IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,它同时具有MOSFET的高速开关及电压驱动特性和双极晶体管的低饱和电压特性，易实现较大电流的能力，既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点。
近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件，并得到越来越广泛的应用。那么IGBT的测试就变的尤为重要了，IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、短路测试、热阻测试等，这些测试中*基本的测试就数静态参数测试，只有保证IGBT的静态参数没有问题的情况下，才进行像动态参数（开关时间、开关损耗、续流二极管的反向恢复）、短路、热阻方面进行测试，在这里先介绍下IGBT的静态参数测试，要进行IGBT静态参数测试，首先就要了解IGBT有哪些静态参数？
IGBT静态参数有BVCES,ICES,IGES,VGE(TH),VCE(SAT),VF等。
1、BVCES：在栅极 G 和发射极 E 短路时，在加一定的 IC 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的击穿电压。
2、ICES:在栅极 G 和发射极 E 短路时，在加一定的 VCE 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的漏电流。
3、IGES:在集电极 C 和发射极 E 短路时，在加一定的 VGE 下，IGBT 的栅极 G 和发射极 E 之间的漏电流。
4、VGE(TH):在一定的 IC 下，IGBT 的开启电压。
5、VCE(SAT):在栅极 G 和发射极之间加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下，IGBT 的集电极 C 和发射极 E 之间的饱和压降。
6、VF:在一定的 IE 下，续流二极管的电压降。
要判断一个IGBT器件的好坏，就需要对以上这些参数进行测试，测试结果就要和IGBT生产厂家出的IGBT的规格书中的电气特性这一栏里边的范围进行比较，在范围之内就合格，否则不合格。
那怎么才能测出IGBT这些参数的结果呢？这就需要根据器件的datasheet中的电气特性中所给出的测试条件，用一些电压源、电流源来满足这些测试条件，并把这些条件加到IGBT的端子上，然后用电压表、电流表来测出值来。这种测试方法有一个弊端就是效率低，测一个参数，就要手动去接一次线，测六个参数就要接六次线，测试一个IGBT器件就要做这么多的工作，所以这种方法费时、费力，不推荐用这种方法。
测试IGBT还是要用专业的测试设备，这里推荐一种IGBT专用的测试设备，就是易恩电气生产的EN-3020C IGBT静态参数测试系统，系统标准功率源为3500V/1500A（可升级到6000V，4500A）。可以测IGBT模块，半桥模块，全桥模块，双单元模块，四单元模块，六单元模块，七单元模块。适合各大研究院所做元器件检验，元件进厂检测筛选以及在线开发器件做生产测试。系统可扩展性强，通过选件可以提高电压、电流的测试能力和增加测试品种范围。自动快速测试可以满足用户大生产需要，故障率低也保证了用户的生产效率。在PC窗口提示下输入被测器件的测试参数即可完成填表编程，操作人员不需具备专业计算机编程语言知识，使用简捷方便。