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1 2017年03月24日 星期五富士通推出业界*高密度4 Mbit ReRAM量产产品
富士通 (0)上海， 2016-11-08——富士通电子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出业界*高密度4 Mbit ReRAM（可变电阻式存储器）（注1）产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体（注2）合作开发的首款ReRAM存储器产品。ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器，此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身，同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术，未来预期可以替代目前的FlashRAM，并且具有成本更低，性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20，数据擦写上限是后者的10倍。MB85AS4MT是具备SPI接口的ReRAM产品，能在1.65至3.6伏特电压下工作，并可于*高频率5MHz下进行读写操作，而仅需0.2mA的平均电流。此全新产品适用于需电池供电的穿戴式装置及助听器等医疗设备，例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备上有**的表现。截至目前为止，富士通通过提供具有耐读写及低功耗特性的FRAM（铁电随机存储器），以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求
ReRAM SSD加速数据中心存取效能
EETTaiwan (0)Mobiveil与Crossbar合作将Mobiveil NVMe SSD IP导入Crossbar ReRAM IP区块，开发出以ReRAM为基础的SSD设计，据称能以低于10µs延迟支援每秒512-bit I/O作业，加速数据中心的资讯存取。 固态硬碟(SSD)与NAND快闪记忆体(flash)几乎可说是同义词，但业界一直在尝试使用各种不同的持久型记忆体，同时取得了不同程度的成果。Mobiveil Inc.和Crossbar Inc.*近宣布正进行一项合作，致力于在SSD中使用可变电阻式随机存取记忆体(ReRAM)。这项合作计划是将Mobiveil的NVMe SSD IP放在Crossbar的ReRAM IP区块中；其目标在于以flash NVMe SSD十分之一的超低延迟实现更高10倍的IOPS，从而为大型数据中心加速存取经常要求的资讯。Mobiveil执行长Ravi Thummarukudy表示，该公司的NVMe、PCIe和DDR3/4控制器能轻松地搭配Crossbar ReRAM架构，使其能以低于10us的延迟实现512-bit IOPS。他表示，Mobiveil的NVM E
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