低导通电阻！30V 5.8A N沟道MOS管 MH2310X
产品简介
低导通电阻！30V 5.8A N沟道MOS管2310X系列N沟道增强模式场效应晶体管，采用DMOS沟道技术制造具极高的单元密度。采用该技术的MOS管特别适用于*大限度地减少MOS管通态电阻。同时该MOS管也特别适合低电压应用，低功耗及小封装尺寸等要求。
产品详细信息
低导通电阻！30V 5.8A N沟道MOS管 MH2310X
N沟道MOS管 特 点
30V/5.8A
RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A
RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A
RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A
超低导通电阻高密度的单元设计
超小型表面贴片封装：SOT23
N沟道MOS管 应用领域
电池供电设备、LED照明、高速开关、低压DC/DC转换
N沟道MOS管 结构图
N沟道MOS管 特 点
30V/5.8A
RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A
RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4.5V, ID=5A
RDS(ON) =37mΩ@ VGS=2.5V, ID=4A
超低导通电阻高密度的单元设计
超小型表面贴片封装：SOT23
N沟道MOS管 应用领域
电池供电设备、LED照明、高速开关、低压DC/DC转换
N沟道MOS管 结构图
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