碳化硅(SiC)功率器件市场**者科锐公司(Nasdaq:CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200VZ-Rec?碳化硅(SiC)肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列，科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
科锐创始人之一兼功率和无线射频(RF)产品研发部门**技术官JohnPalmour指出：“为了开发新一代功率电子产品，设计工程师正在发掘碳化硅肖特基二极管特有的性能优势，包括零反向恢复损耗、不受温度影响的开关损耗以及能在更高频率下工作等，都能支持更低的电磁干扰(EMI)信号。在不影响性能的前提下，该全新系列二极管可以实现比前一代碳化硅肖特基二极管更高的电流密度和更强的电子雪崩性能。科锐近期在器件设计方面的**和对工艺改进矢志不渝的努力，让我们能够在降低每安培成本的同时提供更高的额定电流值。”
科锐Z-Rec二极管具有零反向恢复损耗特性，与同类硅二极管相比，开关损耗可锐减50%。该产品在运行温度范围内具有高度一致的开关性能，可以简化电路设计并能省去复杂的散热器系统设计。在与科锐近期推出的1200V碳化硅功率MOSFET配合使用时，这些碳化硅肖特基二极管可以实现全碳化硅功率电子线路的运行，其运行的开关频率较传统硅二极管和IGBT可高出四倍。不仅可以缩小逆变器应用电路的尺寸，降低逆变器电路的复杂程度和成本，还能达到极高的系统效率。与上一代碳化硅肖特基二极管相比，该系列产品的优势在于具有更高的浪涌额定值和电子雪崩性能，可以帮助提高系统整体的可靠性。