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氮化镓

1 2017年08月11日星期五

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QORVO全新碳化硅基氮化镓放大器可进一步降低电信基础设施成本

实现互联世界的**RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可*大限度提高线性度、效率和增益，并*终降低运营成本。Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高频技术，GaN器件可以处理更高的功率;相比LDMOS等其他功率技术，GaN的频率性能更出色。”Qorvo高性能解决方案业务部门总经理Roger Hall表示：“如今的电信基础设施设计就是要实现可降低成本的高功效。我们的客户告诉我们，随着运营商在线提供更多功能，新型GaN-on-SiC QPD2731晶体管可实现这些目标。”因为LDMOS和GaN-on-Si与之相比，热性能较差，客户正越来越多地转向使用GaN-SiC，以大幅改善无线基站的性能、线性度和效率。QPD2731通过预匹配分立式GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)实现这一转变。目前提供样片的这款新型

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三安、华灿竞相扩产，布局先进半导体产品

DIGITIMES (0)

继大陆LED晶粒龙头厂三安在2017年底宣布斥资人民币333亿元的投资扩产计划，为LED产业投下震撼弹，大陆LED二哥华灿光电亦不甘示弱，2018年开工日随即宣布与浙江义乌工业园区管理委员会签署协定，预计投资人民币108亿元扩产，大陆两大LED晶粒厂纷将扩产投资规模拉升至人民币百亿元等级，使得LED产能竞赛趋于白热化，未来LED市场供需波动将更剧烈。大陆LED晶粒厂在2017年掀起一波扩产潮，随着新产能陆续释放及传统产业淡季效应，近期上游LED供给逐渐转趋过剩，业者预期2018年将是LED是否陷入价格竞争循环的****，面对三安、华灿先后宣布将大举加码扩产投资计划，恐使得产能竞赛再度推向高峰，大陆两大LED晶粒厂延长战线，对峙战局恐持续延烧5~7年，并将导致台系LED厂处境更为堪虑。华灿与浙江义乌工业园区管理委员会签署的投资框架协议，总投资金额为人民币108亿元，建设用地为500亩，总建设周期预计7年，义乌工业园区承诺将协助华灿争取大陆政府优惠政策。华灿此次投资项目包括LED磊晶及晶粒、蓝宝石基板、紫外LED、红外LED、Micro LED、MEMS传感器、垂直腔面发射激光器(VCSE

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世界先进硅基氮化镓进入量产抢进5G车电大饼

工商时报 (0)

5G高频率特性让氮化镓（GaN）半导体制程成为功率放大器（PA）市场主流技术，同时，GaN功率元件也开始被大量应用在车联网及电动车领域。看好GaN市场强劲成长爆发力，世界先进（5347）经过3年研发布局，今年硅基氮化镓（GaN-on-Si）制程将进入量产，成为****家提供8吋GaN晶圆代工的业者，大啖5G及车电市场大饼。台积电及世界先进近年来积极投入GaN制程研发，今年可望开花结果，合力抢进快速成长的GaN晶圆代工市场。台积电与德商戴乐格（Dialog）等客户合作，已开始提供6吋GaN晶圆代工服务；世界先进与设备材料厂Kyma、转投资GaN硅基板厂QROMIS携手合作，去年底已成功试产8吋GaN晶圆，今年将成为全球**提供8吋GaN晶圆代工服务的业者。相较于硅制程及砷化镓（GaAs）等成熟半导体技术，GaN是相对较新的制程。随着5G技术即将**商用，基地台升级商机庞大，由于5G技术上采用更高操作频率，业界对于GaN元件将逐步取代横向扩散金氧半导体（LDMOS）并成为市场主流技术已有高度共识。另外，在手机PA元件部份，3G及4G主要采用GaAs制程，5G因为高频的关系，让GaN制程的

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氮化镓

2 2017年05月22日星期一

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通用适配器来了，氮化镓技术做后盾

Dialog (0)

Tomas Moreno，Dialog公司业务发展与战略总监在过去的半个世纪，硅一直是现代电子工业的基础，原因很显然：到现在为止，硅是大规模应用于*新消费、商业和工业技术***的半导体材料。但是现在，面对一种可提供比旧行业标准更高的速度、更强的功率处理能力和更小的尺寸的新型半导体材料，硅的局限性受到了挑战。这种颠覆性材料就是氮化镓（GaN），自上世纪90年代以来主要用于LED和RF器件的化合物。尽管GaN并不是刚刚发现或新奇的材料，但是GaN刚刚进入下一代电子设备的功率半导体应用，创造了速度和转换效率的新高度。Dialog与台积电（TSMC）合作，推出市场上**高电压GaN功率IC +控制器组合。该功率产品组合（以SmartGaNTM产品系列为先锋）将实现转换效率可达94%的快速充电技术。我们的新PMIC DA8801与Dialog具有**的数字式 Rapid Charge™电源转换控制器结合使用，可以实现比目前的硅场效应晶体管（FET）设计更高效、更小、功率密度更高的适配器。事实上，DA8801可以使硅PMIC的功率损耗和尺寸几乎减半，进而使该技术的成本减半。我们计划首先将这种技术应

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氮化镓有望乘5G起飞亟需建立产业链

大比特商务网 (0)

随着氮化镓(GaN)不断应用在二极管、场效电晶体(MOSFET)等元件上，不少业内专家直言，电力电子产业即将迎来技术的大**。氮化镓虽然在成本上仍比传统硅元件高出一大截，但其开关速度、切换损失等性能指标，也是硅元件难以望其项背的。特别是近年来随着氮化镓广泛被应用于手机快充、电源以及5G市场，氮化镓即将**半导体技术**的呼声越来越高。有望于手机快充、5G市场起飞当下，氮化镓的主要应用市场是手机快充、电源产业。近年来手机快充技术不断发展，已成为智能手机标配，而促进其普及的重要推手便是氮化镓组件。德州仪器(TI)电源管理应用经理萧进皇曾表示：“氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性，能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势，因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域受到市场相当不错的回响，应用需求也越来越多。”为了缩短电池充电时间，缩小快充装置，充电器制造商必须改用氮化镓组件来实现产品设计。据了解，氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。戴乐格(Dialog)便是与台积电合作，利用台积电标准化的650V硅上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术，针

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Imec开发**8英寸无色散常闭式/增强型硅基GaN功率器件

中国国防科技信息网 (0)

[据固态技术网站2017年6月13日报道] 比利时微电子研究中心（Imec）在200毫米/8英寸硅基上成功开发出200V和650V无色散常闭式/增强型氮化镓功率器件。它具有超低动态导通电阻（20%以下）、*先进的性能和再现性。此外，压力测试也展示了良好的器件可靠性。该技术正在准备进行原型设计、定制化小批量生产与技术转移。与硅相比，氮化镓技术可以实现更快开关的功率器件，具有更高的击穿电压和较低的导通电阻，因而氮化镓成为先进功率电子器件的理想材料。比利时微电子研究中心的硅基氮化镓功率器件技术不采用金属，并且与硅晶圆厂的晶圆处理和污染要求相符合。氮化镓器件结构的关键部分是缓冲层，它需要适应AlGaN/GaN材料体系和硅衬底之间的晶格参数和热膨胀系数的巨大差异。比利时微电子研究中心在缓冲层设计方面取得了突破性进展（正在申请**）：允许在大直径200mm晶圆上生长650VGaN缓冲层。通过将硅衬底的厚度和掺杂相结合，200mm氮化镓衬底的产量不断增加，可以低成本生产氮化镓功率器件，逐渐具有竞争力。此外，研究人员已优化清洗和介电沉积条件，并且将继续研究场板设计（用于实现性能改进的常用技术）。因此

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英诺赛科八英寸硅基氮化镓项目战略研讨会召开

中国电子报 (0)

本报讯日前，英诺赛科八英寸硅基氮化镓项目战略研讨会正式召开。与会专家为英诺赛科（珠海）科技有限公司主导建设的****条八英寸硅基氮化镓功率器件生产线进行投产前的战略发展规划。中国电子科技集团公司原副总经理赵正平，北京电子商会原常务副会长、中国信息化推进联盟专家顾问李国庆，国家发改委国家战略新兴产业联盟秘书长陈东升等约40人参加了此次会议。与会专家充分肯定了珠海高新区抢先布局第三代半导体这一国家战略性新兴产业，并就宽禁带半导体器件开发、产业化进展以及应用开发等产业技术热点进行了深入交流，形成以下几点结论。首先，氮化镓外延晶圆及功率电子器件属国家支持的战略性新兴产业，符合国家重点扶持的政策方向，为多项先进技术的核心与基础，将广泛应用于智能通信、新能源汽车、IT与消费类电子、家电、智能电网等领域，产业前景广阔，市场空间巨大。其次，英诺赛科掌握第三代半导体材料氮化镓晶圆及功率器件制造的核心技术，抢先布局八英寸硅基氮化镓项目，占据产业链核心位置，解决我国半导体产业的技术瓶颈，带动上下游技术应用产业发展，助力智能制造。*后，相关技术团队在外延生长、器件设计、芯片制备、器件检测和其他相关方向具备多

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氮化镓组件市场快速成长手机充电器巧扮开路先锋

新电子 (0)

氮化镓组件在小型化电源应用产品领域逐渐扩散，特别是支持快速充电功能的新一代充电器，更是为氮化镓组件创造经济规模，促成应用普及的重要推手。德州仪器(TI)电源管理应用经理萧进皇表示，氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性，能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势，因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域受到市场相当不错的回响，应用需求也越来越多。近年来在消费性电源领域引发话题的手机快速充电、USB-PD等技术，就是氮化镓组件可以大展身手的舞台。快速充电是智能型手机或便携设备用户非常欢迎的功能，而为了缩短电池充电时间，充电器必须用更高的电压或更大电流对电池充电。但行动装置的充电器本身也属可携式产品，其外观尺寸不能为了支持快速充电而增加太多，于这使得充电器制造商必须改用氮化镓组件来实现产品设计。也因为消费性市场存在可观的潜在需求，氮化镓制程已经吸引台积电等晶圆代工业者投入。戴乐格(Dialog)便是与台积电合作，利用台积电标准化的650V硅上氮化镓(GaN-On-Silicon)制程技术，针对消费性市场推出可大规模量产的解决方案。戴乐格企业发展及策略部资