NAND FLASH K9GAG08UOM
产品简介
K9GAG08UOM内存是NANDflash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
产品详细信息
产品名称:并行FLASH 型号:K9GAG08UOM
并行FLASH:代理三星、ST、SPASON、Micron等品牌
nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。
具体型号包括:
K9GAG08U0D、K9HCG08U1D、K9LBG08U0D、K9PDG08U5D、K9MDG08U5D、TC58NVG4D1DTG00、TH58NVG6D1DTG20、MT29F64G08TAA、MT29F32G08CBCBB、MT29F16G08CBCBB、H27UAG8T2ATR、H27UBG8U5ATR、NAND01GW3B3CNB
并行FLASH:代理三星、ST、SPASON、Micron等品牌
nand-flash内存是flash内存的-种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。
具体型号包括:
K9GAG08U0D、K9HCG08U1D、K9LBG08U0D、K9PDG08U5D、K9MDG08U5D、TC58NVG4D1DTG00、TH58NVG6D1DTG20、MT29F64G08TAA、MT29F32G08CBCBB、MT29F16G08CBCBB、H27UAG8T2ATR、H27UBG8U5ATR、NAND01GW3B3CNB