Numonyx（恒忆）——ST、Intel和Francisco Partners正在联手打造的闪存合资公司，因为出身名门，自2007年5月22日公布以来，就已然成了众人关注的主角。

　　公司的名称——Numonyx是英文单词“mnemonics”（意为帮助或增进记忆的技术）的变体，中文名称为“恒忆”。英特尔副总裁兼闪存部门总经理、未来Numonyx的首任**执行官 Brian Harrison表示，“我们希望让业界看到,我们正在努力创建一家重要的、灵活的且充满活力的新公司，传达这一信息的较好方式莫过于为它取一个恰当的名称。”

　　然而，在2007年年末，信贷市场动荡之际，新公司的开业时间从原定的2008年1月1日推迟到了2008年3月28日。更有国外媒体评论称，随着3月28日截至日期的临近，可能会出现另外一个延误：因为原定于2月26日举行的记者招待会（届时，Numonyx即将上任的CEO Brian Harrisson将讨论新公司的策略和服务），被“延期到稍后确定”。

　　然而，就在Numonyx的开业还是一篇云里雾里时，记者惊喜的在近日IIC-China的北京分会上看到了Numonyx，而且赫然展现在展览的入口处，拥有相当有利的位置。这在为大企业含量极少的IIC-China北京站展会上，无疑抒写了较亮的一笔。

　　据公司相关人员介绍， Numonyx目前并没有正式成立，也未说明具体的成立日期。但是国际集成电路厂商云集的盛会，Numonyx已经打出了公司的旗号，显见公司前期宣传已经到位。会场上有Intel和ST的相关人员现场为工程师讲解。其中也展出了久违的采用相变存储器(PCM)技术制造的未来存储器的原型样片，代码为“Alverstone”。Alverstone是一款采用90纳米制程的128Mb相变内存，其设计目的是让内存客户能评估相变内存的性能，也让手机和嵌入式系统客户能更了解相变内存技术，以及如何将相变内存建置在他们未来的系统设计当中。相变存储器是一种前景看好的新型存储技术，数据读写速度非常快，功耗低于传统的闪存技术，而且支持通常只有随机存取存储器(RAM)才具备的以数据位为单位的修改功能。届时，“Alverstone”和相变存储器合作开发项目组的未来产品都将转交新公司。

　　3月28日日益临近，几经波折的幸运儿究竟能否成功开业，搅局闪存市场？且让我们拭目以待。

　　Numonyx大事记：

　　2007年5月22日－ST、英特尔和Francisco Partners，宣布合资创立一家新的独立半导体公司。新公司的战略重点将专注于提供闪存解决方案。

　　根据协议规定，意法半导体将向新公司出售闪存业务的资产，包括其NAND合资公司以及其它NOR业务资源；同时英特尔将向新公司出售其NOR资产及资源。作为交换，英特尔将获得45.1%的股份和近4.32亿美元的出资额。意法半导体将获得48.6%的股份和约4.68亿美元的出资额。而总部位于加州Menlo Park的私人股权投资公司Francisco Partners将出资1.5亿美元现金购买可转换优先股，这个数字相当于6.3%的股权（在某些情况下可能会调整）。因此，新公司获得了相应的公司承诺事项，即13亿美元的定期贷款和2.5亿美元的循环贷款。

　　新公司的CEO将由Brian Harrison担任，负责意法半导体公司闪存产品业务的现任公司副总裁Mario Licciardello 将出任**运营官一职。新公司总部设在瑞士，在荷兰注册成立，全球建有9个主要的研发和制造业务机构，员工人数近 8,000人。该公司还拥有一支全球性的销售团队。

　　2007年7月19日－英特尔、意法半导体和Francisco Partners公司今天宣布三家公司在5月22日公布的即将成立的独立闪存合资公司正式命名为“Numonyx”，Numonyx是根据英文单词“mnemonics”（记忆术）创造出来的。

　　2007年12月27日－受借贷资本市场的影响，意法半导体、英特尔、Francisco Partners本周三同意将成立闪存合资企业Numonyx的时间延长到明年3月28日。

　　2008年1月2日－英特尔、意法半导体（ST Microelectronics）、Francisco Partners表示，计划成立的闪存合资公司Numonyx注册资本将减少一半。

　　其他资料：

　　ST是世界上*大的非易失性存储器供应商之一，该市场包括NOR和NAND闪存。ST在NOR闪存领域的市场份额为16.3%，排名第三；在串行闪存（带串行总线的闪存）领域的市场份额为31%，****。

　　闪存制造商同时承受着两种压力：提高性能（速度、密度、功耗），降低成本。为实现这两个目标，ST采用的是制造工艺和产品系统双管齐下、相互补充的战略。

　　ST的NOR闪存产品种类十分丰富，从工业标准闪存到先进架构闪存，应有尽有，能够很好地适应不同市场的需求，包括汽车、消费电子和计算机外设。

　　与NOR闪存相比，NAND闪存的存储密度更高(高达8 Gbits)，擦除时间更短、但随机存取时间稍长。虽然直接执行代码的效率不高，但是NAND闪存更适合在数字消费应用中存储海量数据。除其它非易失性存储器外，NAND闪存在嵌入式应用和无线通信系统中日益普及，主要功能是存储大量的参数或多媒体文体，例如，音乐和数字影像。（完）