半导体陶瓷电容
产品简介
性能特点概述 圆片型半导体电容器具有较高介电常数,电容器体积更小,电容量更大,表面层和晶界层之分 1.使用温度范围:-30℃~+85℃; 2.电容量:在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、测试温度(25℃±2℃)下、不超过规定误差要求; 3.额定工作电压:16V、25V、50V、100VDC ; 4.耐压:2.5倍工作电压; 5.绝缘电阻: 在25℃,额定工作电压下,充电60秒,
产品详细信息
性能特点概述
圆片型半导体电容器具有较高介电常数,电容器体积更小,电容量更大,表面层和晶界层之分
1.使用温度范围:-30℃~+85℃;
2.电容量:在测试频率(1KHz) 、测试电压(1V)、测