功率场效应管 JK9610A

　　　功率元器件通态压降的大小，直接关系到器件的输出功率和输出电流的能力、关系到器件工作时的温升及自身的功耗。

　温升越高，器件的其它参数将急剧恶化，轻则降低寿命重则立即损坏，故通态压降是功率元器件（尤其工作在开关状态下）

　一项十分重要的参数。

　　　随着经济的发展，目前市场上各种伪劣器件也层出不穷。测量通态压降是检查器件质量的一项重要手段之一，能有效的

　把伪劣的、不规范的器件区分出来。

二、特 点

　　　1、本仪器主要用于功率场效应管、IGBT管、可控硅、二极管等器件在大电流条件下通态压降的测试。

　　　2、仪器采用大电流脉冲测试法，测试时温升很小，不会对被测器件造成任何损坏。

　　　3、测试电流的调节范围不小于0-100.0A，通态电压测量范围不小于0-6.00V,测量误差≤±5%。

　　　4、采用两只LED数字表，直接显示被测器件的电流值和通态电压值。

　　　5、采用四端测量法,有效的消除因插座接触电阻所带来的测量误差,可以准确的测量只有几个 m Ω 内阻的场效应管。

　　　6、使用方便,测量一种型号的管子只需一次性调好通态电流,便可连续进行批量的测试。

　　　7、仪器采用交流220V供电，外型美观、读数清析、操作简单、使用方便。

　　　8、仪器主要用于功率场效应管、IGBT管、可控硅、二极管等的大电流通态质量检验之用。

三、测 量 范 围

　　　1、可以测量100A范围内的N沟导和P沟导功率场效应管及模块的通态压降，其RDS值 = VDS / ID。

　　　2、可以测量100A范围内的IGBT及模块的饱和压降，直接显示IC条件下的Vce(sat)。

　　　3、可以测量100A范围内的单、双向可控硅及模块的通态压降，直接显示ITM条件下的VTM值。

　　　4、可以测量100A范围内的普通二极管、肖特基二极管、快恢复二极管的正向压降，直接显示VF值。

　　　5、可以测量 0.001 - 1Ω 的低阻值无感电阻，也可以测量导线电阻等，Ω = V / A 。

　　　6、可以测量各类继电器、开关、插座、接插件等触点的接触电阻，Ω = V / A 。

　　　7、附加一测试盒，可以方便的测试 TO-220、TO-3P、TO-247 等封装的器件。

　　　8、配有专用的测试线也可以测量其它各种封装形式的器件(如模块等)。

　　　
--------------------------------------------------------------------------------------------------------

测试实例(表)　　　

　　　　　　　　　　　　　　 说明：1、RDS（Ω） = 通态压降（V）÷ 测试电流（A）

　　　　　　　　 　　　　　　　　　2、通态功耗 (P) = 通态压降（V）× 测试电流（A)　　　　

　　　　　★　以上是部分FET、IGBT管子的实测数据，不同的生产厂家其参数可能有较大差异，仅供参考。

　　　　　★　当测试出来的通态压降或��算出来的通态电阻大于基本参数时，该管子即为不合格品。

　　　　　★　通态功耗越大的管子其开关工作状态时发热量也越大，每一种型号的基本参数都可以从网上下载获得。