TI在2008年的ISSCC上展出了**45nm芯片，该芯片由代工厂制造，使用了TI以前从未披露的*新工艺技术。与使用65nm技术相比，这个45nm器件将功耗降低了63%同时将性能提高了55%。
目前，TI采用其45nm工艺制程，做出了**个3.5G基带和多媒体处理器。该公司透露了应变硅、沉浸光刻技术和超低K电介质如何在每个45nm硅片上实现双倍芯片生产，同时达到低功耗和高性能的目标。
该3.5G基带处理器使得OEM用于开发出更小的、更薄的便携3.5G设备，如拥有先进多媒体功能的手机（包括高清视频重放、更长的录影和多任务），但不降低电池寿命。
据TI无线芯片技术中心**研究员Uming Ko称，TI的功耗和性能管理技术叫做SmartReflex（**次使用该技术是在90nm节点），这个技术除了应变硅、沉浸光刻技术和超低K电介质外，还有为45nm节点新增的若干专有技术。
TI 45nm工艺是混合信号，使模拟和数字设备能够集成到包含数以亿计CMOS晶体管的芯片中，同时保持了微小封装，使得3.5G基带处理器的封装为12mm*12mm。
3.5G基带处理器基于三个器件：ARM11、TMS320C55 DSP和图像信号处理器以及手机所需要的必要模拟元件，如RF编***等等。高速的DSP可以支持以高清质量3D游戏，同时允许视频会议播放。OEM也将能够支持更长时间的HD视频录制。Ko称，TI低功耗、高性能45nm工艺技术包括配合用户需求的自适应、动态电压调整，没有额外晶圆处理步骤的处理速度，使用不同的阈值电压创建逻辑晶体管。TI的45nm工艺技术也将集成在芯片中的存储器分割，以降低其电压需求同时扩大其规模。
Ko同时展示了*新电源管理工具，该工具通过自动生成寄存器传输语言，从而加速SOC设计。
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传统的电源管理策略注重降低动态功耗，而TI公司的SmartReflex解决方案对电源与性能的相关问题进行了整体分析，能够同时解决动态和静态漏电功耗问题。
SmartReflex技术由三部分组成：**是硅知识产权(IP)，**是能够应用在SoC设计级的技术，第三是管理硬件使能SmartReflex技术的系统软件，这些技术可与其它基于操作系统或第三方软件子系统的电源管理技术无缝连接。（完）
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