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结型场效应晶体管

利用场效应原理工作的晶体管，简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中的多数载流子的密度或类型。这种晶体管的工作原理与双极型晶体管不同，它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运，少数载流子实际上没有作用。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极晶体管。1925～1926年美国的J.E.里林菲德提出静电场对导电固体中电流影响的基本概念。1933年O.海尔提出薄膜FET器件的结构模型，在实验中观察到“场效应”现象，但当时由于工艺水平所限，没有做成实用器件。1952年以后，W.B.肖克莱提出结型场效应管（JFET）的基本理论。一年以后制成JFET。60年代初发展了金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）。1966年美国的C.米德提出了肖特基势垒栅场效应管（MESFET）。

结型场效应晶体管

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