Plus技术问世，届时会是**、三波28纳米需求的涌现，公司内部对于改版技术非

首款Gbit MRAM芯片亮相！海力士量产14纳米TLC NAND Flash

1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；2.东芝芯片业务出售一波三折 谁能如愿以偿？；3.美光扩大研发中心规模　强化研发进入新领域；4.SK海力士量产14纳米TLC NAND Flash 打破平面16纳米*终迷思；5.大陆存储器封测需求大　矽品重返标准型DRAM；6.储存技术将改写监控产业资料处理方式 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.首款Gbit MRAM芯片亮相！；新的1-Gbit MRAM芯片可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终在SSD与快闪存储器储存阵列中找到取代DRAM的出路…在日前举办的年度快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit；FMS)上，Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片，并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息，象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中，有越来越多的持久型存储器开始出现显著进展。Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取，*终得以在固态硬

展讯推14纳米LTE芯片 瞄向千元手机市场

8月15日，展讯举办2017全球合伙伴大会，全新发布了两款高性能且具差异化的全系列LTE芯片平台：基于英特尔架构的14纳米8核64位LTE芯片平台SC9853I以及五模高集成低功耗LTE芯片平台SC9850系列。同时，展讯还就2017年的公司市场战略进行了详细阐释，将重点发力中端千元机市场。目前上述两款芯片系列产品已经实现大规模量产。瞄向千元机的中端市场本次合作伙伴大会上，紫光集团董事长赵伟国在致辞中表示，当前美日韩等国对于中国IC产业严防死守，但是中国IC产业的崛起是大势所趋。三年来，紫光集团给予展讯大力支持，投入资金超过100亿元，使得展讯取得了快速发展。在2013年展讯被收购��，公司产品趋向单一，主要面向2G和3G TD-SCDMA（不涵盖3G WCDMA和4G LTE）领域，产品类别为基带芯片和射频芯片，终端方案多为功能型手机产品。2013年展讯被收购后，在紫光集团的大力支持下，仅用不到3年的时间迅速改变了单一产品（2G/3G功能机）、单一市场（集中在中国的TD-SCDMA市场）的局面，成为拥有**产品线的手机芯片设计企业。目前，展讯的产品完整地覆盖2G（GSM/GPRS/ED

“中国芯”走出自强路

工作速度是英特尔*先进的14纳米商用硅材料晶体管速度的3倍，而能耗只是其四分之一。这是北京大学教授彭练矛带领团队前不久研制出的碳纳米晶体管优异的性能指标，意味着中国科学家有可能研制出以此类晶体管为元器件的商用碳基芯片，有望在芯片研制技术上赶超国外同行。 研制出碳纳米晶体管无疑是我国科学家奋力追赶世界先进水平的征途中取得的一个重大胜利，是中国信息科技发展的一座新里程碑。从进入新世纪以来，特别是2008年以来，中国致力于打造自己的**芯片产业链。经过持之以恒的努力，中国芯片的研发不仅取得了阶段性成果，而且在国际芯片*前沿的碳纳米晶体管研制领域取得了重大成果，为向世界**水平迈进奠定了坚实基础。现代信息社会的根基“芯片”是我们耳熟能详的现代信息科技热词之一，但它究竟是什么呢？在没有回答这些问题之前，让我们先熟悉一下“集成电路”。“集成电路”是一种微型电子器件或部件。人们采用一定工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性

集成电路装备专项技术总师叶甜春:点面突破 助推产业发展

武汉新芯发生化学污染 影响晶圆约9000片

1.武汉新芯遭化学污染 NOR Flash缺口扩大；2.五年慈善行 中芯国际“芯肝宝贝计划”累计捐款超1500万；3.厦门联芯28nm本季投产5000片；4.华天集团与西安签合作协议 未来年封装能力达36亿支；5.展讯有望提供首批5G商用芯片；6.北京新兴产业研发经费5年增长58% 集微网推出集成电路微信公共号：“天天IC”，重大新闻即时发布，天天IC、天天集微网，积微成著！长按 laoyaoic 复制微信公共号搜索添加关注。 1.武汉新芯遭化学污染 NOR Flash缺口扩大；集微网消息，武汉新芯厂内传出化学污染事件，虽然没有造**员伤亡，但是造成NOR Flash产线制程污染，影响产能约在9000片左右，市场预料，将造成NOR Flash产能造成缺口。由于美光及Cypress相继退出中低容量的NOR Flash市场，使中低容量产品全球供给量遭遇缺口，如果武汉新芯受到化学污染为真，有望再度推升NOR Flash报价。外电指出，武汉新芯厂内发生化学污染，使产线晶圆受到污染，受到影响产品数量约在9000片左右，据传在武汉新芯投片的Cypress及晶豪科产品都受到影响，不过目前尚未能得知何

格芯7纳米FinFET2018年下半年量产

格芯今日宣布推出其具有7纳米**性能的(7LP)FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如**移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的**批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于*初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球**的Fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。格芯CMOS业务部**副总裁Gregg Bartlett先生表示：“我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。我们看到，格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在*前沿领域内获取***的技术蓝图。”格芯还将持续投资

格芯推出性能**的7纳米FinFET技术 实现40%的跨越式性能提升

集微网消息，格芯今日宣布推出其具有7纳米**性能的（7LP）FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如**移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的**批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于*初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球**的Fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。格芯CMOS业务部**副总裁Gregg Bartlett先生表示：“我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。我们看到，格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在*前沿领域内获取***的技术蓝图。”据

厦门联芯28nm本季投产5000片

联电的先进制程技术已前进至14纳米，转投资的厦门联芯也已获准切入28纳米，联电财务长刘启东指出，14纳米制程已于近日量产出货，预计今年会带来营收贡献。晶圆双雄台积电与联电的股东会都在昨日登场，联电的小股东纷纷发言关心联电的股价与获利，刘启东表示，联电今年前四月业绩成长9.2%，去年其平均产能利用率为89%，今年前四月则超过95%，今年会努力达到成长目标。联芯引进28纳米制程之后，本季投产5000片，预计第3季产出，主要是供应大陆客户通讯应用所需，后续规划今年底前再增5000片设备装机，明年初投产后，估计明年中会开始有产出。加上联芯目前也有6000片产能为40纳米制程，其今年底建置总产能将达1.6万片。刘启东说，后续联芯产能扩增到2.5万片的部分，会以28纳米为主，但扩产时程未定。而联芯也预计要等产能达2.5万片后，才可能达损益平衡。至于联电14纳米制程，目前月产能为2000片，以消费性产品应用为主。对于小股东质疑为何联电转投资的和舰与联芯去年均呈现亏损，刘启东指出，和舰本业获利不错，亏损主要是来自于其投资联芯。而联芯于去年11月才量产，去年尚未产生太多营收，但必须认列建厂费用，所以初期

代工大战改变台积电独霸地位？

全球代工红火，增长率几乎是整个半导体业增长率的一倍。而代工业利润中至少80%以上被台积电拿走。在此情况下引发新一轮全球代工业大战几乎是必然的。近期三星高调抢走高通的订单，并宣布将代工部门从半导体事业部门中分离出来，成为一个独立部门，引起了业界的强烈反响。另一条重要消息是，展讯推出14纳米8核64位LTE芯片平台SC9861G-IA，除了颇为不俗的性能之外，这款芯片*大的亮点在于是由全球掌握*先进制造技术的英特尔为其代工，而且采用的是英特尔目前*先进的14nm制造工艺。此外，格罗方德在成都建设12英寸生产线，并扬言于2019年推出22纳米FDSOI工艺。这些消息都显示，新一轮晶圆代工业的大战正在酝酿。台积电在代工领域具优势地位在新一轮激烈竞争中，全球代工台积电独霸地位会改变吗？回答这个问题首先要看是谁掌握着*先进的工艺制程技术。理性分析，英特尔可能走在*前面，原因是英特尔每年的研发投入*多，达100亿美元。不过，由于全球工艺制程的定义不统一，各有各的宣传口径，导致英特尔、三星及台积电三家都认为自己能“**”。经营模式也是一个重要的观察要素。分析全球代工的态势，一要务实，二要掌握代工业的要

兆芯与华力携手，开发国内**通用CPU专用工艺平台

近日，记者获悉国产CPU企业兆芯正与国内主要12英寸晶圆代工企业上海华力微电子有限公司合作开发国内**通用CPU的28纳米专用制造工艺平台。这将为国产CPU的成熟与发展提供有力支撑。将掌握通用CPU生产工艺基于x86架构开发的国产CPU企业兆芯日前展示了其*新一代处理器ZX-D系列。“ZX-D系列处理器现在已经在台积电成功流片，预计今年年底前将会有搭载它的整机产品发布。该产品性能相当于英特尔i3~i5处理器之间，不仅定位于党政军等市场，也将向公开市场拓展。”兆芯副总裁傅城告诉记者。在展示新一代产品的同时，傅城还透露，该公司与华力微合作，基于华力微正在开发的28纳米工艺平台，开发国内**用于通用CPU生产的专用工艺。资料显示，兆芯的28nm工艺从2013年开始做预研，2014年正式设计，2015年在台积电实现量产。不过对于通用CPU设计企业来说，从专用市场进入面向普通消费者的公开市场是一个重大的挑战。不仅要综合考虑开发成本、芯片性能、市场接受度等环节，还有一个主要难点，即制造工艺环节。目前，国内晶圆厂尚难以实现对通用CPU生产工艺的完全掌握。尽管CPU企业掌握了设计技术，但一颗高质量、高

集成电路专项申请2000多项国际发明**

芯片强则产业强，芯片兴则经济兴，没有芯片就没有**。作为**制造业的“皇冠明珠”，芯片即集成电路，是衡量一个国家综合实力的重要标志之一，是信息产业的核心。曾经，我国集成电路**装备和材料基本处于空白状态，完全依赖进口。如今，2万多名科技工作者历经9年攻关，国家科技重大专项成功打造集成电路制造业**体系，**和支撑我国集成电路产业快速崛起，辐射带动了LED和光伏产业****。5月23日，科技部会同北京市和上海市人民政府组织召开了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（简称集成电路专项）成果发布会，宣布国家科技重大专项打造集成电路制造**体系的阶段性目标已经实现。主流工艺水平提升5代，**装备和材料从无到有科技部重大专项办公室主任陈传宏介绍，集成电路芯片是信息时代的基石，集成电路制造技术代表着当今世界微细制造的*高水平。专项技术总师叶甜春将集成电路比喻为现代工业的“粮食”，手机、电脑、家电、汽车、高铁、工业控制等各种电子产品和系统都离不开集成电路。没有集成电路产业支撑，信息社会就失去了根基。在先进制造装备、材料和工艺引进等方面，我国集成电路产业长期以来受到西方的种种限制，高

我国集成电路重大专项取得多项重要成果

5月23日，科技部会同北京市和上海市人民政府组织召开了国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”（简称集成电路专项）成果发布会。集成电路芯片是信息时代的核心基石，集成电路制造技术代表着当今世界微细制造的*高水平。长期以来，我国集成电路产业一直受到西方在先进制造装备、材料和工艺引进等方面的种种限制，**芯片主要依赖进口。为实现自主**发展，2008年国务院批准实施集成电路专项，主攻装备、工艺和材料的自主**，由北京市和上海市人民政府牵头组织实施。据科技部介绍，自集成电路专项实施以来，共有200多家企事业单位和2万多名科研人员参与攻关，9年来，中国已经研制成功14纳米刻蚀机、薄膜沉积等30多种**装备和靶材、抛光液等上百种材料产品，性能达到******，中国集成电路制造技术实现了“从无到有”、“由弱渐强”的巨大变化。据悉，集成电路专项已经在14纳米装备、工艺、封装、材料等方面进行了系统部署，预计到2018年将**进入产业化。“十三五”重点支持7-5纳米工艺和三维存储器等国际先进技术的研发，支持中国企业在全球产业链中拥有核心竞争力，实现产业自主发展，形成特色优势。

中国IC发展战略需要再定位

近年来中国集成电路产业快速成长，发展势头被各方看好。但中国IC产业也引发了国际同行的疑虑：中国想干什么？中国想怎么干？是竞争对手还是合作伙伴？针对这些问题，中国科学院微电子研究所所长叶甜春指出，中国IC产业在经历了从无到有的产业链布局后，需要确立“升级版”的发展战略，在全球格局中需要再定位。 IC产业发展为何需再定位我国集成电路产业之所以能够在短时间内获得高速发展，叶甜春指出，任何产业的发展都离不开产业链、**链与金融链的协同配合，像集成电路这样全球化、高技术密集型的产业，更需要“三链”的配合推进。2008年，核高基、集成电路专项、新一代无线通信等国家科技重大专项开始实施，我国开始围绕集成电路的产业链部署**链；2011年发布的《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（国发〔2011〕4号文），在资金、政策、融资、人才等方面为集成电路企业提供了重大支持，产业链建设加速；2014年《国家集成电路产业发展推进纲要》（国发〔2014〕4号文）发布，建立了***的集成电路产业投资基金，同时激励了地方与社会资本对集成电路产业大规模投入，激活了集成电路产业的金融链。目前，我国集成电路的技

赵伟国亮相央视对话:未来1至2年让咱中国产品都用上中国芯

客户延迟订单 格罗方德宣布美国三大晶圆厂裁员

2016 年受惠于半导体产业的发展畅旺，几家晶圆制造厂商都有不错的消息传出。包括台积电 2016 年创下营收新高的历史纪录，三星则取得与手机芯片高通（Qualcomm）的合作，并抢先跨入10纳米制程，而半导体业龙头英特尔则积极优化14纳米制程，量产出新规格芯片。但是，唯独格罗方德（GlobalFoundries）似乎面临了发展上的瓶颈，并且在上周宣布，旗下的美国晶圆厂将要进行裁员，原因是客户延迟了相关的订单所致。 根据外电报导，格罗方德公司的发言人 Jim Keller 在上周表示，由于部分客户延迟了相关订单，造成目前格罗方德的业务量缩减。因此，公司不得不在这个时间点上进行相关的裁员动作。不过，Jim Keller 并没有公布格罗方德将会裁减多少员工，也没透露具体的裁员规则。目前仅知道，格罗方德旗下的美国三大晶圆厂（另外在德国与新加坡等地还有晶圆厂），包括位于纽约州的、**生产14纳米制程的Fab 8晶圆厂都要进行裁员，而裁员方式则会透过提前退休等方式来达成。目前市场占有率仅次于台积电，排行全球**的格罗方德，目前是超微 （AMD） 的主要代工厂，包括近期 AMD 所推出的 Rzyen

华力二期先进工艺与特色工艺并重

2016年年底，华力微电子宣布启动总投资达387亿元的二期建设项目。这是我国*新规划建设的一条以28~14纳米工艺为目标的12英寸晶圆生产线。业界对其发展进程高度关注。日前，华力总裁雷海波在“2017中国半导体市场年会”演讲中，阐述了“先进成熟”工艺的发展理念。有观点认为，这将是华力在其二期项目建设中采取的一项重要发展策略。“先进成熟”工艺将成二期发展策略“目前，与******相比，中国大陆的半导体制造产能与工艺技术水平仍有很大差距。2016年，中国大陆晶圆代工产能仅占全球的14.6%，28纳米及以下工艺产能仅占全球的1.4%。做大规模是做强的基础，特别是要对‘先进成熟’工艺（28、14纳米）的产业化加大力度。其中，加大产业化投入是指加大每年的基础研发投入和前瞻性技术的研发投入。另外，加强本土半导体产业人才培养也是产业化投入的重要部分。”这是雷海波在演讲中重点强调的观点之一。2016年，华力一期投产之后正式启动了二期项目建设，通过新设法人——上海华力集成电路制造有限公司的方式，在浦东新区康桥工业区南区新征土地建设一条月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线。根据规划，华力二期新生产线的

展讯14纳米Intel内核芯片SC9853预计Q3登场

英特尔(Intel)大规模跨足晶圆代工领域，与大陆IC供应商展讯合作的首款14纳米9861芯片告捷后，正酝酿**颗14纳米9853芯片第3季正式登场，象征英特尔的晶圆代工策略连出两记重拳，借由与展讯合作14纳米之后，对台积电独门的晶圆代工地盘，展开侵门踏户的攻势！ 英特尔以前都将晶圆代工当成副业经营，但2016年宣布与安谋(ARM)达成合作协议后，将入侵晶圆代工地盘的狼子雄心全端上台面，也正式进入台积电的戒备雷达中，成为仅次于三星电子(Samsung Electronics)的主要竞争对手。英特尔又积极出面扮演延续摩尔定律主导者的角色，**院士Mark Bohr公开表示，英特尔的14纳米芯片相当于竞争对手的10纳米，台积电的16纳米实际上是19纳米，而7纳米等同于英特尔的13纳米，可以显见，英特尔进军晶圆代工领域的**步，是不断以技术**来宣示半导体产业的主控权。英特尔进军晶圆代工*具代表性的一役，就是拿下原本是台积电客户的展讯14纳米制程大单，**步是与同为台积电客户的韩系大厂LG开始合作。值得注意的是，英特尔和展讯合作的**颗14纳米芯片在2017年初量产后，**颗14纳米芯片已计

台积电联电同步扩充28纳米产能

台积电和联电同步扩充28纳米产能。具体而言，台积电增幅约二成，由于在此市场上拥有逾七成高市占及高制程成熟度，预料将是推升台积电营收和获利的主力。台积电同时推出强效版的12纳米ULP制程，协助主力客户联发科对战高通的14纳米，挽回市占率流失。联电配合南科厂28纳米脚步扩充完成，并成功量产14纳米产品后，本季也启动厦门子公司联芯的28纳米先进制程量产计划，目标则是大陆快速成长的中低端手机芯片市场。台积电供应链表示，台积电冲先进制程几乎是火力全开，其中10纳米已为苹果A11处理器试产，预定下半年大量拉货;5纳米和设备商共同寻求技术路径脚步也全力投入，希望能正式超越英特尔，拿下高速运算电脑和人工智能快速成长商机。但台积电在中低智能手机的扩充脚步仍不停歇。扩充主力制程集中在28纳米ULP及12纳米ULP等领域，主因联发科、高通和展讯等手机芯片厂在28纳米制程需求强劲，加上大陆中芯在28纳米进展不如预期，让台积电决定再扩充28纳米产能。台积电公布第2季各项制程对营收贡献，28纳米制程营收占比仍居首位，高达25%。台积电预料今年月产量将由15万片，再扩增至18万片，增幅达20%。

展讯推出14纳米8核64位中**LTE芯片平台SC9861G-IA

展讯SC9861G-IA采用英特尔先进的14纳米制程工艺，内置2.0GHz高性能的英特尔架构处理器，支持5模CAT 7通讯、超高清视频播放、高分辨率屏幕显示及高达2600万像素摄像头。展讯通信（以下简称“展讯”）今日在2017世界移动通信大会（MWC）上宣布推出14纳米8核64位LTE SoC芯片平台 SC9861G-IA。该芯片平台面向全球中**智能手机市场，采用英特尔14纳米制程工艺，内置英特尔Airmont处理器架构，具备高效的移动运算性能及超低功耗管理，可为用户提供旗舰级的智能体验。作为一款高集成度的LTE芯片解决方案，展讯SC9861G-IA不仅拥有**的能效表现，在通讯模式上可支持五模（TDD-LTE / FDD-LTE / TD-SCDMA / WCDMA / GSM）全频段LTE Category 7 （CAT 7），双向支持载波聚合以及TDD+FDD混合组网，下行速率可达300Mbps，上行速率达100Mpbs，真正实现了4G+的极速上网体验。同时该平台可实现**的多媒体配置，支持高达2600万像素摄像头，实现前后双摄像头的实时摄录、景深、高清图像融合及真正的3D拍摄

集成电路2016年进口2271亿美元 芯片产业需在**破局

联电与新思科技拓展合作 加速14纳米制程定制化设计

日前，才宣布14纳米制程进入客户芯片量产阶段的晶圆代工厂联电，14日再与新思科技（Synopsys）共同宣布，双方将拓展合作关系，将Synopsys的Custom Compiler和Laker定制化设计工具，应用于联电的14纳米FinFET制程上，用以缩短定制化的设计工作。 联电表示，双方的此项合作，是为了建立和验证，用于联电14纳米制程的业界标准iPDK，并**支持Custom Compiler，以提供视觉辅助方案于布局流程。就由此突破性的功能，可缩短客户于布局和连接FinFET元件所需的时程。另外，Custom Compiler的解决方案整合了Synopsys的电路模拟、物理验证和数位实作工具，为联电14纳米制程的客户提供完整的定制化设计解决方案。联电硅智财研发暨设计支援处林子惠处长表示，联电与Synopsys的长期合作，已为客户打造许多iPDK。此次推出的14纳米制成的iPDK，是让客户的布局设计人员，以及联电的内部团队在使用Synopsys的定制化设计工具后，可提升电路布局于FinFET的生产力，帮助客户在14纳米技术量产上，简化设计过程。Synopsys产品销售副总Bijan

投资过热？中国集成电路发展症结解读

DIGITIMES：10nm驱动下2017年台湾晶圆代工产值预估成长7.4%

受移动通讯与电脑应用相关终端市场淡季效应影响，尤其是大陆中低阶智能手机市场进入传统淡季，加上IC设计端客户存货周转天数高于季节水平，晶圆投片意愿降低，DIGITIMES Research预估，2017年第1季台湾主要晶圆代工厂合计营收仅达89.1亿美元，较前季96.5亿美元衰退7.6%，但较2016年同期74亿美元成长20.5%。 2017年第1季台积电10纳米制程与联电14纳米制程开始对营收产生贡献，但金额与占营收比重仍偏低。受以移动通讯为主相关终端市场传统淡季影响，台湾主要晶圆代工厂来自28纳米制程与20/16/14纳米制程合计营收将较前季衰退12.1%、14.9%，也将使得平均销售单价出现连续2季下滑。然而，随高阶智能手机出货成长，DIGITIMES Research预估，10纳米制程将会成为带动2017年下半台湾晶圆代工产值成长的重要动能。受惠于智能手机出货续成长，加上指纹辨识相关IC与电源管理IC需求亦持续攀升，8吋晶圆厂产能将持续满载，台湾主要晶圆代工业者亦进行产能扩充，DIGITIMES Research预估，2017年台湾主要晶圆代工业者合计营收将达374.2亿美元，年