LPCVD CL
产品简介
用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅薄膜的制备.
产品详细信息
主要技术指标:
★ 工作温度: 400~1000℃
★ 恒温区:
★ 恒温区温度梯度: ±
★ 极限真空度: 1 Pa
★ 工作压力: 30~133 Pa
★ 送料机构: 自动悬臂舟/手动
★ 控制系统: 触摸屏+PLC 工艺全自动
★ 单片机+欧陆表工艺全自动
★ 气路系统: 进口MFC 气动阀 VCR接口
★ 真空系统: 机械泵+罗茨泵+抽气冷阱
★ 膜厚均匀性: 片内、片间、批次间±5%
★ 特气柜: 可配备标准特气柜