20V耐压N沟道3A功率MOS管LYM2302 LYM2302
产品简介
LYM2302 列 N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的 DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。LYM2302 列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
产品详细信息
LYM2302 列 N 沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的 DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导
通电阻。
LYM2302 列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点：
通电阻。
LYM2302 列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
特点：
- 20V/3A
- RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V， ID=3A
- RDS(ON) =36mΩ@VGS=2.5V， ID=2A
- 超大密度单元、极小的 RDS(ON)）
- 超小封装：SOT23
- 电池电源管理
- 高速开关
- 低功率 DC/DC 转换
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