AMD称与合作伙伴IBM已经制造了一个工作“测试芯片”，该技术在器件中关键层利用了EUV（超紫外线）光刻技术。
以前利用EUV的项目生产工作芯片的项目仅仅在“狭窄领域”和涵盖极小部分的设计方案。
AMD、IBM以及他们的合作伙伴的UAlbany NanoCollege的Albany纳米技术联合体的成果将由AMD出席SPIE提交论文。这个论文将显示“全领域”EUV光刻技术集成到涵盖22*33mm AMD 45nm节点的测试芯片的制造工艺。
AMD的测试芯片*初进入其位于德国Dresden的Fab 36工厂，该工厂使用的是193nm沉浸光刻技术。测试芯片晶圆被运输到IBM位于纽约Albany的Nanoscale科学和工程学院研究机构。
这些使用ASML Holding NV的EUV阿尔法工具的公司，通过与ASML、IBM和CNSE的合作伙伴关系，确定了晶体管间金属连接的**层。
在定型、蚀刻及金属沉积过程，EUV器件结构经过了AMD的电子测试，晶体管显示的特性与仅仅使用193nm沉浸光刻技术的测试芯片的特性相当一致。
这些晶圆将接受使用标准晶圆工艺额外的金属连接，这样大的存储阵列也能够被测试。
下一步要被证明的是EUV光刻技术量产的可行度，将被应用到不仅仅是金属连接，而是对于所有重要层，通过使用EUV光刻技术显示整个工作微处理器。
EUV光刻技术需要在2016年前完全具备量产，那个时候，预计半导体国际技术发展蓝图上的22nm半间距节点将实现。（完）
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