11月3日消息，据外媒报道，根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构 DRAMeXchange 调查显示，2011年第三季(3Q11) NAND Flash 市场在欧洲债券风波及美国财经议题争议的影响下，传统的3Q旺季备货需求递延到 9月初才开始回温，7~8月记忆卡及随身碟(UFD)通路市场的需求依然疲弱，且除了某些系统产品客户有稳定的OEM外，多数下游客户在7~8月多仍在去化手头的过剩库存，因此 NAND Flash 价格到9月份，方因部份系统客户第四季新产品备货效应才出现止跌回稳的状况。

　　3Q11整体品牌 NAND Flash 供应商的产品平均销售价格(ASP)季跌约14%，但有少数来自平板电脑及智能型手机客户的OEM订单，相对记忆卡及UFD通路市场的疲弱需求仍来得稳健，使得3Q11整体NAND Flash品牌供应商的位元出货量较上季成长约28%；整体NAND Flash品牌供应商3Q11营收则较上季增加约9.6%，成为53亿4,700万美元。

　　依3Q11 NAND Flash品牌厂商季营收排行来看，三星(Samsung)营收为20亿300万美元，市占率为37.5%，仍维持**；东芝(Toshiba)营收为16亿9,200万美元，以市占率31.6%仍排名**；海力士(Hynix)为第三名，营收6亿3,300万美元，市占率为11.8%；美光(Micron)为第四名，营收为6亿300万美元，市占率为11.3%；英特尔(Intel)列名第五，营收为4亿1,500万美元，市占率为7.8%。

　　各家品牌NAND Flash供应商3Q11营运分析

　　三星电子在3Q11虽受记忆卡及UFD通路市场需求疲弱影响，但也受惠于一些智能型手机及平板电脑等系统产品客户OEM订单，当季位元出货量与上季相较成长约20%，ASP则较上季下跌约15%，3Q11营收小幅增加为20亿300万美元，市占率为37.5%。

　　三星预期4Q11来自部份智能型手机及平板电脑系统客户的OEM订单仍将稳健，故其4Q11的位元出货量将可望较上季成长约10%以上；4Q11三星将会以持续提高27nm及21nm制程产品的产出比重来强化其成本竞争力，并开发新的 eMMC 及 SSD 等来提高其来自系统产品客户的销售比重。

　　东芝3Q11受惠于某些智能型手机及平板电脑系统客户的OEM订单，以及记忆卡策略伙伴的稳定订单助益，当季位元出货量呈现大幅的成长，虽然仍受价格下跌及日圆升值的影响，但3Q11季营收较上季增加约24.7%，成为16亿9,200万美元，3Q11市占率为31.6%。

　　4Q11东芝也将持续地提升24nm及19nm新制程技术的产出比重来强化其成本竞争力，同时也将会开发嵌入式产品及SSD来持续提高系统产品客户的销售比重，以因应新兴智能移动装置的成长需求。

　　海力士半导体受到欧债风波及全球经济的不确定因素削弱NAND Flash终端需求影响，3Q11主要以提高行动装置系统产品客户的销售比重，使得当季位元出货量较上季增加约16%，但ASP则季跌14%，3Q11季营收呈现持平，为6亿3,300万美元，3Q11的市占率为11.8%。

　　4Q11海力士受惠于某些智能型手机及平板电脑等系统客户的稳定OEM订单，故预期其4Q11的位元出货量将季成长约15%。4Q11海力士将会持续提高26nm新制程技术的产出比重来强化其成本竞争力，同时也会开发 Ultrabook 用嵌入式产品及SSD新产品以持续提高系统产品客户的销售比重。

　　美光上季因SSD的产品销售比例提高及某些系统产品客户OEM订单的挹注下，季位元出货量较上季增加约47%，但淡季效应也使ASP下跌约26%，季营收增加约9.2%，成为6亿300万美元，市占率为11.3%。

　　由于4Q11制程技术将由25nm持续转进到新的20nm，故美光预估当季的位元产出量将较第三季成长5%以上，随着年终旺季库存需求回温，美光预期下一季的ASP约为持平。美光也将进一步提升来自智能型手机,平板电脑及Ultrabook嵌入式产品及SSD的销售比重。

　　英特尔3Q11在SSD的销售比重明显的提高下，呈现ASP小幅上涨，季位元出货量则约为持平的状况，当季营收成长约10.7%，成为4亿1,500万美元，市占率成为7.8%。4Q11英特尔也将会开始生产20nm新制程技术的产品及持续提高其SSD产品客户的销售比重。