长久以来，微处理器一直扮演着半导体制程相关技术进步的推手，所以，在本届的ISSCC之中，各大业者所发表新一代的相关技术，更是吸引了来自产学研各界的关注。这是较受注目的议题，包括了英特尔发表积集80个CPU为核心的微处理器、P.A. Semi耗功仅有25W的2GHz芯片、IBM利用采用65nm制程生产的**代微处理器等等。

　　就半导体制程的技术领域中，IBM拥有相当广泛与**的**和技术，所以在面对纳米制程方面，每年IBM都能够开发出更新一代的产品和制程，在本次的ISSCC中，IBM公开了65nm制程的Cell照片，清晰的标示出SRAM所摆放的位置，这样的芯片裸片被公开发表之后，更是吸引了全球各大媒体的注意，同时也成为记者、编辑群讨论的热门话题之一。在演讲中，IBM并没有直接讨论到Cell内部，所发表的方向是以如何提高新Cell的**缓冲器、二级缓冲器，以及Cell之中，内暂存器所使用SRAM的相关性能等等议题为主。

　　因为Play Station 3　让IBM的65nm微处理器成为焦点

　　其实就发表的时间点来说，这颗65nm的“Cell Broadband Engine”微处理器并非是*新的产品，但是会受到如此的关注，全是因为索尼计算机娱乐，采用了这颗微处理器作为新一代电视游乐器“Play Station 3”的运算单元，才逐渐被市场所熟知，因此，包括东芝和索尼计算机娱乐也加入了此微处理器的量产行列之中。

　　原本“Play Station 3”上市之初，是采用90nm的微处理器，但后来索尼计算机娱乐采用这颗65nm微处理器的时间点，也不过是在2006年下半年度。原因是因为，就整体的销售成果来看，索尼计算机娱乐出现了542亿日元的营业亏损，所以就整个游戏机的平台上，索尼计算机娱乐做了一次通盘性的考虑，将“Play Station 3”透过三大策略来推动成本的降低，包括了缩小芯片面积、减少零组件的使用数量、和提高半导体良率。而其中缩小芯片面积就促成了索尼计算机娱乐采用这颗65nm微处理器的动力，这样的改变，可使Cell的芯片面积，比采用90nm制程时，面接缩小约40%左右，而达到降低成本的目标。

　　另一方面，这颗65nm微处理器，之所以倍受现场记者、编辑群讨论的原因是在于，IBM利用演讲开始的20秒，公布了65nm制程的Cell裸片照片，而引起喧然。不过在全球所发表关于这颗微处理器的讯息上，有一点是错误的，有部分的媒体将此颗微处理器的工作时脉写成6GHz，而大肆宣称已经超越了英特尔，以及IBM的Power 6，事实上这是有些错误的，因为6GHz只不过是这颗微处理器中SRAM的频率。
　　
　　英特尔利用新技术克服65nm制程漏电流

　　在65nm制程的领域，除了几乎成为焦点的IBM之外，英特尔也不落人后的在ISSCC 2007上，发表了65nm制程的“Merom”处理器芯片，展现出在半导体领域居于技术领导的地位。此外，英特尔也在活动中发表了另一项制程技术--拥有80颗运算核心的试验性处理器。

　　关于65nm制程的技术，英特尔所锁定的目标是克服漏电流这项严重问题，因为就制程而言，芯片制程从90nm朝向65nm微细化的过程中，晶体管的漏电流将会增加10倍以上，这对于整体的耗功性带来相当严重的挑战。例如，英特尔的Pentium 4是采用90nm制程量产，虽说是90nm制程，但是Pentium 4的漏电流问题就相当严重，因为在总耗电量中，漏电流所占的比例就高了达30%，如果在65nm制程的设计中，还是沿用90nm的设计观念而不加以改善的话，那么漏电流将会成为芯片中*严重的缺陷，甚至保持耗电量在100W以下的更是遥遥无期。

　　所以针对这样的情况，英特尔的作法是在禁行制程更微细化的同时，采取了严谨的时脉闸控制（Clock Gating）和电源闸控（power gating）等等作法，来降低漏电量，使得芯片65nm制程的设计中，让漏电流在总耗电量中所占的比例，降低至到90nm相同的水平，也就是说仅占10%40%左右，不会出现无限度的扩大。因此，英特尔在更新一代45nm制程的“Merom”处理器芯片，已经采用这样的手法，实际的作法是，在45nm CMOS处理器之中，导入了high-k栅绝缘膜，这样改变的好处是，栅极所出现的漏电流将比65nm CMOS处理器更低，虽然在数据上得到令人兴奋的结果，但是这还却是仅仅一部份而已，因为另一方面的Subthreshold Leakage漏电流问题并不能获得解决，所以，还是需要开发出新一代芯片低耗电相关的新技术。

　　其实在整个ISSCC 2007活动中，并非只有英特尔和IBM讨论到65nm制程这一个议题，包括AMD、P.A. Semi及Sun Microsystems也都有相关的研发报告发表。（完）