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碳化硅
1 2017年07月03日 星期一
三菱电机投资兴建6英寸晶圆生产线扩大碳化硅功率器件产量
达普芯片交易网 (0)三菱电机半导体**技术执行官GourabMajumdar博士日前表示，为了提高三菱电机(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市场渗透率，公司已经开始投资兴建6英寸晶圆生产线来扩产，再配合**技术向市场推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新产品。在刚举行的PCIM亚洲2017展上，Majumdar博士称，三菱电机从2013年开始推出**代碳化硅功率模块，至2015年进入**代产品，并且率先投产4英寸晶圆生产线。由于碳化硅需求量急速增长，三菱电机投资建造6英寸晶圆生产线，配合新技术来缩少芯片尺寸，预计在2018年推出第三代碳化硅功率器件。三菱电机半导体**技术执行官GourabMajumdar博士称自从在1996年推出DIPIPMTM后，累计出货量已超过5亿颗，右为三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生，左为三菱电机半导体大中国区市场总监钱宇峰先生。三菱电机半导体**技术执行官GourabMajumdar博士称自从在1996年推出DIPIPMTM后，累计出货量已超过5亿颗，右为三菱电机半导体大中国区总经理四个所大亮先生，左为三菱电机半导体大中
QORVO全新碳化硅基氮化镓放大器可进一步降低电信基础设施成本
华强电子网 (0)实现互联世界的**RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可*大限度提高线性度、效率和增益，并*终降低运营成本。Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高频技术，GaN器件可以处理更高的功率;相比LDMOS等其他功率技术，GaN的频率性能更出色。”Qorvo高性能解决方案业务部门总经理Roger Hall表示：“如今的电信基础设施设计就是要实现可降低成本的高功效。我们的客户告诉我们，随着运营商在线提供更多功能，新型GaN-on-SiC QPD2731晶体管可实现这些目标。”因为LDMOS和GaN-on-Si与之相比，热性能较差，客户正越来越多地转向使用GaN-SiC，以大幅改善无线基站的性能、线性度和效率。QPD2731通过预匹配分立式GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现这一转变。目前提供样片的这款新型
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