美国司法部近日表示，又有三位DRAM厂商的高管被指控在2001-2002年期间卷入DRAM价格操纵案。其中有两位是三星电子的韩国公民，另一位是海力士(Hynix)旗下美国子公司的美国公民。起诉书指控Hynix America的内存销售**副总裁Gary Swanson，以及三星内存部门的高管Il Ung Kim和Young Bae Rha在2001年4月-2002年6月15日期间参与了操纵DRAM内存芯片价格的共谋。
到目前为止，一共有16人被控参与了与DRAM价格操纵共谋有关的刑事犯罪，此前遭到指控的13人已经认罪，并被判入狱服刑和缴纳罚金。
美国司法部一直在调查1999-2003年DRAM制造商的价格操纵问题。迄今罚金总额超过7.31亿美元。美国司法部表示，7.31亿美元的罚款是该部从单件价格操纵共谋案件中所收取的**高罚款。1999年，美国司法部曾对参与维生素产业价格操纵的两家公司罚款7.75亿美元。
Kim、Rha和Swanson均被控违反了美国的谢尔曼反垄断法(Sherman Antitrust Act.)，面临的*高刑期是入狱三年外加35万美元罚金。上月长期担任三星旗下美国公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也认罪，被判服刑八个月并支付25万美元罚款。
三星电子(Samsung Electronics)的三名高管在今年3月已同意认罪。德国英飞凌和韩国海力士(Hynix Semiconductor)一共有8人认罪，并被判入狱五到八个月，每人支付25万美元罚款。美光(Micron Technology)的一位高管则早在2003年12月承认妨碍司法并被判软禁六个月。
去年10月三星接受美国对其操纵价格的指控，同意支付3亿美元罚金。韩国的Hynix Semiconductor在去年4月认罪，并同意支付1.85亿美元的罚款。德国英飞凌(Infineon Technologies)在2004年9月同意支付1.6亿美元的罚款。今年1月份，日本厂商Elpida Memory同意认罪，并支付8,400万美元的罚款。
到目前为止，一共有16人被控参与了与DRAM价格操纵共谋有关的刑事犯罪，此前遭到指控的13人已经认罪，并被判入狱服刑和缴纳罚金。
美国司法部一直在调查1999-2003年DRAM制造商的价格操纵问题。迄今罚金总额超过7.31亿美元。美国司法部表示，7.31亿美元的罚款是该部从单件价格操纵共谋案件中所收取的**高罚款。1999年，美国司法部曾对参与维生素产业价格操纵的两家公司罚款7.75亿美元。
Kim、Rha和Swanson均被控违反了美国的谢尔曼反垄断法(Sherman Antitrust Act.)，面临的*高刑期是入狱三年外加35万美元罚金。上月长期担任三星旗下美国公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也认罪，被判服刑八个月并支付25万美元罚款。
三星电子(Samsung Electronics)的三名高管在今年3月已同意认罪。德国英飞凌和韩国海力士(Hynix Semiconductor)一共有8人认罪，并被判入狱五到八个月，每人支付25万美元罚款。美光(Micron Technology)的一位高管则早在2003年12月承认妨碍司法并被判软禁六个月。
去年10月三星接受美国对其操纵价格的指控，同意支付3亿美元罚金。韩国的Hynix Semiconductor在去年4月认罪，并同意支付1.85亿美元的罚款。德国英飞凌(Infineon Technologies)在2004年9月同意支付1.6亿美元的罚款。今年1月份，日本厂商Elpida Memory同意认罪，并支付8,400万美元的罚款。
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