中化新网讯 沈阳拓荆科技有限公司承担的国家重大科技专项项目——90～65纳米等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备的研发与产业化研制日前获得成功。这是我国自主开发研制的首台12英寸PECVD设备，标志着我国在IC装备国产化方面取得了重大突破。
目前，该设备已完成出厂前的工艺测试和可靠性测试，各项性能指标均达到设计要求。据悉，该设备还将在我国*大的芯片代工企业——中芯国际进行在线测试。
12英寸PECVD设备样机的顺利出厂，标志着我国在集成电路**设备研究和制造领域达到了******，使我国IC薄膜设备制造水平与国际IC制造业主流技术水平保持同步，完善了国内半导体重要装备的产业链，打破了国外产品的技术和市场垄断。
化学气相沉积是反应物质在气态条件下发生化学反应、生成固态物质沉积在加热的固态基体表面、进而制得固体材料的工艺，常用于制造薄膜如多晶硅、非晶硅、氧化硅等。化学气相沉积工艺主要有常压、低压、超高真空和等离子增强法等，其中等离子体增强化学气相沉积技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。
据了解，拥有完全自主知识产权的12英寸PECVD设备样机的成功研发，确立了沈阳在**集成电路装备研发与制造领域同北京、上海三足鼎立的地位，将推动辽沈地区IC装备制造产业化发展。
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