CSD16570Q5B
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TI推出NexFET™ N沟道功率MOSFET 可实现业界*低电阻
赛迪网 (0)1月22日消息,日前,德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET,其中包括具有业界*低导通电阻并采用QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B,可应用于热插拔和ORing应用。此外,TI面向低电压电池供电型应用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纤巧型封装的情况下实现了比同类竞争器件低84% 的极低电阻。如需获取更多信息、样片或参考设计,敬请访问:www.ti.com.cn/csd16570q5b-pr-cn。 CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率,同时在计算机服务器和电信应用中确保**的运作。例如:25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的*大导通电阻,而30-V CSD17570Q5B 则实现了0.69 mΩ 的*大导通电阻。请下载阅读一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A热插拔参考设计,来进一步进行了解。 TI 的新型 CSD1757