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  • 产品名称：富士IGBT模块 H系列

  • 产品型号：2MBI150HH-120-50
  • 产品厂商：FUJI
  • 产品价格：0
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简单介绍：
富士电机功率半导体器件包括：IGBT、IPM、PIM、驱动电路、MOSFET、整流二极管模块、肖特基管、快恢复二极管、各类接触器、继电器、断路器、温控器、可编程序显示器（POD）等，品种齐全，应用极其广泛。其中，富士IGBT模块主要有N系列、P系列、S系列、U系列、U4系列、V系列、H系列等多个产品系列，广泛应用于UPS/EPS、变频器、各种高频电源、电焊机、无功功率补偿等行业。
详情介绍：

富士电机开发了IGBT模块作为电动机的可变速驱动装置或不间断电源装置等的电力转换器的开关元件。IGBT是同时具有功率MOSFET的高速开关性能和双极型晶体管的高电压和大电流处理能力的半导体元件。



特长

实现了封装小型化和输出功率的提高！

  • 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
  • Tj max175°C、150°C时可保证连续运行

环境友好型模块

  • 高装配性，支持无焊装配
  • 支持RoHS（部分除外）

开关特性

  • 改善噪音-损耗平衡
  • 通过降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振动

                                             H系列


产品型号

Ic(A)

Vce(sat)

ton

toff

Rth(j-c)

Tc=80℃

Max(V)

(us)

(us)

K/W

1MBI200HH-120L-50

200

3.1

0.2

0.3

-

1MBI300HH-120L-50

300

3.2

0.2

0.3

-

1MBI400HH-120L-50

400

3.1

0.2

0.4

-

2MBI100HH-120-50

100

3.6

0.6

0.6

-

2MBI150HH-120-50

150

3.7

0.6

0.6

-

2MBI200HH-120-50

200

3.6

0.6

0.6

-


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