TH521-02-200C 功率器件分析仪

点击查看大图

产品价格： < 面议

产品型号：

品牌：常州同惠

公司名称：上海伊测电子科技有限公司

所在地：上海浦东

浏览次数：84 次

立即询价在线咨询

产品简介

该系列功率器件分析仪是一款用于电路设计的综合解决方案，可帮助电力电子电路设计人员选择适合自身应用的功率器件，让其电力电子产品发挥*大价值。它可以评测器件在不同工作条件下的所有相关参数，包括IV参数（击穿电压和导通电阻）、三端F ET电容、栅极电荷和功率损耗。用于电路设计的该系列功率器件分析仪具有完整的曲线追踪仪功能以及其他功能。

产品详细信息

产品特点

TH521-02-20	IV: 200V/20A	TH521-35-20	IV: 3500V/20A
TH521-02-20C	IV: 200V/20A, CV: 10MHz, Qg	TH521-35-20C	IV: 3500V/20A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-200	IV: 200V/200A	TH521-35-200	IV: 3500V/200A
TH521-02-200C	IV: 200V/200A, CV: 10MHz, Qg	TH521-35-200C	IV: 3500V/200A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-600	IV: 200V/600A	TH521-35-600	IV: 3500V/600A
TH521-02-600C	IV: 200V/600A, CV: 10MHz, Qg	TH521-35-600C	IV: 3500V/600A, CV: 10MHz, Qg
TH521-02-1800	IV: 200V/1800A	TH521-35-1800	IV: 3500V/1800A
TH521-02-1800C	IV: 200V/1800A, CV: 10MHz, Qg	TH521-35-1800C	IV: 3500V/1800A, CV: 10MHz, Qg

TH521 的常规特性

•高达3.5kV/1800A的宽广工作范围

•从-50°C到+250°C的全自动快速热测试

•自动创建功率器件（半导体和元器件）的技术资料

•自动记录功能可防止数据丢失

•AI辅助编写python测试脚本

TH521 IV套件特性

•可对封装和晶圆上器件进行全自动快速IV测量（Ron、BV、泄漏、Vth、Vsat等）

•窄IV脉冲宽度（*窄10μs）可防止器件自发热，更准确地测试器件实际性能

•示波器视图（时域视图）可以监测实际电压/电流脉冲波形，以便进行准确测量

•配置可以灵活扩展，添加CV和Qg，将电流范围从20 A扩展到200A、600 A或1800 A

TH521 套件的完整特性

•IV套件的全部特性

•测量封装器件在3.5 kV时的晶体管输入、输出和反向传输电容

（Ciss、Coss、Crss、Cies、Coes、Cres）以及栅极电阻（Rg）

•测量封装器件的栅极电荷（Qg）曲线

•计算功率损耗（传导、驱动和开关损耗）

产品应用

•半导体功率器件

二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析

•半导体材料

晶圆切割、C-V特性分析

•液晶材料

弹性常数分析、液晶切割

•电容元件

电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析

产品参数

MCSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程	输出/测量分辨率	输出/测量精度（% + mV + mV）	*大电流
200mV	200nV	±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)	1A
2V	2μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	1A
20V	20μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	1A
40V	40μV	±(0.06 + 3 + Io x 10)	1A
电流范围、分辨率和精度	输出/测量分辨率	输出/测量精度（%+A+A）	*高电压
10μA	10pA	±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)	30V
100μA	100pA	±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)	30V
1mA	1nA	±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	30V
10mA	10nA	±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)	30V
100mA	100nA	±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)	30V
1A	1uA	±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)	30V
典型分辨率	6½位
*大电压	±30V
*小电流	10pA
脉冲*大占空比	5%（峰值超过100mA时）
脉冲*小宽度	10μs
脉冲*大宽度	100ms（峰值超过100mA时）
直流*大电流	±100mA
脉冲*大峰值	±1A
脉冲*大基值	±50mA（峰值超过100mA时）

MFCMU
	频率范围	1kHz~10MHz
频率	*小频率分辨率	1mHz
	频率精度	±0.008%
	电平范围	0~1V
AC电平	分辨率	0.1mVrms
	精度	±(10%*设定值+2mV)
	范围	0~±25V
DC偏置	分辨率	1mV
	准确度	1%*设定电压+8mV
输出阻抗		100Ω
测试端配置		四端对

测试时间		0.05plc~100plc(1plc=20ms)
电容	显示范围	0.00001pF~9.99999F
电容	*高准确度	0.10%

HVSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程	输出/测量分辨率	输出/测量精度±(%+mV)	*大电流
200V	200uV	±(0.03+40)	8mA
500V	500uV	±(0.03+100)	8mA
1500V	1.5mV	±(0.03+300)	8mA
3500V	3.5mV	±(0.03+600)	4mA

电流范围、分辨率和精度	输出/测量分辨率	输出/测量精度（%+A+A）	*高电压
10nA	10fA	±(0.1 + 1E-9 + Vo x 8E-12)	3500V
1μA	1pA	±(0.05 + 1E-9 + Vo x 8E-12)	3500V
100μA	100pA	±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-11)	3500V
10mA	10nA	±(0.03 + 2E-7+ Vo x 1E-9)	1500V
典型分辨率	6½位
*大电压	±3500V
*小电流	10fA

HCSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程	输出/测量分辨率	输出/测量精度（% + mV + mV）	*大电流
200mV	200nV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.05)	20A
2V	2μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	20A
20V	20μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	20A
40V	40μV	±(0.06 + 3 + Io x 10)	1A
电流范围、分辨率和精度	输出/测量分辨率	输出/测量精度（%+A+A）	*高电压
10μA	10pA	±(0.06+ 1E-8 + Vo x 1E-10)	40V
100μA	100pA	±(0.06 + 2E-8 + Vo x 1E-9)	40V
1mA	1nA	±(0.06 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	40V
10mA	10nA	±(0.06 + 2E-6 + Vo x 1E-7)	40V
100mA	100nA	±(0.06 + 2E-5 + Vo x 1E-6)	40V
1A	1μA	±(0.4 + 2E-4 + Vo x 1E-5)	40V
20A	20μA	±(0.4 + 2E-3+Vo x 1E-4)	20V
典型分辨率	6½位
*大电压	±40V
*小电流	10pA
脉冲*大占空比	1%（峰值超过1A时）
脉冲*小宽度	50μs
脉冲*大宽度	1ms（峰值超过1A时）
直流*大电流	±1A
脉冲*大峰值	±20A
脉冲*大基值	±100mA（峰值超过1A时）

MPSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程	输出/测量分辨率	输出/测量精度（% + mV + mV）	*大电流
100mV	100nV	±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)	100mA
1V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	100mA
10V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	100mA
			20mA(≥40V)
100V	100μV	±(0.012 + 2.5 + Io x 10)	50mA(≤40V)
			100mA(≤20V)
电流范围、分辨率和精度	输出/测量分辨率	输出/测量精度（%+A+A）	*高电压
10nA	10fA	±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)	100V
100nA	100fA	±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)	100V
1μA	1pA	±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)	100V
10μA	10pA	±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)	100V
100μA	100pA	±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)	100V
1mA	1nA	±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)	100V
10mA	10nA	±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	100V
			100V(≤20mA)
100mA	100nA	±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)	40V(≤50mA)
			20V(≤100mA)
典型分辨率	6½位
*大电压	±100V
*小电流	10fA

UHCU
电压范围、分辨率和精度
电压量程	测量分辨率	输出分辨率	输出/测量精度±(%+mV)
60V	100μV	200μV	±(0.2+10)
6V(仅测量)	10μV	------	------
电流范围、分辨率和精度	测量分辨率	输出分辨率	输出/测量精度（%+A+A）
200A	500μA	1mA	±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
600A	500μA	1mA	±(0.6 + 0.3 + 0.01*Vo)
1800A	2mA	4mA	±(0.8 + 0.9 + 0.02*Vo)
脉冲*大占空比	0.4%（600A量程）；0.1%（1800A量程）
脉冲*小宽度	10μs
脉冲*大宽度	1ms（600A量程）；500μs（1800A量程）
脉冲*大峰值	200A、600A、1800A
脉冲分辨率	2μs

HVMCU
*大输出规格
＋3500V/4mA				＋1500V/8mA
峰值输出规格
电压范围				峰值功率
±2200V				600W
±1500V				900W
电压范围、分辨率、精度
电压范围	设置分辨率		测量分辨率		设置精度1,2,3±（%+V）	测量精度1,2±（%+V）
±2200V	3mV		3mV		±（5+20）	±（0.8+1.8）
±1500V	1.5mV		3mV		±（5+20）	±（0.8+1.8）
1：测量精度：±（读数的 6% + 固定电压偏移）
2：精度定义条件：在 1.1 A 档位和 2.5 A 档位下，以 100 μs 脉冲测试；在 100 mA 档位下，以 1 ms 脉冲
3：设定精度：在开路条件下定义
电流范围、分辨率、精度1，2
电流范围		测量分辨率		测量精度1±（%+A+A）
±2.5A		4μA		±（0.9+4E-3+Vo×3E-7）
±1.1A		4μA		±（0.9+4E-3+Vo×3E-7）
±110mA		200nA		±（0.9+2E-4+Vo×3E-7）
1：当电流大于 1.1 A 时，厂家提供额外的性能说明或参数限制。
2：相关的精度或特性是在对 20 个采样点取平均值的条件下有效。
脉宽和分辨率
输出范围		脉宽		分辨率
1500V/2.5A		10μs-100μs		2μs
2200V/1.1A		10μs-100μs		2μs
2200V/110mA		10μs-1ms		2μs
补充特性（HVMCU充电电容0.22μF）
输出电阻范围				标称值
1500V/2.5A				600Ω
2200V/1.1A				2000Ω
2200V/110mA				20000Ω

HPSMU
电压范围、分辨率和精度
电压量程	输出 / 测量分辨率	输出 / 测量精度（% + mV + mV）	*大电流
200mV	100nV	±(0.06 + 0.14 + Io x 0.05)	1A
2V	1μV	±(0.06 + 0.6 + Io x 0.5)	1A
20V	10μV	±(0.06 + 3 + Io x 5)	1A
200V	100μV	±(0.012 + 2.5 + Io x 10)	50mA
电流范围、分辨率和精度	输出 / 测量分辨率	输出 / 测量精度（%+A+A）	*高电压
10nA	10fA	±(0.1 + 1E-12 + Vo x 1E-14)	200V
100nA	100fA	±(0.05 + 2E-11 + Vo x 1E-13)	200V
1μA	1pA	±(0.05 + 1E-10 + Vo x 1E-12)	200V
10μA	10pA	±(0.04 + 2E-9 + Vo x 1E-11)	200V
100μA	100pA	±(0.03 + 3E-9 + Vo x 1E-10)	200V
1mA	1nA	±(0.03 + 6E-8 + Vo x 1E-9)	200V
10mA	10nA	±(0.03 + 2E-7 + Vo x 1E-8)	200V
100mA	100nA	±(0.04 + 6E-6 + Vo x 1E-7)	200V
1A	1μA	±(0.4 + 15E-5 + Vo x 1E-6)	200V
典型分辨率	6½ 位
*大电压	±200V
*小电流	10fA