相应的开关频率到300kHz的范围内控制外部的场效应管。频率可通过一电阻进行设置。可以提供恒定的光输出，并且提高了可靠性。输出电流可在几个mA到1A的范围内被设定。

分析，便于对管或配件配对。本仪器IR测量达200nA/div，配备扩展装置后，VC可达3KV；可测试CMOS及TTL门电路传输特性；可对场效应管进行配对或对管测试；可测试三端稳压管特性。,上海新建半导体管特性图示仪XJ4810/XJ4810A：采用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并测量其静态参数。本仪器具有二簇曲线显示，双向集电极扫描电路，可以对被测半导体器件的特司长进行对比

富士IGBT 三菱IGBT 西门康IGBT EUPEC IGBT 东芝IGBT IXYS IGBT 场效应管 富士GTR 三菱GTR 三社GTR 三肯GTR 东芝GTR

【品 牌】 KGD【品 名】= MOS【型 号】= KNM2302ALB（A2SHB）【封装形式】= SOT-23【产品性能】= 贴片场效应管【产品参数】3.7A，20V【产品用途】 自主品牌产品.长期稳定供应◎产品种类：高压场效应管（MOSfET High Voltage Series)

20V耐压N沟道5A功率MOS管LYM2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），20V耐压N沟道5A功率MOS管LYM2306采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度,的工艺特别适用于减小导通电阻。20V耐压N沟道5A功率MOS管LYM2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

XJ27100型新建场效应管配对测试装置：本装置与XJ4810/XJ4810A主机配合使用，能对国内、外不同类型的场效应管进行单管或对管测试。

[IGBT]IGBTIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型

AO2301 MOSFET场效应管基本参数：　　FET特点：逻辑电平门 　　漏极至源极电压(Vdss)：30V 　　Id时的Vgs(th)（*大）：1.5V @ 250μA 　　闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 4.5V 　　在Vds时的输入电容(Ciss)：1.4W 　　安装类型：表面贴装

SKM75GB128D SKM100GB128D SKM300GB128D SKM400GB128D 销售産品类型有:IGBT、GTR、IPM、PIM、可控硅、整流桥、快恢复二极管、软恢复二极管.电解电容、场效应管、消特基、高频无感电容.快速熔断器.!!! 可控硅=晶闸管

本公司提供全系列二、三极管，可控硅，三端稳压管，场效应管，质量可靠，价格优势。